Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Resultados: 113

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
1: S/12.14
1,627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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1,627En existencias

Cinta cortada

S/12.14

S/7.90

S/4.94

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
1: S/9.81
7,464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Cinta cortada

S/9.81

S/6.31

S/4.28

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: S/21.68
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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966En existencias

Cinta cortada

S/21.68

S/14.44

S/10.32

S/9.23

Envase tipo carrete

S/7.98

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
1: S/27.68
2,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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2,178En existencias

S/27.68

S/18.14

S/13.31

S/11.83

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

TK31N60W,S1VF
Toshiba
1: S/39.78
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK31N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

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60En existencias

S/39.78

S/27.17

S/19.27

S/16.70

S/16.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/11.33
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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S/11.33

S/6.58

S/5.02

S/3.93

S/3.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
1: S/17.98
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

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S/17.98

S/11.79

S/8.76

S/7.32

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
1: S/27.48
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK17N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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S/27.48

S/18.02

S/13.27

S/11.79

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
1: S/45.11
6En existencias

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TK35N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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S/45.11

S/31.88

S/26.59

S/23.67

S/22.15

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
1: S/18.65
516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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516En existencias

S/18.65

S/9.61

S/9.19

S/7.63

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
1: S/14.56
1,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

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1,788En existencias

Cinta cortada

S/14.56

S/9.54

S/6.66

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.67

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

670 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/22.07
2,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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2,487En existencias

Cinta cortada

S/22.07

S/14.71

S/10.55

S/9.46

S/8.84

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm

TK040N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/60.26
461En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK040N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm

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461En existencias

S/60.26

S/36.82

S/36.78

S/28.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

85 nC

+ 150 C

297 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm

TK080N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/39.00
149En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK080N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK080N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 80mohm

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Hoja de datos

149En existencias

S/39.00

S/22.97

S/22.54

S/16.82

S/16.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

43 nC

+ 150 C

211 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm

TK125N60Z1,S1F
Toshiba
1: S/31.26
135En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TK125N60Z1,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK125N60Z1S1F

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 125mohm

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135En existencias

S/31.26

S/18.06

S/17.83

S/13.00

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: S/36.39
2,401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

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Hoja de datos

2,401En existencias

Cinta cortada

S/36.39

S/24.83

S/20.51

S/18.26

S/17.09

Envase tipo carrete

S/17.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: S/10.67
4,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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Hoja de datos

4,523En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.71

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK10E60W,S1VX
Toshiba
1: S/14.25
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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Hoja de datos

70En existencias

S/14.25

S/7.16

S/6.46

S/5.25

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: S/11.56
190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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Hoja de datos

190En existencias

S/11.56

S/7.47

S/5.10

S/4.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/13.27
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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Hoja de datos

141En existencias

S/13.27

S/6.66

S/6.11

S/4.83

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

TK12A60W,S4VX
Toshiba
1: S/14.40
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

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Hoja de datos

79En existencias

S/14.40

S/8.52

S/6.23

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

TK16E60W,S1VX
Toshiba
1: S/17.83
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC

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Hoja de datos

67En existencias

S/17.83

S/9.15

S/8.29

S/6.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W5,S1VQ
Toshiba
1: S/24.99
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W5,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60W5S1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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73En existencias

S/24.99

S/14.56

S/12.03

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

TK20A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/20.32
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

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S/20.32

S/13.31

S/9.89

S/8.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20E60W5,S1VX
Toshiba
1: S/23.82
80En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20E60W5,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20E60W5S1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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S/23.82

S/12.53

S/11.41

S/9.50

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

175 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W