Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.

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Resultados: 62

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6007ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/10.51
497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6007ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

497En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.77

S/4.67

S/3.77

Envase tipo carrete

S/3.45

S/3.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

620 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6007ENX
ROHM Semiconductor
1: S/6.03
401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6007ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

401En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/4.05

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.89

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

570 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

R6009KNX
ROHM Semiconductor
1: S/9.96
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6009KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

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Hoja de datos

163En existencias

S/9.96

S/6.89

S/4.75

S/3.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET

R6011KNX
ROHM Semiconductor
1: S/10.08
373En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6011KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6011KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET

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Hoja de datos

373En existencias

S/10.08

S/6.77

S/4.67

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET

R6015KNX
ROHM Semiconductor
1: S/11.05
369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6015KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6015KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET

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Hoja de datos

369En existencias

S/11.05

S/7.32

S/5.06

S/4.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

27.5 nC

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+ 150 C

60 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6020ENX
ROHM Semiconductor
1: S/15.34
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

318En existencias

Cinta cortada

S/15.34

S/11.41

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.59

S/7.51

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET

R6020KNX
ROHM Semiconductor
1: S/14.60
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6020KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET

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Hoja de datos

163En existencias

S/14.60

S/9.81

S/6.89

S/5.61

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET

R6024KNX
ROHM Semiconductor
1: S/13.04
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6024KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET

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Hoja de datos

500En existencias

S/13.04

S/9.03

S/6.31

S/5.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise

R6511ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/22.50
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6511ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6511ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/22.50

S/14.01

S/12.38

S/11.64

Envase tipo carrete

S/7.82

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6024ENX
ROHM Semiconductor
1: S/18.76
365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6024ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

365En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/12.42

S/9.69

Envase tipo carrete

S/8.21

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6004ENX
ROHM Semiconductor
1: S/9.19
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6004ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.32

S/4.09

S/3.86

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

R6004KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.33
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6004KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/11.33

S/7.36

S/5.41

S/4.52

Envase tipo carrete

S/3.77

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

R6004KNX
ROHM Semiconductor
1: S/4.71
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6004KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6004KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/4.71

S/2.96

S/2.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

900 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

10.2 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover

R6006JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/12.77
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6006JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6006JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/12.77

S/6.42

S/5.80

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

936 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

15.5 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

R6007KNX
ROHM Semiconductor
1: S/10.94
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6007KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6007KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/10.94

S/7.05

S/5.06

S/3.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

570 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6009ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/4.90
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6009ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6009ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.90

S/4.63

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

R6009KNJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/3.45
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6009KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6009KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.45

S/3.08

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6011ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/6.62
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6011ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6011ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.62

S/6.58

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6011ENX
ROHM Semiconductor
1: S/13.78
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6011ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6011ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/13.78

S/10.47

S/7.98

Envase tipo carrete

S/6.58

S/5.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6015ENX
ROHM Semiconductor
500: S/6.89
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6015ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6015ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.89

S/6.66

Presupuesto

Min.: 500
Mult.: 500

Carrete: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET

R6030KNXC7
ROHM Semiconductor
1,000: S/7.43
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6030KNXC7

N.º de artículo de Mouser
755-R6030KNXC7

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/7.43

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch

R6047KNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/34.02
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6047KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6047KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/34.02

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover

R6050JNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/42.82
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6050JNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6050JNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/42.82

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247G-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

83 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

615 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch

R6076KNZ4C13
ROHM Semiconductor
600: S/53.05
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6076KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6076KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/53.05

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

165 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6504ENJTL
ROHM Semiconductor
1,000: S/4.05
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
R6504ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6504ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.05

S/3.74

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.05 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel

Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

42 mOhms
72 mOhms
83 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
196 mOhms
205 mOhms
260 mOhms
290 mOhms
315 mOhms
340 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
500 mOhms
535 mOhms
570 mOhms
585 mOhms

10 nC
10.2 nC
10.5 nC
12 nC
14.5 nC
15 nC
15.5 nC
16.5 nC
17.5 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
27.5 nC
28 nC
32 nC
40 nC
45 nC
56 nC
60 nC

40 W
43 W
46 W
48 W
53 W
58 W
59 W
60 W
68 W
70 W
74 W
78 W
86 W
94 W
96 W
124 W
125 W
184 W
231 W
245 W