Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 147

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4948BEY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
74,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4948BEY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4948BEY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

74,425En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.63

S/3.26

S/2.63

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

60 V

3.1 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4483ADY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.32
30,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4483ADY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4483ADY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

30,012En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

19.2 A

15.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.6 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

5.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.72
48,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4228DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

48,667En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.61

S/2.39

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

25 V

8 A

18 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4100DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
6,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4100DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4100DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

6,556En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

6.8 A

63 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

SI4430BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.52
2,269En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4430BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4430BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,269En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.47

S/5.14

S/4.16

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4126DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.31
5,054En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4126DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4126DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

5,054En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.68

S/6.03

S/4.90

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

39 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W

SI4894BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
3,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4894BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4894BDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W

Obtenga más información

Hoja de datos

3,966En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.45

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4488DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
7,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4488DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4488DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

7,448En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.08

S/5.29

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

150 V

5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

SI4630DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.96
1,435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4630DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4630DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

1,435En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/8.41

S/5.80

S/4.87

Envase tipo carrete

S/4.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

2.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

161 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

SI4842BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.31
3,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4842BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4842BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,241En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.68

S/6.03

S/4.90

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

28 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

6.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

SI4114DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/9.30
6,170En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4114DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4114DY-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

6,170En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.92

S/4.01

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

20 A

6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4168DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.16
3,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4168DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4168DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

3,258En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

5.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4204DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.90
11,512En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4204DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4204DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

11,512En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.88

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

20 V

19.8 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V

SI4932DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.10
21,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4932DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4932DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

21,722En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.49

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4062DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.46
14,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4062DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4062DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

14,412En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.29

S/3.02

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

32.1 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4156DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.03
21,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4156DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4156DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

21,683En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.82

S/2.54

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

SI4386DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
4,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4386DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4386DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,007En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.34

S/4.32

S/3.46

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4835DDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.75
5,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4835DDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4835DDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

5,848En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

30 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

5.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel

SI4403CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
40,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4403CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4403CDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

40,299En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

20 V

13.4 A

15.5 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

60 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

SI4114DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.30
3,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4114DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4114DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

3,927En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.92

S/4.01

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

20 A

6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4134DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.87
9,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4134DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4134DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

9,871En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.06

S/2.01

S/1.56

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4160DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
18,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4160DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4160DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

18,142En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.39

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25.4 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4178DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.20
17,076En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4178DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4178DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

17,076En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.08

S/1.49

S/1.22

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.903

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

SI4386DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.85
2,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4386DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4386DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,150En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.34

S/4.32

S/3.46

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm

SI4430BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.46
1,863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4430BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4430BDY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

1,863En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.57

S/4.59

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
2.8 A
3.1 A
3.7 A
4 A
4.3 A, 6 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
6 A
6.8 A
6.8 A, 11.4 A
7.2 A
8 A
8.5 A
8.9 A
9 A
9.2 A
9.2 A, 10 A
9.5 A

2 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.75 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.9 mOhms

6 nC, 7.8 nC
7.5 nC
7.8 nC, 11.6 nC
9 nC
10 nC
11 nC
11.7 nC, 25 nC
12 nC
13.3 nC, 41.5 nC
14.5 nC
17 nC
18 nC
20 nC
20.5 nC, 41.5 nC
21 nC
22 nC
23 nC
25 nC
26 nC
27 nC

1.4 W, 2.4 W
2 W
2.3 W
2.4 W
2.5 W
2.78 W
3 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.3 W
3.5 W
3.7 W
4.2 W
5 W
5.2 W
5.6 W
5.7 W