Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.89
232En existencias
5,000Se espera el 5/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L050HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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232En existencias

5,000Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/6.89

S/4.40

S/2.92

S/2.35

Ver

Envase tipo carrete

S/1.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

65 A

5.04 mOhms

20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L053DATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
29En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L053DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L053DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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29En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.34

Ver

Envase tipo carrete

S/1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.00
218En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N030ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

218En existencias

25,000En pedido

Cinta cortada

S/3.00

S/2.13

S/2.02

S/1.75

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.02 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
43En existencias
5,000Se espera el 16/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N054HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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43En existencias

5,000Se espera el 16/07/2026

Cinta cortada

S/7.01

S/4.40

S/2.92

S/2.35

Ver

Envase tipo carrete

S/1.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

IAUCN08S7N013ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N013ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

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Hoja de datos

Plazo de entrega 26 Semanas

Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/8.10

S/7.28

S/7.08

Envase tipo carrete

S/5.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

274 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N008AUMA1
Infineon Technologies
1: S/11.64
4,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N008AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N008AUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.57

S/4.67

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-2

N-Channel

1 Channel

40 V

290 A

820 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N004ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.70
1,900Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N004ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N004ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,900Se espera el 18/03/2026

Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.66

S/5.64

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

40 V

518 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N006TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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10,000En pedido

Cinta cortada

S/13.78

S/9.03

S/6.73

S/5.72

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

770 uOhms

20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
313En existencias
25,000Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

313En existencias

25,000Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.74

S/2.20

Ver

Envase tipo carrete

S/1.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

173 A

1.53 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N024DATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.61
5,000Se espera el 26/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N024DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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5,000Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/9.61

S/6.15

S/4.20

S/3.48

Ver

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
82 A
84 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A
139 A
144 A
154 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
42 nC
44.3 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
58 W
65 W
75 W
83 W
88 W
94 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W
149 W
157 W
164 W
169 W