Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Resultados: 113

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

TK31N60W5,S1VF
Toshiba
1: S/36.55
3En existencias
30Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

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Hoja de datos

3En existencias

30Se espera el 17/07/2026

S/36.55

S/21.21

S/18.26

S/17.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK35A65W5,S5X
Toshiba
1: S/28.34
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK35A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

5En existencias

S/28.34

S/15.26

S/14.05

S/12.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35A65W,S5X
Toshiba
1: S/28.61
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK35A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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Hoja de datos

50En existencias

S/28.61

S/16.04

S/14.40

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

TK35N65W5,S1F
Toshiba
1: S/38.15
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

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Hoja de datos

9En existencias

S/38.15

S/24.83

S/22.62

S/21.99

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

TK39A60W,S4VX
Toshiba
1: S/39.47
85En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK39A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

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Hoja de datos

85En existencias

S/39.47

S/21.99

S/20.28

S/18.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

TK39J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/46.71
13En existencias
50Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK39J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK39J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

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Hoja de datos

13En existencias

50Se espera el 16/03/2026

S/46.71

S/28.34

S/24.52

S/23.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

TK39J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/42.43
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK39J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

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Hoja de datos

25En existencias

S/42.43

S/31.18

S/22.03

S/20.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

TK39N60W,S1VF
Toshiba
1: S/27.71
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

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40En existencias

S/27.71

S/16.08

S/13.23

S/11.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK49N65W5,S1F
Toshiba
1: S/54.03
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK49N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK49N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

30En existencias

S/54.03

S/32.54

S/28.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

49.2 A

57 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power MOSFET Transistor

TK49N65W,S1F
Toshiba
1: S/56.52
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK49N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK49N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power MOSFET Transistor

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Hoja de datos

57En existencias

S/56.52

S/34.02

S/30.52

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

49.2 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

160 nC

+ 150 C

400 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

TK62J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/66.09
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK62J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

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Hoja de datos

25En existencias

S/66.09

S/37.56

S/36.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF

TK62N60W5,S1VF
Toshiba
1: S/57.88
104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK62N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF

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Hoja de datos

104En existencias

S/57.88

S/35.54

S/31.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

36 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

205 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

TK62N60W,S1VF
Toshiba
1: S/76.92
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK62N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF

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Hoja de datos

10En existencias

S/76.92

S/48.42

S/45.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

400 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

TK6A60W,S4VX
Toshiba
1: S/8.45
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC

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Hoja de datos

169En existencias

S/8.45

S/5.53

S/5.18

S/3.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC

TK6Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/11.76
197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC

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Hoja de datos

197En existencias

S/11.76

S/10.32

S/4.83

S/4.32

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/8.80
86En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

86En existencias

S/8.80

S/4.36

S/3.83

S/3.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

540 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

TK7A60W,S4VX
Toshiba
1: S/9.93
44En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

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Hoja de datos

44En existencias

S/9.93

S/4.90

S/4.01

S/3.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7A65W,S5X
Toshiba
1: S/9.03
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

114En existencias

S/9.03

S/4.44

S/4.13

S/3.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6.8 A

640 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC

TK7P60W,RVQ
Toshiba
1: S/13.04
709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC

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Hoja de datos

709En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.52

S/5.80

S/4.94

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7P65W,RQ
Toshiba
1: S/6.62
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

446En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.48

S/3.97

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6.8 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A

TK7Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/11.99
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A

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Hoja de datos

144En existencias

S/11.99

S/8.25

S/4.79

S/4.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

TK110Z65Z,S1F
Toshiba
1: S/26.27
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK110Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK110Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

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Hoja de datos

40En pedido

S/26.27

S/15.49

S/12.88

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 10 V, 10 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: S/15.34
80Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

80Se espera el 15/06/2026

S/15.34

S/8.02

S/6.93

S/5.96

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

TK31N60W,S1VF
Toshiba
1: S/44.96
30Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

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30Se espera el 20/02/2026

S/44.96

S/27.01

S/23.04

S/22.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK10A50W,S5X
Toshiba
1: S/10.04
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10A50W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A50WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

S/10.04

S/4.94

S/4.44

S/3.58

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W