Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET
RSQ020N03HZGTR
ROHM Semiconductor
1:
S/3.58
3,000 Se espera el 12/05/2026
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755-RSQ020N03HZGTR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET
3,000 Se espera el 12/05/2026
1
S/3.58
10
S/2.25
100
S/1.48
500
S/1.14
3,000
S/0.872
6,000
Ver
1,000
S/1.06
6,000
S/0.817
9,000
S/0.712
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-457T-6
N-Channel
1 Channel
30 V
2 A
134 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.
AG042FGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
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S/9.03
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755-AG042FGS4FRATCB
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1
S/9.03
10
S/5.76
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S/3.93
500
S/3.28
3,000
S/2.67
6,000
Ver
1,000
S/2.88
6,000
S/2.58
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Si
SMD/SMT
HPLF-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.4 mOhms
20 V
2.5 V
19.1 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.
AG050FPS4FRATCB
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755-AG050FPS4FRATCB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems.
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3,000
S/5.02
6,000
S/4.98
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Si
SMD/SMT
HPLF-5
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
5.5 mOhms
20 V
2.5 V
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- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
AG097FPD3HRBTL
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755-AG097FPD3HRBTL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
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2,500
S/2.02
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S/1.83
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S/1.81
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Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
100 V
36 A
30 mOhms
20 V
2.5 V
9.1 nC
- 55 C
+ 175 C
53 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
AG140FGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
3,000:
S/4.98
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755-AG140FGS4FRATCB
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
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Si
SMD/SMT
HPLF-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
1.4 mOhms
20 V
4 V
72 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
AG142FGS4FRATCB
ROHM Semiconductor
3,000:
S/2.70
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755-AG142FGS4FRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
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3,000
S/2.70
6,000
S/2.61
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si
SMD/SMT
HPLF-5
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
4.5 mOhms
20 V
4 V
19.1 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
AG184FGD3HRBTL
ROHM Semiconductor
2,500:
S/4.90
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N.º de artículo de Mouser
755-AG184FGD3HRBTL
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for Automotive Systems
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2,500
S/4.90
5,000
S/4.87
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
2.3 mOhms
20 V
4 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
142 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
R8002ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
1,000:
S/4.52
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N.º de artículo de Mouser
755-R8002ANJFRGTL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK); LPTS
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
1,000
S/4.52
2,000
S/4.20
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263S-3
N-Channel
1 Channel
800 V
2 A
4.3 Ohms
- 30 V, 30 V
5 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
62 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
RD3H045SPFRATL
ROHM Semiconductor
1:
S/7.71
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N.º de artículo de Mouser
755-RD3H045SPFRATL
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
S/7.71
10
S/4.90
100
S/3.31
500
S/2.63
2,500
S/2.17
5,000
Ver
1,000
S/2.42
5,000
S/2.01
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
P-Channel
1 Channel
45 V
4.5 A
155 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
15 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.
RH7L04BBJFRATCB
ROHM Semiconductor
3,000:
S/2.69
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
755-RH7L04BBJFRATCB
Nuevo producto
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
3,000
S/2.69
6,000
S/2.58
9,000
S/2.54
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Si
SMD/SMT
DFN-8
P-Channel
1 Channel
60 V
40 A
24 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
50 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V Vds -2A 0.18Rds(on) 4.9Qg
RTL020P02FRATR
ROHM Semiconductor
1:
S/2.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
755-RTL020P02FRATR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -20V Vds -2A 0.18Rds(on) 4.9Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
S/2.61
10
S/1.62
100
S/1.04
500
S/0.79
3,000
S/0.603
6,000
Ver
1,000
S/0.708
6,000
S/0.549
9,000
S/0.475
24,000
S/0.459
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363T-6
P-Channel
1 Channel
20 V
2 A
135 mOhms
- 12 V, 12 V
2 V
4.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 3.5A 0.056Rds(on) 4.6Qg
RTL035N03FRATR
ROHM Semiconductor
1:
S/2.61
Plazo de entrega 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
755-RTL035N03FRATR
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 3.5A 0.056Rds(on) 4.6Qg
Plazo de entrega 16 Semanas
1
S/2.61
10
S/1.60
100
S/1.03
500
S/0.782
3,000
S/0.596
6,000
Ver
1,000
S/0.701
6,000
S/0.545
9,000
S/0.471
24,000
S/0.455
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363T-6
N-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
56 mOhms
- 12 V, 12 V
1.5 V
4.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
RHU003N03FRAT106
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RHU003N03FRAT106
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
UMT-3
N-Channel
1 Channel
30 V
300 mA
800 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vds -6A 0.038Rds(on) 23Qg
RSS060P05FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-RSS060P05FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -45V Vds -6A 0.038Rds(on) 23Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
P-Channel
1 Channel
45 V
6 A
36 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
SP8K22FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K22FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
2 Channel
45 V
4.5 A
46 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
6.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg
SP8K24FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K24FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 45V Vds 6A 0.036Rds(on) 15.4Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
2 Channel
45 V
6 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15.4 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg
SP8K31FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K31FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
2 Channel
60 V
3.5 A
120 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
3.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
SP8M5FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-SP8M5FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
6 A, 7 A
28 mOhms, 30 mOhms
- 10 V, 10 V
2.5 V, 2.5 V
7.2 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8
SP8M6FRATB
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-SP8M6FRATB
NRND
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 30V Vds 5A 3.9Qg SOP8
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Detalles
Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
30 V
5 A, 3.5 A
51 mOhms, 90 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V, 2.5 V
3.9 nC, 5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel