Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Resultados: 79

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700MT
YAGEO XSemi
1: S/2.57
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Hoja de datos

6,000En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.59

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.572

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7.3 A, 11 A

18 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V, 2 V

5.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

XP10NA011J
YAGEO XSemi
1: S/4.59
6,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011J

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011J

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251

Obtenga más información

Hoja de datos

6,679En existencias

S/4.59

S/1.97

S/1.67

S/1.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
1: S/19.62
1,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA1R5TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA1R5TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL

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Hoja de datos

1,870En existencias

Cinta cortada

S/19.62

S/13.04

S/9.30

S/8.84

S/8.25

Envase tipo carrete

S/8.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

347 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

XP3832CMT
YAGEO XSemi
1: S/7.75
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3832CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3832CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P

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Hoja de datos

2,997En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

2 Channel

30 V

27 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

2.27 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
1: S/7.63
2,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3N1R0MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP3N1R0MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6

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Hoja de datos

2,970En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.27

S/2.67

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

30 V

245 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

900 mV

75 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1: S/8.68
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL380DH

N.º de artículo de Mouser
603-XP65SL380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.61

S/3.79

S/3.02

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
1: S/12.14
2,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA1R4CXT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R4CXT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X

Obtenga más información

Hoja de datos

2,960En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.86

S/5.45

S/4.40

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1: S/9.54
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA1R7CMT

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,995En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: S/7.01
2,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP6NA3R0H

N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

Obtenga más información

Hoja de datos

2,972En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.36

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

126 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1: S/20.82
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP8NA1R2TL

N.º de artículo de Mouser
603-XP8NA1R2TL

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL

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Hoja de datos

1,984En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/13.86

S/9.89

S/8.80

S/8.76

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

400 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

265 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

XP10C150M
YAGEO XSemi
1: S/3.19
2,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10C150M

N.º de artículo de Mouser
603-XP10C150M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1

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Hoja de datos

2,958En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.751

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel, P-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

150 mOhms, 160 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

11 nC, 32 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
1: S/7.59
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R5XT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R5XT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X

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Hoja de datos

2,995En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.25

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1: S/9.30
1,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10N3R8P

N.º de artículo de Mouser
603-XP10N3R8P

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

1,758En existencias

S/9.30

S/4.55

S/3.84

S/3.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

132 A

3.88 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: S/5.06
2,697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA011H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

Obtenga más información

Hoja de datos

2,697En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1: S/6.23
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10NA8R4IT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10NA8R4IT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T

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Hoja de datos

967En existencias

S/6.23

S/2.93

S/2.36

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220CFM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

1.92 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

XP10TN028YT
YAGEO XSemi
1: S/3.81
2,670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN028YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN028YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3

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Hoja de datos

2,670En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.39

S/1.55

S/1.33

Envase tipo carrete

S/0.864

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7.5 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

3.125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

XP10TN135H
YAGEO XSemi
1: S/2.53
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135H

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

Obtenga más información

Hoja de datos

2,925En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.55

S/0.996

S/0.751

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

8.1 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

XP10TN135N
YAGEO XSemi
1: S/2.53
2,995En existencias
3,000Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
XP10TN135N

N.º de artículo de Mouser
603-XP10TN135N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

2,995En existencias

3,000Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/2.53

S/1.67

S/1.06

S/0.767

Envase tipo carrete

S/0.339

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

3 A

135 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

XP1504MT
YAGEO XSemi
1: S/3.46
2,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504MT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504MT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,985En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/2.16

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

150 V

15.8 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

XP1504YT
YAGEO XSemi
1: S/3.39
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP1504YT

N.º de artículo de Mouser
603-XP1504YT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.37

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.798

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel

1 Channel

150 V

15.8 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.12 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

XP2344GN
YAGEO XSemi
1: S/1.60
2,811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2344GN

N.º de artículo de Mouser
603-XP2344GN

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23

Obtenga más información

Hoja de datos

2,811En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/0.977

S/0.615

S/0.459

Envase tipo carrete

S/0.343

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.4 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

XP2N1K2EN1
YAGEO XSemi
1: S/0.973
9,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP2N1K2EN1

N.º de artículo de Mouser
603-XP2N1K2EN1

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723

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Cinta cortada

S/0.973

S/0.603

S/0.378

S/0.276

Envase tipo carrete

S/0.14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

200 mA

1.2 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

XP2P038N
YAGEO XSemi
1: S/1.48
2,839En existencias

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XP2P038N

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603-XP2P038N

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23

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Cinta cortada

S/1.48

S/0.899

S/0.564

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.311

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

5 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3700M
YAGEO XSemi
1: S/2.34
2,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP3700M

N.º de artículo de Mouser
603-XP3700M

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Cinta cortada

S/2.34

S/1.43

S/0.911

S/0.833

Envase tipo carrete

S/0.487

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

5.5 A, 7.8 A

20 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

5 nC, 5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

XP3C023AMT
YAGEO XSemi
1: S/3.81
1,554En existencias

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XP3C023AMT

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603-XP3C023AMT

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30

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Cinta cortada

S/3.81

S/2.37

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.86

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PMPAK-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

12 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

3.57 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

53 mA
200 mA
1.6 A
2.5 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.9 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.4 A
5.5 A, 7.8 A
5.8 A
6.1 A, 8.7 A
6.4 A
7.3 A, 11 A

950 uOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.4 mOhms
1.45 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.4 mOhms
2.55 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.88 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5 mOhms

700 pC
2.3 nC
2.5 nC
5 nC
5 nC, 5.8 nC
5 nC, 6 nC
5.2 nC, 6 nC
5.3 nC
5.5 nC
6.5 nC
7.2 nC
8.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11 nC, 32 nC
12 nC
14 nC
14.5 nC