Transistores – Mouser Perú

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CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
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IPD60R180CM8XTMA1

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726-IPD60R180CM8XTMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Envase tipo carrete

S/2.64

Min.: 1
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MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.34
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726-IPP60R016CM8XKSA

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Infineon Technologies

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1,142En existencias

S/44.34

S/36.08

S/30.09

S/26.78

S/22.73

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
2,804En existencias
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726-IPT60R180CM8XTMA

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S/10.35

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S/4.48

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S/3.25

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MOSFETs

SMD/SMT

HSOF-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.23
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IPW60R037CM8XKSA1

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726-IPW60R037CM8XKSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/32.23

S/23.43

S/19.54

S/17.40

S/15.49

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/10.51
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726-IPDD60R180CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/3.32

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MOSFETs

SMD/SMT

HDSOP-10

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IPDQ60R007CM8XTMA1
Infineon Technologies
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781En existencias
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IPDQ60R007CM8XTMA1

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726-IPDQ60R007CM8XTM

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S/77.15

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HDSOP-22

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MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.42
693En existencias
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IPDQ60R016CM8XTMA1

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726-IPDQ60R016CM8XTM

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S/54.42

S/38.19

S/33.94

S/33.86

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S/27.68

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SiC MOSFETS

SiC

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HDSOP-22

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IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.39
542En existencias
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IPDQ60R037CM8XTMA1

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MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

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S/29.39

S/20.47

S/16.47

S/15.84

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S/13.43

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SiC MOSFETS

SiC

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HDSOP-22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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563En existencias

S/26.16

S/14.01

S/12.85

S/12.81

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TO-220-3

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IPT60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/51.77
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S/26.86

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SiC

SMD/SMT

HSOF-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.69
3,066En existencias
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IPT60R037CM8XTMA1

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726-IPT60R037CM8XTMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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S/16.85

S/15.03

S/13.39

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S/13.39

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SMD/SMT

HSOF-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/57.49
578En existencias
240Se espera el 16/04/2026
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IPW60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R016CM8XKSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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578En existencias

240Se espera el 16/04/2026

S/57.49

S/44.49

S/38.46

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/58.00
299En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R016CM8XKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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299En existencias

S/58.00

S/35.62

S/31.33

S/31.30

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.38
332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037CM8XKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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332En existencias

S/35.38

S/26.27

S/21.91

S/19.54

S/17.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
888En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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888En existencias

S/8.02

S/5.80

S/4.59

S/3.87

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
541En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

541En existencias

S/10.04

S/6.50

S/4.63

S/3.87

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/4.63
2,167En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,167En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/3.12

S/2.21

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.93
207En existencias
5,100En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R037CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

207En existencias

5,100En pedido

Cinta cortada

S/29.93

S/21.10

S/17.59

S/15.65

S/13.97

Envase tipo carrete

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

MOSFETs

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPTA60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
1,471En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTA60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTA60R180CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,471En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/6.23

S/4.52

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.99

S/2.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/84.93
3,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R008CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R008CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

3,000En pedido

Cinta cortada

S/84.93

S/69.48

S/61.38

Envase tipo carrete

S/61.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

MOSFETs

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R024CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.05
478Se espera el 2/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

478Se espera el 2/07/2026

S/43.05

S/33.67

S/28.06

S/24.99

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R025CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.76
469En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R025CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R025CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

469En pedido

S/44.76

S/35.03

S/29.19

S/26.00

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R070CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.80
479En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

479En pedido

S/18.80

S/15.06

S/12.18

S/10.82

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

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