Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.46
70,197 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
70,197 En existencias
1
S/6.46
10
S/4.01
100
S/3.11
500
S/2.74
1,000
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5,000
S/2.23
1,000
S/2.63
2,500
S/2.58
5,000
S/2.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/14.87
6,638 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
6,638 En existencias
1
S/14.87
10
S/9.77
100
S/6.93
500
S/6.19
1,000
Ver
5,000
S/5.02
1,000
S/5.61
2,500
S/5.37
5,000
S/5.02
10,000
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.63
3,295 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,295 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.63
10
S/3.35
25
S/3.03
100
S/2.68
2,500
S/1.97
7,500
Ver
250
S/2.51
500
S/2.41
1,000
S/2.24
7,500
S/1.95
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.84
18,951 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
18,951 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.84
10
S/4.09
100
S/2.99
500
S/2.52
1,000
Ver
5,000
S/2.14
1,000
S/2.27
2,500
S/2.24
5,000
S/2.14
25,000
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
1:
S/7.86
1,657 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,657 En existencias
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1
S/7.86
10
S/5.02
25
S/4.48
100
S/3.69
2,500
S/2.34
7,500
Ver
250
S/3.22
500
S/3.05
1,000
S/2.56
7,500
S/2.13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/7.67
22,251 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
22,251 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.67
10
S/4.87
100
S/3.26
500
S/2.67
5,000
S/1.95
10,000
Ver
1,000
S/2.34
2,500
S/2.15
10,000
S/1.93
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Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
XMC4800F144K1536AAXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/100.15
358 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-4800F144K1536AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores de 32 bits - MCU XMC4000
358 En existencias
1
S/100.15
10
S/78.36
25
S/74.81
100
S/66.91
250
Ver
250
S/61.54
360
S/59.79
1,080
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Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
Infineon Technologies
1:
S/17.75
4,775 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PR
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
4,775 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.75
10
S/11.83
25
S/10.94
100
S/9.50
250
Ver
3,000
S/6.19
250
S/8.99
500
S/8.10
1,000
S/7.36
3,000
S/6.19
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Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.31
1,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
1
S/6.31
10
S/4.63
25
S/4.20
100
S/3.73
2,500
S/3.04
7,500
Ver
250
S/3.50
500
S/3.37
1,000
S/3.15
7,500
S/2.99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.51
7,613 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC035N10NS5ATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
7,613 En existencias
1
S/7.51
10
S/5.92
100
S/5.37
500
S/5.22
1,000
Ver
5,000
S/4.24
1,000
S/5.10
2,500
S/4.98
5,000
S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.59
3,616 En existencias
5,000 Se espera el 2/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
3,616 En existencias
5,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/10.59
10
S/6.85
100
S/4.75
500
S/3.85
1,000
Ver
5,000
S/3.15
1,000
S/3.80
5,000
S/3.15
25,000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.96
9,426 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
9,426 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.96
10
S/6.58
100
S/4.52
500
S/3.63
1,000
Ver
5,000
S/2.96
1,000
S/3.58
2,500
S/3.55
5,000
S/2.96
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.54
20,347 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
20,347 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/6.54
10
S/4.09
100
S/2.98
500
S/2.46
5,000
S/1.93
25,000
Ver
1,000
S/2.32
25,000
S/1.81
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/3.35
3,433 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
3,433 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/3.35
10
S/3.34
100
S/3.19
500
S/2.83
1,000
Ver
5,000
S/2.29
1,000
S/2.75
5,000
S/2.29
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.17
4,960 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
4,960 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.17
10
S/5.22
100
S/3.62
500
S/3.07
1,000
Ver
5,000
S/2.24
1,000
S/2.57
2,500
S/2.37
5,000
S/2.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.59
16,231 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
16,231 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.59
10
S/6.77
100
S/4.63
500
S/3.84
5,000
S/3.10
10,000
Ver
1,000
S/3.66
10,000
S/3.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.40
5,967 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3GATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
5,967 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.40
10
S/5.61
100
S/4.28
500
S/3.55
5,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.33
532 En existencias
3,000 Se espera el 23/02/2026
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
532 En existencias
3,000 Se espera el 23/02/2026
Embalaje alternativo
1
S/11.33
10
S/9.26
25
S/8.29
100
S/7.67
250
Ver
3,000
S/5.99
250
S/7.28
500
S/7.01
1,000
S/6.81
3,000
S/5.99
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.12
11,626 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
11,626 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.12
10
S/6.54
100
S/4.67
500
S/3.93
1,000
S/3.62
5,000
S/3.08
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/8.80
11,553 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
11,553 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.80
10
S/5.61
100
S/3.88
500
S/3.29
5,000
S/2.44
10,000
Ver
1,000
S/2.87
10,000
S/2.40
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.15
150 En existencias
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
150 En existencias
10,000 En pedido
1
S/6.15
10
S/3.71
100
S/2.67
500
S/2.16
1,000
Ver
5,000
S/1.59
1,000
S/1.93
2,500
S/1.90
5,000
S/1.59
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
