Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Resultados: 79

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
1: S/19.62
1,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA1R5TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA1R5TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

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1,858En existencias

Cinta cortada

S/19.62

S/13.04

S/9.30

S/8.84

S/8.25

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

347 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
1: S/7.63
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N1R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.27

S/2.67

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

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245 A

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- 20 V, 20 V

900 mV

75 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: S/7.47
2,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

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Hoja de datos

2,972En existencias

Cinta cortada

S/7.47

S/4.79

S/3.20

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-252-3/2

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1 Channel

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126 A

3 mOhms

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70 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

XP3832CMT
YAGEO XSemi
1: S/7.75
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3832CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3832CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

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2,997En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PMPAK-8

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2 Channel

30 V

27 A

5 mOhms

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2.2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

2.27 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
1: S/9.30
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4NAR95CMT-A

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NAR95CMT-A

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6

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2,989En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.73

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PMPAK-8

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1: S/8.68
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL380DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1: S/10.20
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

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2,995En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.48

S/3.59

S/3.32

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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PMPAK-8

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1 Channel

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190 A

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100 nC

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+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1: S/20.82
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA1R2TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

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1,984En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/13.86

S/9.89

S/8.80

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

400 A

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- 20 V, 20 V

5 V

265 nC

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+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700MT
YAGEO XSemi
1: S/2.57
5,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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5,390En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.59

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 11 A

18 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V, 2 V

5.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
1: S/7.59
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R5XT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R5XT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

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Hoja de datos

2,995En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

XP4NA1R4CMT-A
YAGEO XSemi
1: S/6.93
2,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4NA1R4CMT-A

N.º de artículo de Mouser
603-XP4NA1R4CMT-A

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,999En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.44

S/2.96

S/2.34

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

45 V

223 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
1: S/4.20
2,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA6R5H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA6R5H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

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Hoja de datos

2,968En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.64

S/1.73

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

66 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

XP70SL1K4AH
YAGEO XSemi
1: S/5.02
2,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP70SL1K4AH

N.º de artículo de Mouser
603-XP70SL1K4AH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

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Hoja de datos

2,972En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.08

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

700 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8

XP3P7R0EM
YAGEO XSemi
1: S/4.32
2,770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P7R0EM

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P7R0EM

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -15 .5A SO-8

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Hoja de datos

2,770En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.78

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

P-Channel

1 Channel

30 V

15.5 A

7 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6

XP4N2R1MT
YAGEO XSemi
1: S/6.31
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP4N2R1MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP4N2R1MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.65

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

170 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

XP60SA290DH
YAGEO XSemi
1: S/9.26
2,846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA290DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SA290DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

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Hoja de datos

2,846En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.05

S/3.31

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

600 V

13.3 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM

XP65SL190DI
YAGEO XSemi
1: S/13.12
785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL190DI

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL190DI

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM

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Hoja de datos

785En existencias

S/13.12

S/6.62

S/5.72

S/5.10

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1: S/9.30
1,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8P

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8P

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

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Hoja de datos

1,744En existencias

S/9.30

S/4.55

S/3.84

S/3.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

132 A

3.88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: S/5.06
2,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

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Hoja de datos

2,697En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

XP60SL115DR
YAGEO XSemi
1: S/17.36
999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60SL115DR

N.º de artículo de Mouser
603-XP60SL115DR

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262

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Hoja de datos

999En existencias

S/17.36

S/8.95

S/8.10

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T

XP6NA2R4IT
YAGEO XSemi
1: S/10.20
988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA2R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA2R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T

Obtenga más información

Hoja de datos

988En existencias

S/10.20

S/5.02

S/4.48

S/3.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

60 V

93 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

XP3P3R0MT
YAGEO XSemi
1: S/6.07
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3P3R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3P3R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6

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S/2.57

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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

P-Channel

1 Channel

30 V

33.5 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6

XP4N2R5MT
YAGEO XSemi
1: S/5.06
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XP4N2R5MT

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603-XP4N2R5MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6

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S/5.06

S/3.16

S/2.09

S/1.62

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S/1.30

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SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

125 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
1: S/10.67
3,000En existencias

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XP8NA2R2CXT

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603-XP8NA2R2CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X

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: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

80 V

168 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
1: S/9.61
1,000En existencias

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XP10N3R8IT

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603-XP10N3R8IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T

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S/9.61

S/4.71

S/4.20

S/3.38

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Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

67.7 A

3.88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC