Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 100

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
198En existencias
10,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

198En existencias

10,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/9.54

S/6.11

S/4.16

S/3.32

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.82
180En existencias
500Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

180En existencias

500Se espera el 15/10/2026

S/10.82

S/5.37

S/4.79

S/3.77

S/3.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.82
1,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB039N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,194En existencias

Cinta cortada

S/13.82

S/8.99

S/6.31

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/21.64
581En existencias
1,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

581En existencias

1,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/21.64

S/14.17

S/10.59

S/9.23

Envase tipo carrete

S/7.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB081N06L3 G
Infineon Technologies
1: S/8.56
477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB081N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB081N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

477En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.45

S/3.66

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
1,784En existencias
2,500Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,784En existencias

2,500Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/8.14

S/4.71

S/3.26

S/2.67

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

IPP110N20N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.47
207En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP110N20N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP110N20N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

207En existencias

3,000En pedido

S/23.47

S/15.38

S/11.48

S/9.58

S/8.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

SP000919330
Infineon Technologies
1: S/1.52
167En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SP000919330

N.º de artículo de Mouser
726-SP000919330

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Hoja de datos

167En existencias

36,000En pedido

Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.666

S/0.42

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

BSS138WH6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
2,924En existencias
20,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSS138WH6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138WH6433XTMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 280mA SOT-323-3

Hoja de datos

2,924En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/1.71

S/0.946

S/0.615

S/0.436

Ver

Envase tipo carrete

S/0.226

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

60 V

280 mA

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

1.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
40,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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40,000En pedido

Cinta cortada

S/14.83

S/9.65

S/6.73

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9-1

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB5615PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB5615PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB5615PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

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Hoja de datos

637En existencias

S/10.20

S/4.98

S/4.48

S/3.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

150 V

35 A

39 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
1: S/1.52
538,945En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS138NH6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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Hoja de datos

538,945En pedido

Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.666

S/0.42

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.261

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4LH0ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4LH0AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

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Hoja de datos

1,000En pedido

Cinta cortada

S/17.28

S/11.33

S/8.45

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.34

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.7 V

310 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

IPB64N25S3-20
Infineon Technologies
1: S/31.72
975Se espera el 7/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB64N25S3-20

N.º de artículo de Mouser
726-IPB64N25S3-20

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

975Se espera el 7/10/2026

Cinta cortada

S/31.72

S/21.25

S/17.09

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/14.21
3,729En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3,729En pedido

Cinta cortada

S/14.21

S/9.30

S/7.36

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.29
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,500En pedido

S/11.29

S/5.57

S/5.02

S/4.01

S/3.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/13.70
7,631En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

7,631En pedido

Cinta cortada

S/13.70

S/8.91

S/6.27

S/5.45

Envase tipo carrete

S/4.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB600N25N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.88
2,978En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB600N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB600N25N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,978En pedido

Cinta cortada

S/15.88

S/10.43

S/7.79

S/6.50

Envase tipo carrete

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

25 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.74
1,596Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,596Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/10.74

S/6.70

S/4.87

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB80N04S4L-04
Infineon Technologies
1: S/9.65
988Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

988Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/9.65

S/6.23

S/4.24

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.10

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/13.08
485Se espera el 4/09/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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485Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.92

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

BSS138N H6327
Infineon Technologies
1: S/1.52
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS138N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS138NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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3En existencias

Cinta cortada

S/1.52

S/1.05

S/0.666

S/0.42

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.78
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R420CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R420CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/10.78

S/5.29

S/4.79

S/3.82

S/3.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31.5 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

BSS205NH6327XT
Infineon Technologies
1: S/2.22
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS205NH6327XT

N.º de artículo de Mouser
726-BSS205NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Cinta cortada

S/2.22

S/1.55

S/0.981

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.471

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

2.5 A

40 mOhms

- 12 V, 12 V

950 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

IAUC64N08S5L075ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC64N08S5L075ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC64N08S5L075A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.69

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Envase tipo carrete

S/2.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

230 mA
280 mA
1.5 A
2.5 A
5 A
6 A
8.7 A
12 A
17 A
18.1 A
24.8 A
25 A
33 A
34 A
35 A
40 A
50 A
63 A
64 A
70 A

480 uOhms
500 uOhms
540 uOhms
640 uOhms
680 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.6 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.6 mOhms

800 pC
1 nC
1.4 nC
1.5 nC
2.1 nC
4.7 nC
9 nC
13 nC
14 nC
17.2 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
26 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31.5 nC

360 mW
500 mW
21 W
24 W
30 W
30.4 W
32 W
41 W
53 W
58 W
69 W
71 W
75 W
79 W
83.3 W
94 W
100 W
107 W
115 W
125 W