Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Industrial Robotics Motor Control Solutions

Infineon Technologies Industrial Robotics Motor Control Solutions feature products that provide semiconductor solutions to boost industrial motor control applications. These solutions include low-voltage power MOSFETs, EiceDRIVER™ gate drivers, and XMC4800 microcontrollers. The OptiMOS™ 5 80V and 100V MOSFETs offer low on-state resistance. High power density and efficiency in motor control applications can be achieved with the combination of the Infineon EiceDRIVER 2EDL and 6EDL products. Use the XMC4800 microcontroller as the heart of motor control for superior motor control and real-time communication via EtherCAT®.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.68
70,197En existencias

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BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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S/5.68

S/3.85

S/3.04

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S/2.28

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.83
6,358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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Cinta cortada

S/14.83

S/9.73

S/6.93

S/6.19

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Envase tipo carrete

S/5.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

74 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.64
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ150N10LS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ150N10LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.97

S/2.93

S/2.47

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S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

BSC098N10NS5
Infineon Technologies
1: S/7.67
22,251En existencias

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BSC098N10NS5

N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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S/7.67

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S/3.26

S/2.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

BSC035N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
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BSC035N10NS5ATMA1

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726-BSC035N10NS5ATM1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5

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S/7.51

S/5.92

S/5.37

S/5.22

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S/4.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
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3,561En existencias
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BSC040N08NS5ATMA1

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726-BSC040N08NS5ATMA

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S/4.75

S/3.85

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S/3.15

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC057N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.96
9,420En existencias

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BSC057N08NS3GATMA1

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726-BSC057N08NS3GATM

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S/4.52

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S/2.96

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC098N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
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BSC098N10NS5ATMA1

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726-BSC098N10NS5ATMA

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S/2.98

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S/1.93

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
3,408En existencias

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BSZ097N10NS5ATMA1

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726-BSZ097N10NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

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S/2.83

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S/2.29

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSZ150N10LS3 G
Infineon Technologies
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4,910En existencias

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BSZ150N10LS3 G

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726-BSZ150N10LS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8

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S/5.22

S/3.62

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S/2.24

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
16,231En existencias
NRND

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BSC060N10NS3 G

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726-BSC060N10NS3G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/10.59

S/6.77

S/4.63

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S/3.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
5,367En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3GATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,367En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/5.61

S/4.28

S/3.55

Envase tipo carrete

S/2.91

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.12
11,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

11,614En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.67

S/3.93

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

BSZ097N10NS5
Infineon Technologies
1: S/8.80
11,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ097N10NS5

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ097N10NS5

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3

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Hoja de datos

11,553En existencias

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S/8.80

S/5.61

S/3.88

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.44

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

69 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
150En existencias
10,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ110N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ110N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

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150En existencias

10,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/6.15

S/3.71

S/2.67

S/2.16

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Envase tipo carrete

S/1.59

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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