Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.41
61,773 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
61,773 En existencias
1
S/8.41
10
S/4.67
100
S/3.67
500
S/3.42
5,000
S/3.42
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Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/6.93
1,853 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PJXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
1,853 En existencias
1
S/6.93
10
S/5.10
25
S/4.63
100
S/4.13
2,500
S/3.25
5,000
Ver
250
S/3.85
500
S/3.71
1,000
S/3.42
5,000
S/3.17
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.12
2,957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
2,957 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.12
10
S/5.18
100
S/3.67
500
S/2.93
1,000
Ver
5,000
S/2.62
1,000
S/2.75
2,500
S/2.66
5,000
S/2.62
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Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/4.75
3,204 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
3,204 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.75
10
S/3.45
25
S/3.11
100
S/2.76
250
Ver
2,500
S/2.22
250
S/2.59
500
S/2.48
1,000
S/2.43
2,500
S/2.22
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/8.64
21,634 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
21,634 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.64
10
S/5.41
100
S/3.56
500
S/2.83
1,000
Ver
5,000
S/2.13
1,000
S/2.51
2,500
S/2.50
5,000
S/2.13
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Carrete :5,000
Detalles
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
XMC4800F144K1536AAXQMA1
Infineon Technologies
1:
S/100.15
358 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-4800F144K1536AAX
Infineon Technologies
Microcontroladores ARM - MCU XMC4000
358 En existencias
1
S/100.15
10
S/78.36
25
S/74.81
100
S/66.91
250
Ver
250
S/62.12
360
S/59.91
1,080
Presupuesto
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
1:
S/8.80
11,224 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
11,224 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.80
10
S/5.61
100
S/3.88
500
S/3.29
1,000
S/2.80
5,000
S/2.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.59
15,982 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
15,982 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.59
10
S/6.77
100
S/4.63
500
S/3.84
1,000
S/3.56
5,000
S/3.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PR
Infineon Technologies
1:
S/15.10
3,747 En existencias
3,000 Se espera el 28/05/2026
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PR
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
3,747 En existencias
3,000 Se espera el 28/05/2026
Embalaje alternativo
1
S/15.10
10
S/10.24
25
S/9.50
100
S/8.25
250
Ver
3,000
S/5.06
250
S/7.75
500
S/6.77
1,000
S/6.03
3,000
S/5.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.08
4,896 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
4,896 En existencias
1
S/16.08
10
S/10.20
100
S/7.43
500
S/6.19
2,500
S/5.96
5,000
S/5.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
1:
S/7.90
499 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
499 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.90
10
S/5.06
25
S/4.52
100
S/3.69
2,500
S/2.25
5,000
Ver
250
S/3.22
500
S/3.05
1,000
S/2.64
5,000
S/2.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.39
2,481 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 200V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
2,481 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.39
10
S/7.75
25
S/7.08
100
S/6.34
3,000
S/5.37
6,000
Ver
250
S/5.99
500
S/5.84
1,000
S/5.72
6,000
S/5.25
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/11.41
1,824 En existencias
5,000 Se espera el 26/05/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
1,824 En existencias
5,000 Se espera el 26/05/2026
1
S/11.41
10
S/7.36
100
S/5.02
500
S/4.09
1,000
Ver
5,000
S/3.60
1,000
S/3.85
2,500
S/3.78
5,000
S/3.60
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.90
3,306 En existencias
5,000 Se espera el 11/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3,306 En existencias
5,000 Se espera el 11/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/10.90
10
S/7.05
100
S/4.83
500
S/3.88
1,000
Ver
5,000
S/3.39
1,000
S/3.63
2,500
S/3.56
5,000
S/3.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.79
25,310 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC098N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
25,310 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.79
10
S/4.75
100
S/3.26
500
S/2.64
5,000
S/2.16
10,000
Ver
1,000
S/2.46
2,500
S/2.35
10,000
S/2.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.21
4,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
4,562 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.21
10
S/5.25
100
S/3.63
500
S/3.08
1,000
S/2.62
5,000
S/2.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.63
12,836 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ150N10LS3GATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8
12,836 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/7.63
10
S/5.02
100
S/3.75
500
S/3.02
1,000
S/2.67
5,000
S/2.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1:
S/10.47
11,323 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3GATM
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
11,323 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/10.47
10
S/6.73
100
S/4.87
500
S/3.93
1,000
S/3.57
5,000
S/3.33
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/12.34
15,000 Se espera el 1/06/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC035N10NS5ATM1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
15,000 Se espera el 1/06/2026
1
S/12.34
10
S/8.37
100
S/6.03
500
S/5.22
5,000
S/4.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.12
19,830 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
19,830 En pedido
Ver fechas
En pedido:
4,830 Se espera el 4/02/2027
15,000 Se espera el 1/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
1
S/7.12
10
S/4.40
100
S/2.93
500
S/2.36
1,000
Ver
5,000
S/1.80
1,000
S/2.13
2,500
S/2.05
5,000
S/1.80
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/10.12
606 Se espera el 18/02/2027
N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
606 Se espera el 18/02/2027
Embalaje alternativo
1
S/10.12
10
S/6.54
100
S/4.67
500
S/3.93
1,000
S/3.62
5,000
S/3.39
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Perú
