Transistores – Mouser Perú

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CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPT60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/67.89
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2,000Se espera el 7/01/2027

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IPT60R016CM8XTMA1

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726-IPT60R016CM8XTMA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

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1,786En existencias

2,000Se espera el 7/01/2027

Cinta cortada

S/67.89

S/48.03

S/41.42

S/41.38

S/38.65

Envase tipo carrete

S/38.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/69.36
236En existencias

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IPZA60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R016CM8XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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236En existencias

S/69.36

S/44.06

S/41.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ60R024CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.47
619En existencias
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IPDQ60R024CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R024CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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619En existencias

Cinta cortada

S/49.47

S/34.41

S/27.48

S/25.65

Envase tipo carrete

S/25.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs

SMD/SMT

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R160CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/13.43
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Nuevo producto

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IPT60R160CM8XTMA1

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726-IPT60R160CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Cinta cortada

S/13.43

S/8.76

S/6.07

S/4.94

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R099CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
250En existencias
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IPW60R099CM8XKSA1

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726-IPW60R099CM8XKSA

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250En existencias

S/21.84

S/12.26

S/10.16

S/8.68

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MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW65R060CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.22
166En existencias
480Se espera el 7/09/2026
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IPW65R060CM8XKSA1

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726-IPW65R060CM8XKSA

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166En existencias

480Se espera el 7/09/2026

S/31.22

S/18.02

S/15.14

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PG-TO247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R024CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.05
212En existencias
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IPZA60R024CM8XKSA1

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726-IPZA60R024CM8XKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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212En existencias

S/53.05

S/28.30

S/28.10

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MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R055CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.74
194En existencias
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IPZA60R055CM8XKSA1

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726-IPZA60R055CM8XKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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194En existencias

S/32.74

S/16.50

S/14.91

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R070CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.14
338En existencias
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IPZA60R070CM8XKSA1

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726-IPZA60R070CM8XKS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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338En existencias

S/28.14

S/16.15

S/14.56

S/12.34

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

PG-TO247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R099CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.69
176En existencias
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IPZA60R099CM8XKSA1

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726-IPZA60R099CM8XKS

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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176En existencias

S/22.69

S/11.02

S/9.54

S/9.50

S/9.15

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.85
1,515En existencias

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IPDD60R180CM8XTMA1

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726-IPDD60R180CM8XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

S/12.85

S/8.33

S/5.76

S/4.67

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

MOSFETs

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R016CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/71.58
693En existencias

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IPDQ60R016CM8XTMA1

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726-IPDQ60R016CM8XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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693En existencias

Cinta cortada

S/71.58

S/50.84

S/44.34

S/43.09

Envase tipo carrete

S/41.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs

SiC

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.57
463En existencias
2,500Se espera el 25/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R037CM8XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,500Se espera el 25/03/2027

S/31.57

S/18.92

S/16.35

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
1,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,792En existencias

S/12.11

S/6.03

S/5.41

S/4.36

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/38.77
1,538En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R037CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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1,538En existencias

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Cinta cortada

S/38.77

S/26.59

S/19.97

S/19.66

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPT60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
1,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R180CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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Cinta cortada

S/11.37

S/7.59

S/5.41

S/4.55

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/69.99
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R016CM8XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

847En existencias

S/69.99

S/43.32

S/40.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.81
1,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037CM8XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,005En existencias

S/35.81

S/22.81

S/19.31

S/19.27

S/18.65

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.35
532En existencias
240Se espera el 17/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037CM8XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

532En existencias

240Se espera el 17/09/2026

S/39.35

S/25.42

S/21.60

S/21.56

S/21.25

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
257En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

257En existencias

1,500En pedido

S/11.79

S/6.66

S/5.37

S/4.01

S/3.76

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
2,837En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2,837En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.52

S/2.97

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.07
178En existencias
750Se espera el 31/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R037CM8XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

178En existencias

750Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

S/35.07

S/24.48

S/18.84

S/17.83

Envase tipo carrete

S/17.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPTA60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
1,049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTA60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTA60R180CM8XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,049En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.90

S/5.45

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/102.10
2,235Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R008CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R008CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

2,235Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/102.10

S/74.00

S/69.75

S/65.16

Envase tipo carrete

S/65.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT65R018CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/57.61
2,000Se espera el 4/03/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R018CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R018CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

2,000Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/57.61

S/40.40

S/33.51

Envase tipo carrete

S/31.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

PG-HSOF-8

N-Channel

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

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