Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 231
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS 20,823En existencias
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 126 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M22-80E/SOT1210/mLFPAK 60,688En existencias
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.9 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK 86,330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 97 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y58-75B/SOT669/LFPAK 104,847En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 75 V 20.73 A 53 mOhms - 10 V, 10 V 1.25 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 60.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK 2,931En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y41-80E/SOT669/LFPAK 8,892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 24 A 35.7 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 11.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y102-100B/SOT669/LFPAK 6,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 15 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12.2 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y8R7-60E/SOT669/LFPAK 7,588En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 87 A 8.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 46 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9637-100E/SOT404/D2PAK 4,567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 31 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y11-80E/SOT669/LFPAK 2,916En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 8.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 44.2 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M9R9-60E/SOT1210/mLFPAK 36,298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y12-55B/SOT669/LFPAK 2,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 55 V 61.8 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35.2 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK 8,310En existencias
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K89-100E/SOT1205/LFPAK56D 5,563En existencias
Min.: 1
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: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 13 A 61 mOhms, 61 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R0-40H/SOT669/LFPAK 2,958En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D 4,161En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D 3,456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.6 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K6R8-40E/SOT1205/LFPAK56D 2,946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5 mOhms, 5 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D 9,315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.66 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M12-60E/SOT1210/mLFPAK 12,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 54 A 12 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y9R9-80E/SOT669/LFPAK 19,303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51.6 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K18-40E/SOT1205/LFPAK56D 19,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M28-80E/SOT1210/mLFPAK 9,095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 33 A 25 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 16.7 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX3020NAKW-Q/SOT323/SC-70 1,643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 30 V 220 mA 3 Ohms 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y29-40E/SOT669/LFPAK 1,967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 22.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel