Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.

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Resultados: 148

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4156DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI4156DY-T1-GE3

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781-SI4156DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/5.64

S/3.57

S/2.37

S/1.86

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S/1.51

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4186DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
20,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4186DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4186DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/6.81

S/4.36

S/2.91

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.88

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

35.8 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4204DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
13,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4204DY-T1-GE3

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781-SI4204DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

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S/10.16

S/6.58

S/4.55

S/3.64

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S/3.04

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

19.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4214DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.13
8,181En existencias

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SI4214DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4214DDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/4.13

S/2.58

S/1.69

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.05

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8.5 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4431CDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/5.88
9,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4431CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4431CDY-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/5.88

S/3.71

S/2.47

S/1.97

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S/1.59

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4455DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/10.16
4,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4455DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4455DY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8

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S/10.16

S/6.54

S/4.52

S/3.69

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S/3.36

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

150 V

2.8 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

5.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs SO-8

SI4464DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.87
6,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4464DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4464DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs SO-8

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S/8.87

S/5.68

S/3.85

S/3.13

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S/2.65

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

2.2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4488DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.11
7,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4488DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4488DY-T1-E3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

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S/12.11

S/7.08

S/5.14

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S/4.13

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.13
34,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Cinta cortada

S/4.13

S/2.58

S/1.70

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.05

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.52
10,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4816BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4816BDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/8.52

S/5.64

S/3.93

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.69

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4840BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.56
2,458En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4840BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4840BDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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2,458En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.53

S/3.73

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.47

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4850EY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
3,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4850EY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4850EY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

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3,294En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.98

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8.5 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 0.007Ohm

SI4874BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/10.94
1,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4874BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4874BDY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 0.007Ohm

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1,883En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.90

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.29

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4491EDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.80
2,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4491EDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4491EDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

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2,389En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.61

S/2.44

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.56

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

25.8 A

11.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.8 V

153 nC

- 55 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4100DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4100DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4100DY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.10

S/2.46

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

6.8 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4128DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
2,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4128DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4128DY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,618En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/2.34

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.954

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10.9 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4401DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
4,549En existencias
7,500Se espera el 16/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4401DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4401DDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

4,549En existencias

7,500Se espera el 16/04/2026

Cinta cortada

S/4.87

S/3.07

S/2.02

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

40 V

16.1 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

6.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4435DDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
4,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4435DDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4435DDY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

4,764En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.35

S/1.62

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

P-Channel

1 Channel

30 V

11.4 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V

SI4485DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
3,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4485DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4485DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V

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Hoja de datos

3,226En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.973

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4488DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.04
595En existencias
2,500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4488DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4488DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

595En existencias

2,500Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/13.04

S/8.49

S/5.92

S/5.10

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4936CDY-T1-E3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.8 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

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SI4100DY-T1-GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

6.8 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

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SI4425DDY-T1-GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

19.7 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

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SOIC-8

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30 V

29 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

129 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

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SI4490DY-T1-GE3
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781-SI4490DY-GE3

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4 A

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2 V

42 nC

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+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
2.8 A
3.1 A
3.7 A
4 A
4.3 A, 6 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
6 A
6.8 A
6.8 A, 11.4 A
7.2 A
8 A
8.5 A
8.9 A
9 A
9.2 A
9.5 A
10.3 A

2 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.75 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.9 mOhms

6 nC, 7.8 nC
7.5 nC
7.8 nC, 11.6 nC
9 nC
10 nC
11 nC
11.7 nC, 25 nC
12 nC
13.3 nC, 41.5 nC
14.5 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29.5 nC

1.4 W, 2.4 W
2 W
2.3 W
2.4 W
2.5 W
2.78 W
3 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.3 W
3.5 W
3.7 W
4.2 W
5 W
5.2 W
5.6 W
5.7 W