Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 116

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4H0ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4H0ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

859En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/8.60

S/7.05

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.37

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
4,119En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L08ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L08ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

4,119En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.05

S/2.97

S/2.52

Ver

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPC100N04S5L1R9ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
34,133En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S5L1R9ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S5L1R9A

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

34,133En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.90

S/3.28

S/2.69

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N013TATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.12
2,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N013TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N013TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,295En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.79

S/3.64

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N017TATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.48
2,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N017TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N017TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,548En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/3.28

S/3.02

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.73 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

103 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
11,805En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S5L2R8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S5L2R8AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

11,805En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.51

S/2.46

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
48,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L025

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

48,556En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.26

S/2.36

S/1.90

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

62 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.82
997En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPLU300N04S4R8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLU300N04S4R8XT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

Obtenga más información

Hoja de datos

997En existencias

Cinta cortada

S/23.82

S/16.93

S/13.04

S/12.30

S/12.22

Envase tipo carrete

S/10.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

H-PSOF-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

770 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

221 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPB80N04S2H4ATMA2
Infineon Technologies
1: S/15.06
4,742En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S2H4ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S2H4ATM2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,742En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.89

S/6.97

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
2,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4L02ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4L02AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,422En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.9 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-10
Infineon Technologies
1: S/4.63
5,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-10

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-10

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

5,210En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.55

S/1.81

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.2 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
9,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N03S4L04ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N03S4L04ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

9,432En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/2.75

S/2.02

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

70 A

3.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-04
Infineon Technologies
1: S/6.03
3,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,505En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.68

S/2.50

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S58R4ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.05
7,872En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S58R4ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S58R4ATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

7,872En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.64

S/1.78

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

13.7 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.46
5,899En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S5L4R8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S5L4R8AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

5,899En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.37

S/2.36

S/1.74

Ver

Envase tipo carrete

S/1.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

4.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IPZ40N04S5L7R4ATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.99
10,916En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPZ40N04S5L7R4ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S5L7R4AT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

10,916En existencias

Cinta cortada

S/1.99

S/1.67

S/1.32

S/1.21

S/1.16

Envase tipo carrete

S/1.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA200N04S5N010AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA200N04S5N010

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.64

S/4.79

S/4.55

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6L020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
13,772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6L020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

13,772En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.06

S/2.50

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC100N04S6N022ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
7,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N04S6N022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6N022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

7,590En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.09

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6L008ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
5,538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6L008ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6L008

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

5,538En existencias

Cinta cortada

S/10.82

S/7.01

S/4.83

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

900 uOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.99
9,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N013

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

9,432En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/4.24

S/3.38

S/2.99

Ver

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L039ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
11,829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L039ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L039A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

11,829En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.52

S/1.93

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-43

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

4.71 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC80N04S6L032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
5,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC80N04S6L032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC80N04S6L032A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

5,580En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/3.29

S/2.23

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.75 mOhms

- 16 V, 16 V

1.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC80N04S6N036ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
4,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC80N04S6N036ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC80N04S6N036A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,043En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.12

S/2.20

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S54R6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
4,231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC70N04S54R6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC70N04S54R6ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

4,231En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

24.2 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

770 uOhms
800 uOhms
900 uOhms
980 uOhms
1 mOhms
1.03 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.21 mOhms
1.29 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.42 mOhms
1.5 mOhms
1.52 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.73 mOhms
1.8 mOhms

8.7 nC
13 nC
13.7 nC
14 nC
15 nC
17 nC
18 nC
18.2 nC
19 nC
20 nC
22 nC
22.4 nC
23 nC
24.2 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC

26 W
31 W
34 W
41 W
42 W
46 W
48 W
50 W
54 W
56 W
58 W
62 W
63 W
65 W
68 W
71 W
75 W
94 W
100 W
103 W