Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR470DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.01
27,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR470DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR470DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

27,782En existencias

Cinta cortada

S/14.01

S/9.15

S/6.70

S/5.45

Envase tipo carrete

S/5.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

155 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
1: S/15.34
1,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,764En existencias

Cinta cortada

S/15.34

S/10.04

S/7.40

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.80

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: S/5.33
121,750En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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121,750En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.31

S/2.16

S/1.66

Ver

Envase tipo carrete

S/1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A

FDMS86320
onsemi
1: S/10.32
6,594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS86320

N.º de artículo de Mouser
512-FDMS86320

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A

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Hoja de datos

6,594En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.64

S/3.15

Envase tipo carrete

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-56-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

FDP038AN06A0
onsemi
1: S/18.22
4,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDP038AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDP038AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

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4,709En existencias

S/18.22

S/9.42

S/8.52

S/8.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

PowerTrench

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A

IRFIZ48GPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.86
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFIZ48GPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFIZ48GPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A

Hoja de datos

8,807En existencias

S/13.86

S/7.08

S/6.42

S/5.80

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

37 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC050N04LS G
Infineon Technologies
1: S/5.41
5,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC050N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC050N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,116En existencias

Cinta cortada

S/5.41

S/3.32

S/2.19

S/1.72

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V

FDP060AN08A0
onsemi
1: S/13.58
3,069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDP060AN08A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDP060AN08A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V

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Hoja de datos

3,069En existencias

S/13.58

S/7.82

S/7.05

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

75 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

255 W

Enhancement

PowerTrench

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V

FDD10AN06A0
onsemi
1: S/10.70
8,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD10AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDD10AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V

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8,050En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.93

S/4.79

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4154DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.49
19,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4154DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4154DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

19,236En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/4.01

S/3.03

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

36 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

SI4456DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/11.33
2,803En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SI4456DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4456DY-T1-E3

Fin de vida útil

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

Hoja de datos

2,803En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.79

S/5.64

S/5.10

Envase tipo carrete

S/5.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

33 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3

NDB5060L
onsemi
1: S/13.20
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NDB5060L

N.º de artículo de Mouser
512-NDB5060L

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3

Hoja de datos

932En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/7.82

S/5.80

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

60 V

26 A

42 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

24 nC

- 65 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.34
7,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

7,260En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/3.74

S/2.61

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/10.24
6,006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM110NB04DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM110NB04DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

6,006En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.54

S/4.55

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

40 V

10 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.17
4,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM250NB06DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM250NB06DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,925En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/4.79

S/3.36

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

60 V

6 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.58
3,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,865En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.01

S/2.93

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

60 V

10 A

13 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

TQM300NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.23
4,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM300NB06DCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06DCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,667En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.56

S/2.86

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-6

N-Channel

2 Channel

60 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/7.59
3,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM033NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

3,901En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.90

S/3.73

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.07
4,924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

4,924En existencias

Cinta cortada

S/6.07

S/4.01

S/2.89

S/2.41

Envase tipo carrete

S/1.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.53
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

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Hoja de datos

5,000En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.55

S/2.63

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.25
4,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

4,196En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.18

S/2.30

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

TQM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/12.30
4,740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TQM025NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TQM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

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4,740En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/7.16

S/5.37

S/4.67

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56U-5

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

118 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench

FDB035AN06A0
onsemi
1: S/26.66
5,972En existencias
4,800Se espera el 28/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
FDB035AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDB035AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench

Hoja de datos

5,972En existencias

4,800Se espera el 28/07/2027

Cinta cortada

S/26.66

S/17.94

S/13.00

S/12.11

Envase tipo carrete

S/11.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
1: S/14.36
1,778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80NF55-06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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S/14.36

S/9.34

S/6.58

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.94

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

FDB050AN06A0
onsemi
1: S/13.00
4,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB050AN06A0

N.º de artículo de Mouser
512-FDB050AN06A0

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET

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S/13.00

S/8.49

S/5.92

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

245 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFETs for Seat Control

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

6 A
7 A
10 A
12 A
15 A
22 A
23 A
24 A
26 A
32 A
33 A
35 A
36 A
37 A
39 A
40 A
41 A
42 A
45 A
47 A

800 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms
5.4 mOhms
6 mOhms
6.5 mOhms
6.7 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
7.2 mOhms
7.4 mOhms

9.1 nC
10 nC
12 nC
12.5 nC
18 nC
20 nC
24 nC
25 nC
26 nC
28 nC
37 nC
40 nC
41 nC
42 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48 nC
50.8 nC
56 nC

2.5 W
3.1 W
7.8 W
32 W
35 W
48 W
50 W
56 W
57 W
60 W
66 W
68 W
69 W
83 W
89 W
93 W
94 W
104 W
107 W
117 W