Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

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Resultados: 114

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1: S/9.46
29,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S2L13ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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29,717En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/5.37

S/3.97

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.62

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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50 A

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- 20 V, 20 V

1.6 V

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- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
9,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N03S4L04ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L04ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

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9,352En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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70 A

3.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/9.93
5,076En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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5,076En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/5.99

S/4.28

S/3.60

Envase tipo carrete

S/2.89

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

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91 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1: S/4.55
8,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/4.55

S/2.62

S/1.83

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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1.5 V

14 nC

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/6.42
3,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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S/6.42

S/3.82

S/2.66

S/2.13

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.66

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

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90 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/15.18
9,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

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S/15.18

S/9.96

S/6.97

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.87

Ver

MouseReel Disponible

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/5.72
16,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/5.72

S/3.52

S/2.32

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
17,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S403ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.57

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

90 A

2.7 mOhms

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66 nC

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94 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
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3,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N06S2L13ATMA4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L13AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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3,662En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/4.90

S/3.60

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.63

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

30 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1: S/7.98
4,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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4,154En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/4.94

S/3.24

S/2.55

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

60 nC

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+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
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1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4H2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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1,882En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/6.93

S/5.10

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.04
3,684En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N03S4L02ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N03S4L02ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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3,684En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/5.99

S/4.40

S/3.54

Envase tipo carrete

S/2.91

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/17.28
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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976En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.33

S/8.45

S/7.08

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N010ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N010ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N010

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

2,220En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/6.38

S/4.90

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.03 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
14,566En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

14,566En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/4.63

S/3.29

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC80N04S6N036ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
6,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC80N04S6N036ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC80N04S6N036A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

6,892En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.54

S/2.39

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
3,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L012

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

3,613En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.72

S/4.05

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.29 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/7.36
9,066En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

9,066En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.01

S/2.93

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
14,593En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S412AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

14,593En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.05

S/2.90

S/2.42

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.99
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

698En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.23

S/6.85

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.77
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

969En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/5.76

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/8.21
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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555En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.22

S/3.51

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.47

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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: S/9.69
2,127En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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2,127En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.15

S/4.16

S/3.36

Envase tipo carrete

S/2.81

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N028ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
6,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N028ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N028

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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6,643En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.60

S/2.53

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.54

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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA180N04S5N012AUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.16
2,362En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N04S5N012AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N04S5N012

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Hoja de datos

2,362En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/7.12

S/5.25

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.79

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W