Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

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Resultados: 56

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

R6530KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/15.14
1,219En existencias

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R6530KNXC7G

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755-R6530KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET

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S/15.14

S/10.70

S/10.67

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Mult.: 1

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TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET

R6009ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/11.68
3,689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009ENXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6009ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET

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S/11.68

S/6.46

S/6.38

S/5.22

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 155 C

48 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

R6011KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/13.23
1,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6011KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6011KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET

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S/13.23

S/6.89

S/6.85

S/6.03

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET

R6015ENXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/15.41
3,431En existencias

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R6015ENXC7G

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755-R6015ENXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET

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S/15.41

S/8.76

S/8.33

S/6.85

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 155 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET

R6524KNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/12.65
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R6524KNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6524KNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET

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S/9.15

S/8.91

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Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET

R6010YND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/10.74
2,441En existencias
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R6010YND3TL1

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755-R6010YND3TL1

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S/6.93

S/4.98

S/4.16

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.59

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

R6038YNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/27.60
996En existencias
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R6038YNX3C16

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755-R6038YNX3C16

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S/27.60

S/20.40

S/16.50

S/14.67

S/12.96

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Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

348 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

R6038YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/22.77
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R6038YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6038YNXC7G

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ROHM Semiconductor

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S/22.77

S/17.24

S/13.94

S/12.38

S/10.94

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

R6038YNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/29.97
898En existencias
Nuevo producto

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R6038YNZ4C13

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755-R6038YNZ4C13

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S/29.97

S/20.44

S/14.67

S/14.64

S/14.60

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

R6502END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/6.62
3,477En existencias
Nuevo producto

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R6502END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6502END3TL1

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

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Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.79

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

1.7 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

R6010YNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/12.96
965En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R6010YNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6010YNX3C16

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

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S/12.96

S/8.45

S/6.46

S/5.41

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

R6010YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/11.37
996En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
R6010YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6010YNXC7G

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

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S/11.37

S/7.40

S/5.45

S/4.55

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover

R6002JND4TL1
ROHM Semiconductor
1: S/3.93
6,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6002JND4TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6002JND4TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover

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Cinta cortada

S/3.93

S/2.95

S/2.00

S/1.55

Ver

Envase tipo carrete

S/1.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

3.25 Ohms

- 30 V, 30 V

7 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

6.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover

R6003JND4TL1
ROHM Semiconductor
1: S/4.44
7,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6003JND4TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6003JND4TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover

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7,443En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.34

S/2.21

S/1.73

Ver

Envase tipo carrete

S/1.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

1.3 A

2.15 Ohms

- 20 V, 20 V

7 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch

R6003KND4TL1
ROHM Semiconductor
1: S/5.10
7,862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6003KND4TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6003KND4TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch

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7,862En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.18

S/2.11

S/1.65

Ver

Envase tipo carrete

S/1.30

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

1.3 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6004END4TL1
ROHM Semiconductor
1: S/4.87
7,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004END4TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6004END4TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

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7,383En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.30

S/2.50

S/1.96

Ver

Envase tipo carrete

S/1.60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

9.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch

R6006KND4TL1
ROHM Semiconductor
1: S/5.45
7,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6006KND4TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6006KND4TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

7,675En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.68

S/2.62

S/2.06

Ver

Envase tipo carrete

S/1.70

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.8 A

870 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

12.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET

R6014YND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/13.16
4,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6014YND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6014YND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

4,966En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/9.46

S/6.77

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.84

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

42 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 60A N-CH MOSFET

R6020YNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/17.87
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020YNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6020YNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 60A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

996En existencias

S/17.87

S/10.04

S/9.38

S/8.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

185 mOhms

- 20 V, 20 V

6 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

182 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

R6022YNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/15.06
1,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6022YNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6022YNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

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Hoja de datos

1,969En existencias

S/15.06

S/10.63

S/7.47

S/6.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

205 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET

R6022YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/15.96
994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6022YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6022YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

994En existencias

S/15.96

S/10.70

S/10.12

S/8.56

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

65 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET

R6022YNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/23.36
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6022YNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6022YNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

581En existencias

S/23.36

S/17.75

S/14.99

S/14.40

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

205 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

R6027YNX3C16
ROHM Semiconductor
1: S/16.74
1,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6027YNX3C16

N.º de artículo de Mouser
755-R6027YNX3C16

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

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Hoja de datos

1,951En existencias

S/16.74

S/11.76

S/11.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

81 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

R6027YNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/20.63
1,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6027YNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6027YNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.

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Hoja de datos

1,988En existencias

S/20.63

S/13.90

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

600 V

81 A

135 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET

R6061YNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/41.07
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6061YNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6061YNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

594En existencias

S/41.07

S/25.50

S/23.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

183 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

6 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.3 A
1.7 A
2.4 A
2.8 A
4 A
6 A
7 A
9 A
10 A
11 A
15 A
18 A
20 A
24 A
30 A
33 A
38 A
42 A
60 A

44 mOhms
60 mOhms
96 mOhms
130 mOhms
135 mOhms
140 mOhms
165 mOhms
185 mOhms
196 mOhms
205 mOhms
260 mOhms
290 mOhms
315 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
535 mOhms
585 mOhms
620 mOhms
665 mOhms
830 mOhms

6.5 nC
7 nC
8 nC
10 nC
12 nC
14.5 nC
15 nC
16.5 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
27.5 nC
28 nC
32 nC
33 nC
40 nC
45 nC
50 nC
56 nC

6.6 W
7.8 W
9.1 W
12.3 W
26 W
40 W
46 W
47 W
48 W
53 W
60 W
65 W
68 W
70 W
74 W
78 W
81 W
86 W
92 W
94 W