Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.

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Resultados: 148

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4124DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
2,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4124DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4124DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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2,185En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.46

S/4.67

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.29

S/3.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20.5 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4128DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
6,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4128DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4128DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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6,420En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

10.9 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4162DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.18
4,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4162DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4162DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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4,775En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.26

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

19.3 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4174DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
4,838En existencias
5,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4174DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4174DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

4,838En existencias

5,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4178DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.93
17,660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4178DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4178DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs SO-8

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17,660En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.08

S/1.42

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.837

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4202DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.51
4,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4202DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4202DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

12.1 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4431CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
8,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4431CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4431CDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/5.14

S/3.37

S/2.23

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4435DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
17,263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4435DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4435DDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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17,263En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.75

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

11.4 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

SI4456DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/13.51
3,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4456DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4456DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V

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Hoja de datos

3,203En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.80

S/6.89

S/5.76

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

33 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs SO-8

SI4464DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.60
2,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4464DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4464DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,287En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.81

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

2.2 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

SI4477DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.79
10,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4477DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4477DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8

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Hoja de datos

10,872En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

20 V

26.6 A

6.2 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

125 nC

- 55 C

+ 150 C

6.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI44

SI4490DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/13.58
6,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4490DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4490DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI44

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Hoja de datos

6,162En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.87

S/6.19

S/5.45

Envase tipo carrete

S/3.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

4 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4497DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.20
10,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4497DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4497DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

10,325En existencias

Cinta cortada

S/10.20

S/6.58

S/4.63

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

36 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

285 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
7,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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Hoja de datos

7,161En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

SI4630DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.81
3,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4630DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4630DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

3,074En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.33

S/5.92

S/5.06

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

SI4840BDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/7.28
2,468En existencias
5,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4840BDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4840BDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,468En existencias

5,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/7.28

S/4.90

S/3.47

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

19 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8

SI4896DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/13.08
2,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4896DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4896DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,737En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/6.07

S/5.22

Envase tipo carrete

S/3.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

9.5 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4936CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
9,412En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4936CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4936CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

9,412En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.43

S/1.58

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.942

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

5.8 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40

SI4056DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
14,228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4056DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4056DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40

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Hoja de datos

14,228En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11.1 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29.5 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4058DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.85
46,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4058DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4058DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

46,783En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.40

S/1.57

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

10.3 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

5.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

SI4114DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
4,297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4114DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4114DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

20 A

6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4134DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
10,215En existencias

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SI4134DY-T1-GE3

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781-SI4134DY-T1-GE3

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S/1.46

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

14 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4136DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
4,441En existencias

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SI4136DY-T1-GE3

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

20 V

46 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4156DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
34,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4156DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4156DY-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.57

S/2.37

S/1.86

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S/1.51

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.15 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4164DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
14,592En existencias
17,500Se espera el 18/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI4164DY-T1-GE3

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17,500Se espera el 18/06/2026

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S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/3.29

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S/2.54

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
2.8 A
3.1 A
3.7 A
4 A
4.3 A, 6 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
6 A
6.8 A
6.8 A, 11.4 A
7.2 A
8 A
8.5 A
8.9 A
9 A
9.2 A
9.5 A
10.3 A

2 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.75 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.9 mOhms

6 nC, 7.8 nC
7.5 nC
7.8 nC, 11.6 nC
9 nC
10 nC
11 nC
11.7 nC, 25 nC
12 nC
13.3 nC, 41.5 nC
14.5 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29.5 nC

1.4 W, 2.4 W
2 W
2.3 W
2.4 W
2.5 W
2.78 W
3 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.3 W
3.5 W
3.7 W
4.2 W
5 W
5.2 W
5.6 W
5.7 W