STP80N340K6

STMicroelectronics
511-STP80N340K6
STP80N340K6

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1000   Múltiples: 1000
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/7.59 S/7,590.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
800 V
12 A
340 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
- 55 C
+ 150 C
115 W
Enhancement
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 11 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4.9 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.