Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 195

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

363En existencias

S/7.94

S/4.40

S/3.35

S/2.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
1,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,795En existencias

S/5.37

S/2.53

S/2.25

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/38.50
185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

185En existencias

S/38.50

S/30.13

S/25.61

S/21.72

S/19.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/38.46
97En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

97En existencias

S/38.46

S/30.09

S/25.07

S/22.34

S/19.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.67
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R125C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

73En existencias

S/17.67

S/9.15

S/8.33

S/6.81

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7
Infineon Technologies
1: S/12.81
473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

473En existencias

S/12.81

S/8.33

S/6.38

S/5.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

377En existencias

S/13.39

S/8.72

S/6.66

S/5.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

168 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

913En existencias

S/6.73

S/4.24

S/2.85

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.58
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

958En existencias

S/13.58

S/6.89

S/6.23

S/5.02

S/4.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

506En existencias

S/11.09

S/5.53

S/4.98

S/4.55

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.58
1,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,597En existencias

S/9.58

S/4.75

S/4.48

S/3.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.24
770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

770En existencias

S/7.24

S/4.20

S/3.39

S/2.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

1,699En existencias

S/6.97

S/3.69

S/3.00

S/2.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
263En existencias
12,500Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

263En existencias

12,500Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/7.40

S/4.71

S/3.15

S/2.52

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.87
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,012En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.02

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
95En existencias
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

95En existencias

7,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/4.09

S/2.57

S/1.70

S/1.31

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.946

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.58
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

21En existencias

Cinta cortada

S/35.58

S/25.42

S/20.79

S/19.46

S/16.97

Envase tipo carrete

S/16.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
307En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

307En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/17.05

S/13.82

S/12.26

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4

IPL65R130C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
71En existencias
3,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R130C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 15A VSON-4

Obtenga más información

Hoja de datos

71En existencias

3,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/11.91

S/9.19

S/8.56

S/8.45

Envase tipo carrete

S/7.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 40 C

+ 150 C

102 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
4,741En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,741En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.28
3,298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R600P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,298En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.02
2,227En existencias
3,000Se espera el 25/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,227En existencias

3,000Se espera el 25/03/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
3,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,958En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.67

S/1.74

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.40
83En existencias
500Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

83En existencias

500Se espera el 26/03/2026

S/17.40

S/8.99

S/8.17

S/6.70

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.56
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

648En existencias

S/11.56

S/7.16

S/6.50

S/5.25

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A

17 mOhms
19 mOhms
26 mOhms
28 mOhms
30 mOhms
34 mOhms
40 mOhms
49 mOhms
50 mOhms
52 mOhms
53 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
58 mOhms
60 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
66 mOhms
69 mOhms
70 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.9 W
7 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W
28 W
29 W