Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Resultados: 113

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK28N65W5,S1F
Toshiba
1: S/28.26
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK28N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK28N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

60En existencias

S/28.26

S/17.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

TK31A60W,S4VX
Toshiba
1: S/27.52
47En existencias
100Se espera el 11/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
TK31A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

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Hoja de datos

47En existencias

100Se espera el 11/01/2027

S/27.52

S/14.67

S/13.39

S/11.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

TK31E60W,S1VX
Toshiba
1: S/23.43
24En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

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Hoja de datos

24En existencias

S/23.43

S/14.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

TK31N60W5,S1VF
Toshiba
1: S/35.30
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

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Hoja de datos

47En existencias

S/35.30

S/20.59

S/19.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

82 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK35A65W5,S5X
Toshiba
1: S/33.59
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK35A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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8En existencias

S/33.59

S/18.26

S/16.74

S/15.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35A65W,S5X
Toshiba
1: S/34.41
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK35A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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Hoja de datos

23En existencias

S/34.41

S/22.50

S/17.20

S/15.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

TK35N65W5,S1F
Toshiba
1: S/37.21
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

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Hoja de datos

9En existencias

S/37.21

S/25.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

115 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

TK39A60W,S4VX
Toshiba
1: S/37.56
61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK39A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

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Hoja de datos

61En existencias

S/37.56

S/20.67

S/19.00

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

TK39J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/51.54
58En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK39J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

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Hoja de datos

58En existencias

S/51.54

S/31.76

S/27.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

TK39N60W,S1VF
Toshiba
1: S/33.05
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

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Hoja de datos

60En existencias

S/33.05

S/22.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power MOSFET Transistor

TK49N65W,S1F
Toshiba
1: S/46.28
57En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK49N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK49N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power MOSFET Transistor

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Hoja de datos

57En existencias

S/46.28

S/34.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

49.2 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

160 nC

+ 150 C

400 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

TK62J60W,S1VQ
Toshiba
1: S/72.91
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK62J60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK62J60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC

Obtenga más información

Hoja de datos

25En existencias

S/72.91

S/52.90

S/41.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

61.8 A

33 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC

TK6Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/13.35
197En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC

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Hoja de datos

197En existencias

S/13.35

S/6.31

S/5.68

S/4.83

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/10.55
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

56En existencias

S/10.55

S/5.18

S/4.48

S/3.73

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

540 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

TK7A60W,S4VX
Toshiba
1: S/10.90
200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC

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Hoja de datos

200En existencias

S/10.90

S/5.37

S/4.94

S/3.71

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7A65W,S5X
Toshiba
1: S/10.70
59En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

59En existencias

S/10.70

S/5.25

S/4.59

S/3.79

S/3.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6.8 A

640 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC

TK7P60W,RVQ
Toshiba
1: S/8.33
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC

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Hoja de datos

687En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.59

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A

TK7Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/13.97
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A

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Hoja de datos

144En existencias

S/13.97

S/6.62

S/6.50

S/4.94

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/16.85
4,700Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK20V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

4,700Se espera el 28/08/2026

Cinta cortada

S/16.85

S/11.09

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK7P65W,RQ
Toshiba
1: S/8.25
1,987Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK7P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

1,987Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.55

S/3.34

Envase tipo carrete

S/3.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6.8 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: S/16.35
297En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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Hoja de datos

297En pedido

S/16.35

S/8.33

S/7.24

S/6.15

S/5.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

TK7E80W,S1X
Toshiba
1: S/13.39
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/13.39

S/6.70

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

795 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK10A50W,S5X
Toshiba
1: S/11.87
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10A50W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A50WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/11.87

S/5.88

S/5.10

S/4.16

S/3.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/19.15
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/19.15

S/10.59

S/9.34

S/6.93

S/6.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A

TK10V60W,LVQ
Toshiba
2,500: S/5.53
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10V60W,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10V60WLVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

88.3 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W