Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

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Resultados: 56

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET R6022YNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/ 29.08 569En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6022YNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6022YNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	569En existencias	S/ 29.08 S/ 15.22 S/ 14.01 S/ 12.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	600 V	66 A	165 mOhms	30 V	6 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	205 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET R6061YNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/ 45.74 584En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6061YNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6061YNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	584En existencias	S/ 45.74 S/ 25.11 S/ 24.99 S/ 24.80 S/ 23.16	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	183 A	60 mOhms	30 V	6 V	76 nC	- 55 C	+ 150 C	568 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET R6022YNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 21.06 974En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6022YNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6022YNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 66A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	974En existencias	S/ 21.06 S/ 10.98 S/ 10.00 S/ 8.95 Ver S/ 8.84 S/ 8.29	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	66 A	165 mOhms	30 V	6 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	65 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET R6086YNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/ 50.25 487En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6086YNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6086YNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	487En existencias	S/ 50.25 S/ 27.87 S/ 26.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247G-3	N-Channel	1 Channel	600 V	258 A	44 mOhms	30 V	6 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	781 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. R6022YNX3C16 ROHM Semiconductor 1: S/ 17.24 1,869En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6022YNX3C16 N.º de artículo de Mouser 755-R6022YNX3C16	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,869En existencias	S/ 17.24 S/ 8.84 S/ 8.02 S/ 6.58 Ver S/ 6.54 S/ 6.31	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	600 V	66 A	165 mOhms	30 V	6 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	205 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET R6014YND3TL1 ROHM Semiconductor 1: S/ 15.45 4,934En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6014YND3TL1 N.º de artículo de Mouser 755-R6014YND3TL1	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	4,934En existencias	Cinta cortada S/ 15.45 S/ 7.82 S/ 7.08 S/ 5.84 Envase tipo carrete S/ 5.45	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	600 V	42 A	260 mOhms	30 V	6 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET R6007KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 13.94 1,966En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6007KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6007KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,966En existencias	S/ 13.94 S/ 7.24 S/ 6.54 S/ 5.33 Ver S/ 5.18 S/ 4.94	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	620 mOhms	20 V	5 V	14.5 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET R6509KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 14.95 3,941En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6509KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6509KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	3,941En existencias	S/ 14.95 S/ 7.55 S/ 6.85 S/ 5.61 Ver S/ 5.53 S/ 5.25	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	9 A	585 mOhms	20 V	5 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET R6015KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 20.28 2,894En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6015KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6015KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	2,894En existencias	S/ 20.28 S/ 13.27 S/ 9.93 S/ 8.29 Ver S/ 7.55 S/ 7.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	15 A	290 mOhms	20 V	5 V	27.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET R6004ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 12.88 3,803En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6004ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6004ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	3,803En existencias	S/ 12.88 S/ 6.42 S/ 5.80 S/ 4.71 Ver S/ 4.44 S/ 4.24	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 155 C	40 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET R6507ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 8.21 1,970En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6507ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6507ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,970En existencias	S/ 8.21 S/ 4.98	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	665 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET R6030KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 28.73 2,430En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6030KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6030KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	2,430En existencias	S/ 28.73 S/ 15.38 S/ 14.09 S/ 12.53	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	130 mOhms	20 V	5 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	86 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET R6520ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 24.29 673En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6520ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6520ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	673En existencias	S/ 24.29 S/ 12.81 S/ 11.72 S/ 10.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	205 mOhms	20 V	4 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	68 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET R6006KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 13.43 1,961En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6006KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6006KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,961En existencias	S/ 13.43 S/ 6.85 S/ 6.19 S/ 5.02 Ver S/ 4.83 S/ 4.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	830 mOhms	20 V	5 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET R6009KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 14.95 1,257En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6009KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6009KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,257En existencias	S/ 14.95 S/ 7.55 S/ 6.85 S/ 5.61 Ver S/ 5.53 S/ 5.22	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	535 mOhms	20 V	5 V	16.5 nC	- 55 C	+ 150 C	48 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET R6515KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 18.96 3,933En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6515KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6515KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	3,933En existencias	S/ 18.96 S/ 9.77 S/ 8.91 S/ 7.32 S/ 7.28	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	315 mOhms	20 V	5 V	27.5 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 60A N-CH MOSFET R6020YNZ4C13 ROHM Semiconductor 1: S/ 28.34 600En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6020YNZ4C13 N.º de artículo de Mouser 755-R6020YNZ4C13	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 60A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	600En existencias	S/ 28.34 S/ 16.89 S/ 14.40 S/ 12.57 S/ 12.11	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	60 A	185 mOhms	20 V	6 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	182 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. R6086YNZC17 ROHM Semiconductor 1: S/ 81.66 600En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6086YNZC17 N.º de artículo de Mouser 755-R6086YNZC17	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	600En existencias	S/ 81.66 S/ 52.82 S/ 52.47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	600 V	33 A	44 mOhms	30 V	6 V	110 nC		+ 150 C	114 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET R6504KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 12.65 1,959En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6504KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6504KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,959En existencias	S/ 12.65 S/ 6.42 S/ 5.80 S/ 4.71 Ver S/ 4.44 S/ 4.24	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	4 A	1.05 Ohms	20 V	5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	40 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET R6520KNXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 22.77 1,608En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6520KNXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6520KNXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,608En existencias	S/ 22.77 S/ 11.95 S/ 10.90 S/ 9.30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	205 mOhms	20 V	5 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	68 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET R6524ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 25.11 1,992En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6524ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6524ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,992En existencias	S/ 25.11 S/ 13.31 S/ 12.14 S/ 10.51	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	185 mOhms	20 V	4 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET R6011ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 16.58 8,034En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6011ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6011ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	8,034En existencias	S/ 16.58 S/ 8.60 S/ 7.82 S/ 6.62 Ver S/ 6.54 S/ 6.15	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	390 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 155 C	53 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET R6030ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 30.05 3,955En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6030ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6030ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	3,955En existencias	S/ 30.05 S/ 16.58 S/ 15.22 S/ 13.74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	30 A	130 mOhms	20 V, 30 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 155 C	86 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET R6515ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 18.96 1,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6515ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6515ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	1,000En existencias	S/ 18.96 S/ 9.77 S/ 8.91 S/ 7.32 Ver S/ 7.28 S/ 7.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	315 mOhms	20 V, 30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET R6024ENXC7G ROHM Semiconductor 1: S/ 25.11 4,919En existencias	N.º de artículo del Fabricante R6024ENXC7G N.º de artículo de Mouser 755-R6024ENXC7G	ROHM Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm r60 r65 power mosfets	Hoja de datos	4,919En existencias	S/ 25.11 S/ 13.27 S/ 12.14 S/ 11.29 S/ 10.47	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	165 mOhms	20 V	4 V	70 nC	- 55 C	+ 155 C	74 W	Enhancement	Tube