Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Resultados: 68

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L011ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
2,472En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L011ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L011ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,472En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.95

Ver

Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

222 A

1.13 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L028ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.19
3,372En existencias
10,000Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L028ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L028ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3,372En existencias

10,000Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/6.19

S/3.85

S/2.54

S/1.99

Ver

Envase tipo carrete

S/1.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.82 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N005ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
131En existencias
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N005ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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131En existencias

30,000En pedido

Cinta cortada

S/13.12

S/8.52

S/5.88

S/4.87

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Envase tipo carrete

S/4.28

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

40 V

414 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N006ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.99
148En existencias
55,000Se espera el 6/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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148En existencias

55,000Se espera el 6/05/2027

Cinta cortada

S/11.99

S/7.75

S/5.37

S/4.52

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Envase tipo carrete

S/3.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N009ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.34
213En existencias
65,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N009ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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213En existencias

65,000En pedido

Cinta cortada

S/9.34

S/5.96

S/4.01

S/3.23

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Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

960 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

129 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L005ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
66En existencias
10,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L005ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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10,000Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/13.12

S/8.52

S/5.88

S/4.87

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

430 A

520 uOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

109 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7N046ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
96En existencias
10,000Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7N046ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7N046ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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96En existencias

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Cinta cortada

S/9.73

S/5.57

S/4.20

S/3.37

Ver

Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

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20 V

3.2 V

27.2 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
2En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L025ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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2En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/7.20

S/4.44

S/2.92

S/2.30

Ver

Envase tipo carrete

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L053DATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
40,042En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L053DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L053DAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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40,042En pedido

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.14

S/2.49

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Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N004ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.69
114,063En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N004ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N004ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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114,063En pedido

Cinta cortada

S/15.69

S/10.28

S/7.20

S/5.96

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

40 V

518 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.42
121,199En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N030ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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121,199En pedido

Cinta cortada

S/6.42

S/3.47

S/2.58

S/2.08

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.02 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

IAUCN08S7N013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
43,608Se espera el 29/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N013ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

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Hoja de datos

43,608Se espera el 29/04/2027

Cinta cortada

S/20.09

S/10.35

S/9.42

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

274 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N016TATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
29,372En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N016TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N016TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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Hoja de datos

29,372En pedido

Cinta cortada

S/19.03

S/12.22

S/9.11

S/7.63

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

80 V

262 A

1.63 mOhms

20 V

3.2 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L004ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.69
10,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L004ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L004ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

10,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/15.69

S/10.28

S/7.20

S/5.96

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

532 A

590 uOhms

1.5 V

146 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7N024HATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.24
4,970En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N024HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Hoja de datos

4,970En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/5.49

S/4.52

S/3.66

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

129 A

2.46 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N040DATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
5,271En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N040DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040DAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,271En pedido

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.43

S/2.72

Ver

Envase tipo carrete

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N056DATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
20,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N056DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N056DAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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20,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/7.51

S/4.75

S/3.14

S/2.49

Ver

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
4,993Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

4,993Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/6.11

S/3.29

S/2.44

S/1.97

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

97 A

3.25 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
41 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
88 W
94 W
96 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W