Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

IAUCN08S7N045TATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.41
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IAUCN08S7N045TATMA1

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726-IAUCN08S7N045TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

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S/11.41

S/7.36

S/5.06

S/4.13

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S/3.60

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103 A

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3.2 V

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+ 175 C

98 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N005GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
3,798En existencias
Nuevo producto

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IAUMN04S7N005GAUMA1

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726-IAUMN04S7N005GAU

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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S/13.12

S/9.07

S/7.75

S/7.47

S/7.36

Envase tipo carrete

S/7.36

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
4,768En existencias
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IAUZN04S7L012ATMA1

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726-IAUZN04S7L012ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.84

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Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L030ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
20,000En existencias
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IAUZN04S7L030ATMA1

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726-IAUZN04S7L030ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/5.64

S/2.64

S/2.35

S/1.83

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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4,559En existencias
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IAUZN10S7L289ATMA1

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726-IAUZN10S7L289ATM

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S/3.30

S/2.18

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7N078ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
6,507En existencias
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IAUZN10S7N078ATMA1

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726-IAUZN10S7N078ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/8.87

S/4.32

S/3.86

S/3.07

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Envase tipo carrete

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N008AUMA1
Infineon Technologies
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17,600En existencias

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IAUAN04S7N008AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N008AUM

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S/12.65

S/8.21

S/5.80

S/4.83

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Infineon Technologies
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55,842En existencias
35,000Se espera el 8/10/2026

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IAUCN04S7L019ATMA1

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726-IAUCN04S7L019ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.17

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Envase tipo carrete

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N020ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
65,000En existencias
45,000Se espera el 25/08/2026

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IAUCN04S7N020ATMA1

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726-IAUCN04S7N020ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.17

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Envase tipo carrete

S/1.67

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75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
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IAUCN04S7N040HATMA1

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726-IAUCN04S7N040HAT

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/8.37

S/4.05

S/3.62

S/2.87

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Envase tipo carrete

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+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
1,153En existencias
5,000Se espera el 25/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N054HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N054HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/7.90

S/4.98

S/3.30

S/2.62

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Envase tipo carrete

S/2.02

Min.: 1
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PG-TDSON-8

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3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
160En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N006GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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160En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/7.32

S/6.23

S/5.99

S/5.88

Envase tipo carrete

S/5.88

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.93
878En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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S/6.93

S/3.30

S/2.95

S/2.32

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Envase tipo carrete

S/1.84

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PG-TDSON-8

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40 V

154 A

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16 V

1.8 V

34 nC

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83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
484En existencias
5,000Se espera el 3/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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484En existencias

5,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.37

S/2.50

S/2.23

S/1.73

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Envase tipo carrete

S/1.29

Min.: 1
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: 5,000

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PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

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2 V

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+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

IAUAN04S7N004AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.27
3,019En existencias
10,000Se espera el 29/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N004AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N004AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

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Hoja de datos

3,019En existencias

10,000Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/19.27

S/12.77

S/9.07

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-5

N-Channel

1 Channel

40 V

570 A

390 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N005AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
4,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N005AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N005AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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4,237En existencias

Cinta cortada

S/16.70

S/11.02

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

455 A

510 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N006AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.38
1,611En existencias
2,000Se espera el 12/08/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N006AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N006AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

1,611En existencias

2,000Se espera el 12/08/2027

Cinta cortada

S/15.38

S/10.08

S/7.47

S/6.27

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-1

N-Channel

1 Channel

40 V

410 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N007AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
1,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUAN04S7N007AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N007AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,505En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.76

S/6.11

S/5.22

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-2

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

720 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

149 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L006ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
2,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L006ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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2,992En existencias

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.28

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Envase tipo carrete

S/3.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

600 uOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L009ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.07
9,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L009ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L009ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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9,364En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.80

S/3.93

S/3.13

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Envase tipo carrete

S/2.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

275 A

910 uOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

129 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
7,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L014ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

7,832En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.96

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

179 A

1.43 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N012ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
16,533En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N012ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N012ATM

Infineon Technologies

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S/8.02

S/5.14

S/3.45

S/2.74

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.22

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

214 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
8,968En existencias
25,000Se espera el 7/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015ATM

Infineon Technologies

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25,000Se espera el 7/01/2027

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S/7.47

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S/3.11

S/2.46

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Envase tipo carrete

S/1.92

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

173 A

1.53 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IAUCN04S7N019DATMA1
Infineon Technologies
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7,352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N019DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019DAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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S/11.76

S/7.63

S/5.25

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Envase tipo carrete

S/3.75

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS7 40 V Dual SSO8 Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IAUCN04S7N024DATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N024DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024DAT

Infineon Technologies

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S/6.46

S/4.40

S/3.52

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S/3.01

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
41 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
88 W
94 W
96 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W