Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

Resultados: 146
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8 73,557En existencias
Cinta cortada
S/7.05
S/3.71
S/3.23
S/2.63
S/2.50
Envase tipo carrete
S/2.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8 29,747En existencias
Cinta cortada
S/7.32
S/3.48
S/3.11
S/2.46
Envase tipo carrete
S/2.02
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 19.2 A 15.3 mOhms 25 V 2.6 V 135 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8 47,622En existencias
Cinta cortada
S/6.77
S/2.69
S/2.39
S/1.87
Envase tipo carrete
S/1.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 25 V 8 A 18 mOhms 12 V 600 mV 25 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 8,248En existencias
Cinta cortada
S/5.41
S/2.52
S/2.24
S/1.75
S/1.70
Envase tipo carrete
S/1.41
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 9.5 mOhms 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel 40,144En existencias
Cinta cortada
S/4.87
S/2.27
S/2.01
S/1.56
Envase tipo carrete
S/1.25
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 13.4 A 15.5 mOhms 8 V 400 mV 60 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 4,937En existencias
Cinta cortada
S/13.31
S/6.70
S/6.03
S/4.90
S/4.79
Envase tipo carrete
S/4.52
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 2.75 mOhms 20 V 1 V 70 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V 2,249En existencias
Cinta cortada
S/11.52
S/6.58
S/5.14
S/4.16
S/3.88
Envase tipo carrete
S/3.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 2,073En existencias
Cinta cortada
S/10.39
S/5.10
S/4.59
S/3.67
S/3.60
Envase tipo carrete
S/3.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24.5 A 5.2 mOhms 20 V 1.4 V 68 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W 3,925En existencias
Cinta cortada
S/7.75
S/3.71
S/3.32
S/2.63
S/2.50
Envase tipo carrete
S/2.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V 2,088En existencias
Cinta cortada
S/9.85
S/4.83
S/4.32
S/3.46
S/3.36
Envase tipo carrete
S/2.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm 1,633En existencias
Cinta cortada
S/12.46
S/6.27
S/5.57
S/4.59
S/4.32
Envase tipo carrete
S/4.09
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 23A 3.5W 1,091En existencias
Cinta cortada
S/13.31
S/6.70
S/6.03
S/4.90
S/4.79
Envase tipo carrete
S/4.52
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8 13,799En existencias
Cinta cortada
S/9.46
S/4.59
S/4.13
S/3.29
S/3.13
Envase tipo carrete
S/2.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32.1 A 4.2 mOhms 20 V 1.4 V 40 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V 4,007En existencias
Cinta cortada
S/9.85
S/4.83
S/4.32
S/3.46
S/3.29
Envase tipo carrete
S/2.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8 5,635En existencias
Cinta cortada
S/8.60
S/3.71
S/3.32
S/2.63
S/2.50
Envase tipo carrete
S/2.14
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 30 mOhms 25 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8 6,196En existencias
Cinta cortada
S/10.90
S/6.54
S/5.37
S/4.83
Envase tipo carrete
S/4.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 5 A 50 mOhms 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V 3,199En existencias
Cinta cortada
S/13.31
S/6.70
S/6.03
S/4.90
S/4.83
Envase tipo carrete
S/4.52
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8 6,106En existencias
Cinta cortada
S/9.30
S/4.98
S/4.01
S/3.23
Envase tipo carrete
S/2.70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 20 A 6 mOhms 16 V 1 V 95 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 3,258En existencias
Cinta cortada
S/7.16
S/3.41
S/3.04
S/2.40
Envase tipo carrete
S/1.97
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 5.7 mOhms 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V 20,529En existencias
Cinta cortada
S/8.17
S/3.93
S/3.49
S/2.77
Envase tipo carrete
S/2.28
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 15 mOhms 20 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V 4,877En existencias
Cinta cortada
S/4.16
S/1.92
S/1.69
S/1.30
Envase tipo carrete
S/1.07
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 72 mOhms 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8 2,518En existencias
Cinta cortada
S/7.75
S/3.71
S/3.32
S/2.63
Envase tipo carrete
S/2.16
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 13 A 30 mOhms 25 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8 1,772En existencias
Cinta cortada
S/10.12
S/4.98
S/4.48
S/3.57
S/3.41
Envase tipo carrete
S/3.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 20 V 8 A 19.2 mOhms 20 V 1 V 62 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8 1,453En existencias
Cinta cortada
S/11.72
S/5.80
S/5.22
S/4.20
S/3.78
Envase tipo carrete
S/3.78
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.5 A 7.5 mOhms 20 V 1 V 77 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8 935En existencias
2,500Se espera el 16/06/2027
Cinta cortada
S/12.96
S/7.08
S/5.80
S/4.87
Envase tipo carrete
S/4.36
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 2.7 mOhms 16 V 1 V 161 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel