Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Resultados: 79

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8

XP3P050AM
YAGEO XSemi
1: S/1.79
2,845En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P050AM

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P050AM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8

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Hoja de datos

2,845En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/1.10

S/0.895

S/0.708

Envase tipo carrete

S/0.362

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

5.8 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

XP3P3R0MT
YAGEO XSemi
1: S/8.06
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P3R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P3R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

1,990En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/4.98

S/3.29

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

33.5 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8

XP4024EM
YAGEO XSemi
1: S/3.08
2,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4024EM

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024EM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8

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2,550En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18.5 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6

XP4024GEMT
YAGEO XSemi
1: S/3.08
2,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4024GEMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4024GEMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,994En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.938

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6

XP4062CMT
YAGEO XSemi
1: S/3.39
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4062CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4062CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.36

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.759

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

58 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6

XP4064CMT
YAGEO XSemi
1: S/3.89
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4064CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4064CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.44

S/1.59

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.923

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8

XP4459M
YAGEO XSemi
1: S/2.80
2,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4459M

N.º de artículo de Mouser
603-XP4459M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8

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Hoja de datos

2,922En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.74

S/1.12

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

11.3 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3

XP4459YT
YAGEO XSemi
1: S/3.00
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4459YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4459YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3

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Hoja de datos

2,995En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

12.7 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

3.13 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252

XP4N4R2H
YAGEO XSemi
1: S/3.74
2,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4N4R2H

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N4R2H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252

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Hoja de datos

2,976En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.33

S/1.52

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.915

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

XP60PN72REN
YAGEO XSemi
1: S/1.63
5,087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60PN72REN

N.º de artículo de Mouser
603-XP60PN72REN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23

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Hoja de datos

5,087En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/1.00

S/0.634

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.331

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

600 V

53 mA

72 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T

XP6NA3R5IT
YAGEO XSemi
1: S/7.01
996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R5IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R5IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T

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Hoja de datos

996En existencias

S/7.01

S/3.30

S/2.62

S/2.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

72 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
1: S/4.52
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R5H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R5H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

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Hoja de datos

748En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.85

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

66 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

XP10NA011J
YAGEO XSemi
1: S/4.59
251En existencias
4,000Se espera el 28/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011J

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011J

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

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Hoja de datos

251En existencias

4,000Se espera el 28/12/2026

S/4.59

S/1.97

S/1.67

S/1.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

XP10TN135K
YAGEO XSemi
1: S/2.69
74En existencias
3,000Se espera el 8/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135K

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135K

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223

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Hoja de datos

74En existencias

3,000Se espera el 8/12/2026

Cinta cortada

S/2.69

S/1.77

S/1.12

S/0.743

S/0.627

Envase tipo carrete

S/0.436

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

3 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S

XP2N075EN
YAGEO XSemi
1: S/1.05
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2N075EN

N.º de artículo de Mouser
603-XP2N075EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.631

S/0.393

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.21

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

20 V

3.5 A

75 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

XP2P038N
YAGEO XSemi
1: S/1.56
1,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P038N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P038N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

1,564En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.961

S/0.603

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.331

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S

XP2P052N
YAGEO XSemi
1: S/1.28
2,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P052N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P052N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,400En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.786

S/0.494

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.249

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

52 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

XP2P053N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2P053N

N.º de artículo de Mouser
603-XP2P053N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,369En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.214

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.2 A

53 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700YT
YAGEO XSemi
1: S/2.41
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

Obtenga más información

Hoja de datos

736En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.545

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

6.1 A, 8.7 A

20 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

5 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S

XP3N028EN
YAGEO XSemi
1: S/1.28
2,521En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N028EN

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N028EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,521En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.794

S/0.498

S/0.444

Envase tipo carrete

S/0.253

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.4 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S

XP3N035N
YAGEO XSemi
1: S/1.28
2,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N035N

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N035N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S

Obtenga más información

Hoja de datos

2,870En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.775

S/0.487

S/0.358

Envase tipo carrete

S/0.261

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

35 mOhms

- 8 V, 8 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S

XP3N045EN
YAGEO XSemi
1: S/1.28
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N045EN

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603-XP3N045EN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S

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Cinta cortada

S/1.28

S/0.794

S/0.498

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.339

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

N-Channel

1 Channel

30 V

4.3 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89

XP3P050AG
YAGEO XSemi
1: S/1.75
931En existencias
2,000Se espera el 27/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP3P050AG

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P050AG

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -4. 1A SOT-89

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931En existencias

2,000Se espera el 27/10/2026

Cinta cortada

S/1.75

S/1.08

S/0.681

S/0.611

Envase tipo carrete

S/0.452

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

SOT-89-3

P-Channel

1 Channel

30 V

4.1 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S

XP3P080N
YAGEO XSemi
1: S/1.21
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P080N

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P080N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S

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2,990En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.736

S/0.459

S/0.343

Envase tipo carrete

S/0.249

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.2 A

60 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S

XP4P090N
YAGEO XSemi
1: S/1.28
2,569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4P090N

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603-XP4P090N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S

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2,569En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.786

S/0.494

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.249

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23S-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC