Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

IAUAN04S7N004AUMA1
Infineon Technologies
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726-IAUAN04S7N004AUM

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S/17.28

S/11.33

S/8.49

S/7.55

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N005AUMA1
Infineon Technologies
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2,237En existencias
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S/14.87

S/9.69

S/7.59

S/6.38

S/5.96

Envase tipo carrete

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N006AUMA1
Infineon Technologies
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S/13.62

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S/6.81

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S/5.33

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Enhancement

OptiMOS

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IAUAN04S7N007AUMA1
Infineon Technologies
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S/11.05

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S/4.71

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OptiMOS

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S/11.21

S/7.20

S/5.14

S/4.32

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/4.79

S/3.21

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S/4.36

S/2.93

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Infineon Technologies
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S/7.36

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OptiMOS

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Infineon Technologies
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S/6.07

S/4.13

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Enhancement

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Infineon Technologies
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18,229En existencias
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IAUCN04S7N006ATMA1

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S/10.55

S/6.81

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S/3.75

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N009ATMA1
Infineon Technologies
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22,900En existencias

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IAUCN04S7N009ATMA1

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726-IAUCN04S7N009ATM

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S/8.52

S/5.49

S/3.71

S/2.96

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S/2.32

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L004ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L004ATMA1

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726-IAUCN04S7L004ATM

Infineon Technologies

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S/13.66

S/8.95

S/6.23

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S/4.40

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L005ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
4,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L005ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L005ATM

Infineon Technologies

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S/11.29

S/7.32

S/5.06

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.62

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

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1 Channel

40 V

430 A

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1.5 V

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+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L006ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
3,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L006ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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3,448En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.59

S/3.67

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Envase tipo carrete

S/3.00

MouseReel Disponible

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1 Channel

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L009ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
5,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L009ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Cinta cortada

S/5.64

S/4.01

S/3.16

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.41

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

275 A

910 uOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

129 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L011ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.55
4,168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L011ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L011ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Cinta cortada

S/4.55

S/3.14

S/2.51

S/2.42

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

40 V

222 A

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1.5 V

49 nC

- 55 C

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.50
5,371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L014ATM

Infineon Technologies

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5,371En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.67

S/2.19

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

40 V

179 A

1.43 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

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+ 175 C

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L019ATMA1
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26,297En existencias
65,000En pedido

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IAUCN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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65,000En pedido

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S/6.19

S/3.89

S/2.58

S/2.04

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Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

144 A

1.92 mOhms

- 16 V, 16 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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13,143En existencias

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S/3.11

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S/1.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TDSON-8

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1 Channel

40 V

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1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

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- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.96
7,344En existencias
45,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N020ATM

Infineon Technologies

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S/5.96

S/3.78

S/2.51

S/1.97

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

139 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L028ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
2,375En existencias
10,000Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L028ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L028ATM

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S/5.29

S/3.32

S/2.20

S/1.77

Ver

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.82 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
216En existencias
5,000Se espera el 28/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L012ATM

Nuevo producto

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S/7.01

S/4.44

S/2.98

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

199 A

1.25 mOhms

16 V

1.8 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
344En existencias
5,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

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IAUZN04S7L025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L025ATM

Nuevo producto

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S/5.25

S/3.32

S/2.20

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.56 mOhms

16 V

1.8 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
82 A
84 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A
139 A
144 A
154 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
42 nC
44.3 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
58 W
65 W
75 W
83 W
88 W
94 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W
149 W
157 W
164 W
169 W