Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

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Resultados: 116

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/6.42
9,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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9,144En existencias

Cinta cortada

S/6.42

S/4.09

S/2.71

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8

IPG20N04S4L07AATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
5,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L07AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L07AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8

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Hoja de datos

5,948En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.61

S/3.88

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.45
1,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLU300N04S41R1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLU300N04S41R1X

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,675En existencias

Cinta cortada

S/15.45

S/11.83

S/8.41

S/7.82

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

151 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
1,731En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC90N04S5L3R3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC90N04S5L3R3AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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1,731En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.29

S/2.34

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
1: S/11.21
732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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732En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/7.24

S/5.18

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S402ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S402ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S402ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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89En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/4.67

S/4.36

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.13

S/3.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4H1ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.77
682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB160N04S4H1ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB160N04S4H1ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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682En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.33

S/5.80

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.20

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-03
Infineon Technologies
1: S/9.69
735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-03

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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735En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.28

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/8.76
1,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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1,526En existencias

Cinta cortada

S/8.76

S/5.64

S/3.82

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.81

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4L-08
Infineon Technologies
1: S/4.79
1,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4L-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4L-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,352En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/2.99

S/1.97

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

6.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD75N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/5.49
1,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD75N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD75N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,697En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.47

S/2.30

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
1,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N03S4L02ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N03S4L02ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,692En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.87

S/3.73

S/3.25

S/3.20

Envase tipo carrete

S/2.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S405ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
1,681En existencias
2,500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S405ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,681En existencias

2,500Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/3.10

S/2.22

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

86 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

IPI120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/14.17
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPI120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

500En existencias

S/14.17

S/7.20

S/6.50

S/6.34

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

IPI120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/12.69
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPI120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPI120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

478En existencias

S/12.69

S/6.38

S/5.76

S/4.67

S/4.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
14En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

14En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/7.40

S/4.52

S/3.12

S/2.51

Ver

Envase tipo carrete

S/1.90

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L009ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.43
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L009

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

478En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.77

S/4.63

S/3.74

Ver

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

980 uOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N044ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
849En existencias
5,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N044ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N044A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

849En existencias

5,000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.09

S/1.66

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
453En existencias
15,000Se espera el 30/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPC50N04S5L5R5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC50N04S5L5R5AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

453En existencias

15,000Se espera el 30/04/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.14

S/1.67

Ver

Envase tipo carrete

S/1.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

5.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1: S/8.29
1,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-07

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-07

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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S/2.23

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.61
319En existencias
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IPB120N04S4L02ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4L02AT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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S/12.61

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S/6.31

S/5.33

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.3 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
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225En existencias
NRND

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IPC100N04S51R7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R7AT

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/7.94

S/5.45

S/3.68

S/2.96

S/2.79

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S/2.32

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPC100N04S51R9ATMA1
Infineon Technologies
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105En existencias
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NRND

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IPC100N04S51R9ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R9AT

NRND

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S/7.28

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S/3.13

S/2.48

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S/1.97

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

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IPC100N04S52R8ATMA1
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1,128En existencias
NRND

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IPC100N04S52R8ATMA1

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726-IPC100N04S52R8AT

NRND

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S/4.20

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S/2.22

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S/1.69

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IPC90N04S53R6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
3,658En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC90N04S53R6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC90N04S53R6ATM

NRND

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3,658En existencias

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S/5.72

S/3.60

S/2.40

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32.6 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W