Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

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Resultados: 113

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
1: S/16.82
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10Q60W,S1VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10Q60WS1VQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

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150En existencias

S/16.82

S/9.46

S/6.66

S/6.15

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

TK11A65W,S5X
Toshiba
1: S/7.82
53En existencias
250Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK11A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS

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53En existencias

250Se espera el 17/04/2026

S/7.82

S/3.71

S/3.30

S/2.65

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

TK12A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: S/11.41
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52

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251En existencias

S/11.41

S/6.03

S/5.99

S/4.16

S/3.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

TK12A60W,S4VX
Toshiba
1: S/12.88
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

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94En existencias

S/12.88

S/8.56

S/7.94

S/7.20

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

TK12E60W,S1VX
Toshiba
1: S/17.75
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK12E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

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78En existencias

S/17.75

S/7.63

S/7.59

S/7.55

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14A65W,S5X
Toshiba
1: S/14.25
128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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S/14.25

S/7.32

S/7.16

S/5.37

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

TK14N65W,S1F
Toshiba
1: S/19.23
31En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK14N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS

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31En existencias

S/19.23

S/8.25

S/7.63

S/7.55

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Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

TK16A60W5,S4VX
Toshiba
1: S/13.82
156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W5,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60W5S4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC

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156En existencias

S/13.82

S/7.01

S/6.97

S/5.06

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

TK16A60W,S4VX
Toshiba
1: S/13.78
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC

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121En existencias

S/13.78

S/6.38

S/5.96

S/5.10

S/4.63

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N-Channel

1 Channel

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK16J60W,S1VE
Toshiba
1: S/25.89
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK16J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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79En existencias

S/25.89

S/15.38

S/12.69

S/10.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

TK16N60W,S1VF
Toshiba
1: S/22.30
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK16N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

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19En existencias

S/22.30

S/12.53

S/10.43

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK17A65W,S5X
Toshiba
1: S/14.75
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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7En existencias

S/14.75

S/7.43

S/6.73

S/5.64

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W

TK17A80W,S4X
Toshiba
1: S/20.59
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17A80W

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W

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254En existencias

S/20.59

S/11.17

S/11.13

S/8.45

S/8.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W

TK17E80W,S1X
Toshiba
1: S/24.13
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK17E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W

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50En existencias

S/24.13

S/12.81

S/11.72

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK19A50W,S5X
Toshiba
1: S/13.12
150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK19A50W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK19A50WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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150En existencias

S/13.12

S/6.62

S/6.15

S/4.83

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.5 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

TK20A60W5,S5VX
Toshiba
1: S/16.04
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS

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92En existencias

S/16.04

S/8.21

S/7.24

S/6.11

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20E60W5,S1VX
Toshiba
1: S/19.54
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20E60W5,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20E60W5S1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

100En existencias

S/19.54

S/10.63

S/9.46

S/7.86

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

175 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

TK20E60W,S1VX
Toshiba
1: S/26.35
68En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK20E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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Hoja de datos

68En existencias

S/26.35

S/14.21

S/12.96

S/11.68

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK20J60W,S1VE
Toshiba
1: S/27.01
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20J60W,S1VE

N.º de artículo de Mouser
757-TK20J60WS1VE

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

50En existencias

S/27.01

S/15.80

S/13.35

S/11.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

155 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20N60W5,S1VF
Toshiba
1: S/21.06
98En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK20N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

98En existencias

S/21.06

S/12.22

S/10.12

S/8.60

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

TK20N60W,S1VF
Toshiba
1: S/30.71
58En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20N60W,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK20N60WS1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

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Hoja de datos

58En existencias

S/30.71

S/18.26

S/15.34

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK28A65W,S5X
Toshiba
1: S/22.03
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK28A65W,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK28A65WS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

131En existencias

S/22.03

S/11.60

S/10.82

S/8.80

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

94 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK28N65W5,S1F
Toshiba
1: S/32.19
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK28N65W5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK28N65W5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

60En existencias

S/32.19

S/18.10

S/15.84

S/14.52

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27.6 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

TK31A60W,S4VX
Toshiba
1: S/32.23
43En existencias
50Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

50Se espera el 16/03/2026

S/32.23

S/17.56

S/16.00

S/14.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

TK31E60W,S1VX
Toshiba
1: S/39.04
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK31E60W,S1VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK31E60WS1VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

Obtenga más información

Hoja de datos

34En existencias

S/39.04

S/24.06

S/21.88

S/20.71

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

73 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

DTMOSIV Series MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5.8 A
6.2 A
6.5 A
6.8 A
7 A
7.8 A
8 A
9.3 A
9.5 A
9.7 A
11.1 A
11.5 A
12 A
13.7 A
15.8 A
17 A
17.3 A
18.5 A
20 A
24 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
40 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
94 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms
130 mOhms

11 nC
12 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
25 nC
28 nC
30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC

30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
150 W
156 W
165 W
180 W
190 W
211 W
230 W