Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.

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Resultados: 60

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

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R6007RND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/5.84
5,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007RND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6007RND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 21A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,390En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.87

S/3.23

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.98

S/2.90

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: 2,500

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

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- 30 V, 30 V

7 V

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- 55 C

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96 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET

R6009RND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/6.03
5,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009RND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6009RND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 27A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

5,127En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/4.01

S/3.34

S/3.21

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

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1 Channel

600 V

9 A

665 mOhms

- 30 V, 30 V

7 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET

R6015KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/14.79
2,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6015KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6015KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET

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Hoja de datos

2,607En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.61

S/6.81

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.45

S/5.25

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

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+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 12A N-CH MOSFET

R6004RND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/4.05
2,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004RND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6004RND3TL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 12A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

2,880En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.64

S/2.18

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.73 Ohms

- 30 V, 30 V

7 V

10.5 nC

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60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover

R6012JNXC7G
ROHM Semiconductor
1: S/21.18
1,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6012JNXC7G

N.º de artículo de Mouser
755-R6012JNXC7G

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 12A 3rd Gen, Fast Recover

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Hoja de datos

1,718En existencias

S/21.18

S/13.86

S/10.35

S/8.68

Ver

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60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET

R6011KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/13.04
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6011KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6011KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET

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Hoja de datos

400En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.49

S/5.88

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6004ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/8.45
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6004ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6004ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

14En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.33

S/3.55

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch

R6020KNZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/33.36
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020KNZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6020KNZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

592En existencias

S/33.36

S/19.50

S/18.02

S/17.87

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1 Channel

600 V

20 A

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40 nC

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+ 150 C

231 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6009ENX
ROHM Semiconductor
1: S/17.59
429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6009ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

429En existencias

Cinta cortada

S/17.59

S/11.64

S/8.25

Envase tipo carrete

S/8.14

S/7.82

S/7.20

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: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

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- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET

R6020KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/18.57
620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6020KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6020KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET

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Hoja de datos

620En existencias

Cinta cortada

S/18.57

S/11.87

S/8.68

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Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

196 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

231 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6015ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/22.58
773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6015ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6015ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

773En existencias

Cinta cortada

S/22.58

S/14.79

S/11.05

S/9.26

Envase tipo carrete

S/8.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6024ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/19.81
961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6024ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

961En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/13.12

S/9.34

S/8.21

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6030ENX
ROHM Semiconductor
1: S/27.87
407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6030ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6030ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

407En existencias

Cinta cortada

S/27.87

S/15.57

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.65

S/11.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise

R6076ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/81.16
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6076ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6076ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

594En existencias

S/81.16

S/57.18

S/56.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

76 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

260 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise

R6047ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/65.24
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6047ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6047ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

564En existencias

S/65.24

S/40.13

S/37.21

S/35.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R6511KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/17.01
1,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6511KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6511KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

1,980En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/13.08

S/11.17

S/9.38

Envase tipo carrete

S/8.49

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R6011KND3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/14.48
2,293En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
R6011KND3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6011KND3TL1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Fast Switch

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Hoja de datos

2,293En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/5.92

S/5.88

Envase tipo carrete

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise

R6011END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/14.48
2,295En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
R6011END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6011END3TL1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise

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Hoja de datos

2,295En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/9.50

S/6.66

S/6.34

S/5.88

Envase tipo carrete

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

390 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6004END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/9.58
4,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
R6004END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6004END3TL1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

4,124En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.19

S/4.20

S/3.35

S/3.08

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

980 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise

R6009END3TL1
ROHM Semiconductor
1: S/12.57
2,230En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
R6009END3TL1

N.º de artículo de Mouser
755-R6009END3TL1

NRND

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise

Obtenga más información

Hoja de datos

2,230En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.68

S/4.87

S/4.83

Envase tipo carrete

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

535 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

94 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

R6007KNJTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.17
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007KNJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6007KNJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

998En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/7.12

S/5.02

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

570 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

R6024ENZ4C13
ROHM Semiconductor
1: S/27.01
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6024ENZ4C13

N.º de artículo de Mouser
755-R6024ENZ4C13

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,121En existencias

S/27.01

S/15.53

S/13.62

S/12.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6007ENJTL
ROHM Semiconductor
1: S/11.21
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007ENJTL

N.º de artículo de Mouser
755-R6007ENJTL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

297En existencias

Cinta cortada

S/11.21

S/7.28

S/4.98

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.69

S/3.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

620 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

R6007ENX
ROHM Semiconductor
1: S/13.23
325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6007ENX

N.º de artículo de Mouser
755-R6007ENX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET

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Hoja de datos

325En existencias

Cinta cortada

S/13.23

S/8.64

S/5.99

Envase tipo carrete

S/4.83

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

570 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

R6009KNX
ROHM Semiconductor
1: S/11.37
163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
R6009KNX

N.º de artículo de Mouser
755-R6009KNX

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET

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Hoja de datos

163En existencias

S/11.37

S/7.36

S/5.18

S/4.05

S/3.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FM-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Bulk

Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

42 mOhms
72 mOhms
83 mOhms
115 mOhms
130 mOhms
150 mOhms
165 mOhms
170 mOhms
196 mOhms
205 mOhms
260 mOhms
290 mOhms
315 mOhms
340 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
500 mOhms
535 mOhms
570 mOhms
585 mOhms

10 nC
10.2 nC
10.5 nC
14.5 nC
15 nC
15.5 nC
16.5 nC
17.5 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
27.5 nC
28 nC
32 nC
40 nC
45 nC
56 nC
60 nC
61 nC

40 W
43 W
46 W
48 W
53 W
58 W
59 W
60 W
68 W
74 W
78 W
86 W
94 W
96 W
124 W
125 W
184 W
231 W
245 W
305 W