Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

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Resultados: 116

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1: S/5.64
29,785En existencias

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IPD50N06S2L13ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.52

S/3.08

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.43

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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50 A

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- 20 V, 20 V

1.6 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.21
9,397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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9,397En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/6.50

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.83

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
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3,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S400ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S400ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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S/18.22

S/12.07

S/8.56

S/7.98

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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180 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/4.79
16,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

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S/4.79

S/2.99

S/1.97

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.06

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MouseReel Disponible

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1 Channel

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
19,039En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S403ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S403ATMA

Infineon Technologies

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S/7.12

S/4.55

S/3.04

S/2.41

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S/1.91

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DPAK-3 (TO-252-3)

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90 A

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2 V

66 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
9,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4L08ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4L08ATM

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S/4.32

S/2.91

S/1.93

S/1.52

Envase tipo carrete

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50 A

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- 16 V, 20 V

1.2 V

30 nC

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+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: S/15.84
976En existencias

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IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

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S/15.84

S/10.39

S/7.82

S/6.93

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S/5.57

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1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
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4,223En existencias

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IPD30N06S2L13ATMA4

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726-IPD30N06S2L13AT

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S/5.88

S/4.13

S/3.18

S/2.81

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Envase tipo carrete

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30 A

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD70N03S4L-04
Infineon Technologies
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9,440En existencias

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IPD70N03S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

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S/5.99

S/3.76

S/2.50

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Envase tipo carrete

S/1.62

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1 Channel

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1: S/6.27
4,444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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4,444En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.93

S/2.61

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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90 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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+ 175 C

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AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
12,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S55R4ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S55R4ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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12,739En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.11

S/2.06

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.16

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

40 V

40 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

23 nC

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
19,898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S51R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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19,898En existencias

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S/6.46

S/4.71

S/3.72

S/3.33

Ver

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/8.06
5,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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5,664En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.06

S/4.05

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1: S/4.24
8,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

8,752En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.66

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.958

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

13.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
1,892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4H2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,892En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.12

S/4.90

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.28

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
6,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S408ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S408ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

6,214En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.52

S/1.84

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/7.47
5,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

5,491En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.71

S/3.16

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
16,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S412AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

16,413En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.74

S/2.15

Ver

Envase tipo carrete

S/1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
1: S/7.94
7,282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

7,282En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.02

S/3.35

S/2.75

Ver

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: S/11.64
1,800En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: S/8.33
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

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OptiMOS

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IPZ40N04S53R1ATMA1
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1: S/5.96
14,402En existencias
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IPZ40N04S53R1ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S53R1ATM

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S/5.96

S/3.78

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S/1.45

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

41 nC

- 55 C

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71 W

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IPG20N04S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
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N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L11AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.31

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S/2.74

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S/1.64

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N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

10.1 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/8.29
9,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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S/5.29

S/3.59

S/2.86

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S/2.22

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

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OptiMOS

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IPG20N04S4L-11
Infineon Technologies
1: S/6.31
11,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-11

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-11

Infineon Technologies

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S/3.62

S/2.61

S/2.09

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Envase tipo carrete

S/1.52

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

11.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W