Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.15
59,446 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
59,446 En existencias
1
S/9.15
10
S/5.80
100
S/3.57
500
S/3.13
5,000
S/2.99
10,000
Ver
1,000
S/2.99
10,000
S/2.92
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.25
3,159 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,159 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.25
10
S/3.80
25
S/3.44
100
S/3.04
250
Ver
2,500
S/2.33
250
S/2.85
500
S/2.74
1,000
S/2.61
2,500
S/2.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.12
1,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
1
S/7.12
10
S/5.22
25
S/4.75
100
S/4.24
250
Ver
2,500
S/3.30
250
S/3.97
500
S/3.81
1,000
S/3.80
2,500
S/3.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/8.64
21,587 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
21,587 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.64
10
S/5.41
100
S/3.56
500
S/2.83
5,000
S/2.20
10,000
Ver
1,000
S/2.51
2,500
S/2.29
10,000
S/2.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4800F144K1536AAXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/100.15
358 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-4800F144K1536AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
358 En existencias
1
S/100.15
10
S/78.36
25
S/74.81
100
S/66.91
250
Ver
250
S/64.62
360
S/64.58
2,520
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/9.50
11,110 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
11,110 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.50
10
S/6.03
100
S/4.09
500
S/3.29
1,000
Ver
5,000
S/2.65
1,000
S/2.95
2,500
S/2.76
5,000
S/2.65
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/13.97
13,349 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC035N10NS5ATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
13,349 En existencias
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.64
23,480 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
23,480 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.64
10
S/5.41
100
S/3.56
500
S/2.83
1,000
Ver
5,000
S/2.39
1,000
S/2.51
2,500
S/2.39
5,000
S/2.39
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
1:
S/4.79
274 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
274 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.79
10
S/3.46
25
S/3.13
100
S/2.76
250
Ver
2,500
S/2.15
250
S/2.59
500
S/2.54
2,500
S/2.15
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.78
4,424 En existencias
5,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
4,424 En existencias
5,000 En pedido
1
S/16.78
10
S/10.67
100
S/7.94
500
S/6.66
1,000
Ver
5,000
S/5.22
1,000
S/6.19
2,500
S/5.76
5,000
S/5.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/9.81
2,127 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
2,127 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/9.81
10
S/6.23
100
S/4.20
500
S/3.39
5,000
S/2.69
10,000
Ver
1,000
S/3.04
2,500
S/2.84
10,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.87
4,558 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
4,558 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.87
10
S/5.64
100
S/3.80
500
S/3.08
1,000
Ver
5,000
S/2.46
1,000
S/2.76
2,500
S/2.70
5,000
S/2.46
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.22
10,749 En existencias
10,000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3GATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
10,749 En existencias
10,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/12.22
10
S/7.55
100
S/5.33
500
S/4.63
1,000
Ver
5,000
S/3.93
1,000
S/4.16
2,500
S/4.05
5,000
S/3.93
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
Infineon Technologies
1:
S/11.41
86 En existencias
18,000 Se espera el 27/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PR
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
86 En existencias
18,000 Se espera el 27/08/2026
Embalaje alternativo
1
S/11.41
10
S/8.52
25
S/7.79
100
S/6.97
250
Ver
3,000
S/5.84
250
S/6.62
500
S/6.46
1,000
S/6.11
3,000
S/5.84
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.41
733 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
733 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
Existencias:
733 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 6/08/2026
3,000 Se espera el 27/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
46 Semanas
1
S/11.41
10
S/8.52
25
S/7.79
100
S/6.97
250
Ver
3,000
S/5.80
250
S/6.62
500
S/6.46
1,000
S/6.11
3,000
S/5.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.70
177 En existencias
20,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
177 En existencias
20,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
177 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 6/08/2026
5,000 Se espera el 26/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/10.70
10
S/6.89
100
S/4.71
500
S/3.97
1,000
S/3.65
5,000
S/3.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.56
252 En existencias
20,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
252 En existencias
20,000 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/8.56
10
S/5.57
100
S/3.80
500
S/3.08
1,000
Ver
5,000
S/2.29
1,000
S/2.76
2,500
S/2.58
5,000
S/2.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.34
4,306 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
4,306 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.34
10
S/7.98
100
S/5.49
500
S/4.59
1,000
Ver
5,000
S/4.01
1,000
S/4.24
2,500
S/4.01
5,000
S/4.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.86
596 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
596 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.86
10
S/7.01
100
S/4.83
500
S/3.93
1,000
Ver
5,000
S/3.41
1,000
S/3.63
2,500
S/3.50
5,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.29
30,160 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
30,160 En pedido
Ver fechas
En pedido:
160 Se espera el 12/11/2026
15,000 Se espera el 29/04/2027
15,000 Se espera el 10/06/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/8.29
10
S/5.22
100
S/3.42
500
S/2.71
1,000
Ver
5,000
S/2.07
1,000
S/2.41
2,500
S/2.20
5,000
S/2.07
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.82
9,900 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
9,900 En pedido
Ver fechas
Embalaje alternativo
En pedido:
4,900 Se espera el 21/07/2026
5,000 Se espera el 27/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/10.82
10
S/6.97
100
S/4.79
500
S/3.89
1,000
Ver
5,000
S/3.39
1,000
S/3.62
2,500
S/3.50
5,000
S/3.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
