Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia Gold (G7) C7 CoolMOS™

Los MOSFET de potencia Gold C7 (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies están incluidos en el nuevo paquete SMD TO sin plomo (TOLL) utilizando el concepto de fórmula Kelvin. Los MOSFET G7 combinan la tecnología CoolMOS™ G7 mejorada de 600 V a 650 V, capacidad de fuente Kelvin de 4 pines y las propiedades térmicas mejoradas del paquete TO sin plomo. Esto permite una solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente, como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3 kW. Para el CoolMOS™ G7 de 600 V, los MOSFET se pueden utilizar para circuitos resonantes, como LCC de alta gama.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.54
3,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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3,968En existencias

Cinta cortada

S/38.54

S/26.43

S/19.81

S/18.72

Envase tipo carrete

S/18.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.29
1,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,735En existencias

Cinta cortada

S/27.29

S/18.33

S/13.31

S/12.57

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/13.66
1,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,462En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.56

S/6.19

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.03
2,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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2,570En existencias

Cinta cortada

S/12.03

S/7.79

S/5.37

S/4.48

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

4.7 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.35
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/32.35

S/21.64

S/17.40

S/15.45

S/13.70

Envase tipo carrete

S/13.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.38
1,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/25.38

S/16.62

S/12.22

S/10.86

S/9.65

Envase tipo carrete

S/9.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.97
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

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23En existencias

Cinta cortada

S/42.97

S/30.40

S/25.30

S/22.58

S/21.10

Envase tipo carrete

S/21.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.04
30En existencias
2,000Se espera el 25/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

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30En existencias

2,000Se espera el 25/02/2027

Cinta cortada

S/42.04

S/29.70

S/24.76

S/22.03

S/20.63

Envase tipo carrete

S/20.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/69.56
1,950Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

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1,950Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/69.56

S/53.91

S/45.70

S/42.90

S/42.74

Envase tipo carrete

S/40.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/9.23
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R099CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.23

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R190CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/5.80
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R190CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R190CFD7XTM

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cinta cortada

S/21.72

S/14.21

S/10.59

S/8.87

S/8.25

Envase tipo carrete

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

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