Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

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Resultados: 116

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC100N04S52R8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.62
1,128En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S52R8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S52R8AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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Hoja de datos

1,128En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.82

S/2.22

Ver

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC90N04S53R6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
3,658En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC90N04S53R6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC90N04S53R6ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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Hoja de datos

3,658En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.40

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32.6 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
Infineon Technologies
1: S/12.77
313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4-H1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4-H1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

313En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/6.38

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB240N04S41R0ATMA1
Infineon Technologies
1,000: S/6.15
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB240N04S41R0ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB240N04S41R0AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

221 nC

- 55 C

+ 175 C

231 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S406ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S406ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S406ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.27

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S204ATMA2
Infineon Technologies
7,000: S/5.76
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S204ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S204ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Cinta cortada

S/5.76

Min.: 7,000
Mult.: 7,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

IPI80N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/9.81
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPI80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPI80N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/9.81

S/4.83

S/4.36

S/3.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2

IPP120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/9.81
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

S/9.81

S/8.14

S/6.50

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.88 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
2,500: S/2.25
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-09

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.25

S/2.18

Presupuesto

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-H4
Infineon Technologies
2,500: S/3.71
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-H4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-H4

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.71

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPG20N04S4L-11A
Infineon Technologies
5,000: S/1.64
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-11A

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-11A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.64

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

10.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_30/40V

IPG20N04S4L08AATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/1.98
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L08AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L08AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_30/40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.98

S/1.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

8.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPG20N06S4L11ATMA2
Infineon Technologies
5,000: S/2.53
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPC100N04S5L1R1ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S5L1R1ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S5L1R1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/10.00

S/6.15

S/4.32

S/3.55

Ver

Envase tipo carrete

S/3.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.1 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPC100N04S5L1R5ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/2.32
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S5L1R5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S5L1R5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms

AUIRF2804L
Infineon Technologies
1,000: S/26.51
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
AUIRF2804L

N.º de artículo de Mouser
942-AUIRF2804L

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/26.51

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Tube

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W