Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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Resultados: 12

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/16.78
2,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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2,421En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/11.05

S/7.82

S/7.16

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/23.12
1,012En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

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511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,012En existencias

S/23.12

S/17.48

S/14.09

S/12.53

S/11.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/10.00
1,002En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,002En existencias

S/10.00

S/4.90

S/4.36

S/3.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.16
1,038En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N600K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,038En existencias

S/13.16

S/6.70

S/6.19

S/5.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
1: S/17.09
810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6

STMicroelectronics

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810En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/11.21

S/7.98

S/6.77

Envase tipo carrete

S/5.57

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/9.93
1,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N1K1K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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1,060En existencias

S/9.93

S/6.38

S/4.36

S/3.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N450K6
STMicroelectronics
1: S/19.07
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

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179En existencias

S/19.07

S/9.89

S/8.95

S/7.40

S/6.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.12
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N600K6

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511-STP80N600K6

STMicroelectronics

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S/13.12

S/6.66

S/6.11

S/4.98

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N240K6
STMicroelectronics
1: S/23.16
22En existencias
2,500Se espera el 31/05/2027

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STD80N240K6

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511-STD80N240K6

STMicroelectronics

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2,500Se espera el 31/05/2027

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S/23.16

S/15.45

S/11.95

S/10.08

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N240K6
STMicroelectronics
1: S/24.17
58En existencias
1,000Se espera el 1/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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58En existencias

1,000Se espera el 1/03/2027

S/24.17

S/12.96

S/11.87

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N340K6
STMicroelectronics
1,000: S/7.59
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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STP80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/7.59

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N900K6
STMicroelectronics
1: S/10.47
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N900K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N900K6

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/10.47

S/6.73

S/4.59

S/3.80

S/3.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

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