Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Resultados: 79

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6

XP4062CMT
YAGEO XSemi
1: S/3.15
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4062CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4062CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.97

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

58 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6

XP4064CMT
YAGEO XSemi
1: S/3.66
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4064CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4064CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.28

S/1.48

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8

XP4459M
YAGEO XSemi
1: S/2.65
2,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4459M

N.º de artículo de Mouser
603-XP4459M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8

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2,929En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.63

S/1.05

S/0.794

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

11.3 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3

XP4459YT
YAGEO XSemi
1: S/3.00
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4459YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4459YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.596

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

12.7 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

3.13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6

XP4N2R1MT
YAGEO XSemi
1: S/5.88
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4N2R1MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N2R1MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.73

S/2.48

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

170 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6

XP4N2R5MT
YAGEO XSemi
1: S/4.71
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4N2R5MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N2R5MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

125 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252

XP4N4R2H
YAGEO XSemi
1: S/3.74
2,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4N4R2H

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N4R2H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252

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Hoja de datos

2,999En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.891

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

XP60PN72REN
YAGEO XSemi
1: S/1.60
5,117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60PN72REN

N.º de artículo de Mouser
603-XP60PN72REN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

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Hoja de datos

5,117En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.00

S/0.634

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53 mA

72 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM

XP65SL190DI
YAGEO XSemi
1: S/13.12
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL190DI

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL190DI

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM

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855En existencias

S/13.12

S/6.03

S/5.49

S/4.79

S/4.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T

XP6NA2R4IT
YAGEO XSemi
1: S/10.12
988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA2R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA2R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T

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Hoja de datos

988En existencias

S/10.12

S/5.02

S/4.48

S/3.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T

XP6NA3R5IT
YAGEO XSemi
1: S/6.54
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R5IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R5IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T

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Hoja de datos

996En existencias

S/6.54

S/3.07

S/2.47

S/2.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

72 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
1: S/4.20
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R5H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R5H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

66 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

XP70SL1K4AH
YAGEO XSemi
1: S/4.71
2,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP70SL1K4AH

N.º de artículo de Mouser
603-XP70SL1K4AH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

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Hoja de datos

2,987En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.95

S/1.95

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

700 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

XP10TN135N
YAGEO XSemi
1: S/1.63
22En existencias
3,000Se espera el 3/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135N

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

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Hoja de datos

22En existencias

3,000Se espera el 3/03/2026

Cinta cortada

S/1.63

S/1.16

S/0.724

S/0.498

Envase tipo carrete

S/0.339

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S

XP2N075EN
YAGEO XSemi
1: S/0.973
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2N075EN

N.º de artículo de Mouser
603-XP2N075EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/0.973

S/0.588

S/0.37

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.214

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3.5 A

75 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S

XP2P052N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P052N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P052N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.214

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

52 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

XP2P053N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P053N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P053N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,399En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.214

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

53 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700YT
YAGEO XSemi
1: S/2.26
890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Hoja de datos

890En existencias

Cinta cortada

S/2.26

S/1.40

S/0.891

S/0.673

Envase tipo carrete

S/0.475

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6.1 A, 8.7 A

20 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S

XP3N028EN
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N028EN

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N028EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,551En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.743

S/0.467

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.218

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.4 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S

XP3N035N
YAGEO XSemi
1: S/1.17
2,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N035N

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N035N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,870En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.724

S/0.455

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.245

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S

XP3N045EN
YAGEO XSemi
1: S/1.21
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N045EN

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N045EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.743

S/0.467

S/0.346

Envase tipo carrete

S/0.257

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.3 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 9A SOT-23S

XP3P055N
YAGEO XSemi
1: S/1.17
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P055N

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603-XP3P055N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 9A SOT-23S

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Cinta cortada

S/1.17

S/0.728

S/0.455

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.245

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.9 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S

XP3P080N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,990En existencias

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XP3P080N

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603-XP3P080N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.249

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.2 A

60 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S

XP4P090N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4P090N

N.º de artículo de Mouser
603-XP4P090N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

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S/0.249

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

XP60PN72RLEN
YAGEO XSemi
1: S/1.67
1,542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60PN72RLEN

N.º de artículo de Mouser
603-XP60PN72RLEN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

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1,542En existencias

Cinta cortada

S/1.67

S/1.14

S/0.705

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53 mA

72 Ohms

- 20 V, 20 V

2.6 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.5 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC