Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.

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Resultados: 148

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

SI4630DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.11
1,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4630DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4630DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8

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1,557En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/7.86

S/5.80

S/4.87

Envase tipo carrete

S/3.93

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Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

2.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

161 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

SI4842BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.42
3,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4842BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4842BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V

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3,278En existencias

Cinta cortada

S/12.42

S/8.10

S/5.64

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.20

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

28 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

6.25 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4943CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.50
4,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4943CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4943CDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

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4,794En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.20

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.79

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel

SI4403CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.55
41,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4403CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4403CDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V P-Channel

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Cinta cortada

S/4.55

S/2.83

S/1.86

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.17

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

20 V

13.4 A

15.5 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

60 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt 25 Amp 3.5W

SI4368DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/12.34
1,908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4368DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4368DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt 25 Amp 3.5W

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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.88

S/4.90

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

3.2 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

80 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

SI4686DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.17
4,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4686DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4686DY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

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S/8.17

S/5.25

S/3.54

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.27

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18.2 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

5.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.23
12,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4816BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.69

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8

SI4896DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.41
2,866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4896DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4896DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8

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S/8.41

S/6.27

S/5.02

S/4.67

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S/3.65

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

9.5 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4825DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.64
10,344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4825DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4825DDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

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S/5.64

S/3.57

S/2.37

S/1.86

S/1.69

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S/1.31

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

14.9 A

12.5 mOhms

- 25 V, 25 V

1.4 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4164DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.45
6,602En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4164DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4164DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.67

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.48

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8

SI4455DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.52
15,944En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4455DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4455DY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8

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15,944En existencias

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.70

S/2.95

Envase tipo carrete

S/2.44

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

150 V

2.8 A

315 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

5.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

SI4430BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.74
2,280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4430BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4430BDY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

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Hoja de datos

2,280En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.97

S/4.83

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.21

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

SI4386DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.23
2,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4386DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4386DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V

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Hoja de datos

2,165En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.69

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V

SI4804CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
2,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4804CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4804CDY-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V

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Hoja de datos

2,735En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.75

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

SI4835DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
2,633En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4835DDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4835DDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

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2,633En existencias

Cinta cortada

S/7.24

S/4.63

S/3.10

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

30 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

5.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

SI4943CDY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/9.46
1,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4943CDY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4943CDY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 20V Vgs SO-8

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1,781En existencias

Cinta cortada

S/9.46

S/6.11

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

20 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

SI4116DY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/6.97
2,453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4116DY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4116DY-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,453En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/3.14

S/2.46

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

25 V

18 A

8.6 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

56 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4634DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
2,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4634DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4634DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

2,355En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

24.5 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

5.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

SI4090DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.12
25,956En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4090DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4090DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

25,956En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.94

S/3.35

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

19.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

SI4850EY-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/8.87
20,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4850EY-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4850EY-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

20,948En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/6.27

S/3.76

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

8.5 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.88
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SI4925DDY-T1-GE3

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

30 V

8 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

TrenchFET

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SI4288DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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2,281En existencias

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

40 V

9.2 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

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SI4447ADY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

40 V

7.2 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

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SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SI4909DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI4909DY-T1-GE3

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78-SI4909DY-T1-GE3

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SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
2.8 A
3.1 A
3.7 A
4 A
4.3 A, 6 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
6 A
6.8 A
6.8 A, 11.4 A
7.2 A
8 A
8.5 A
8.9 A
9 A
9.2 A
9.5 A
10.3 A

2 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.75 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.8 mOhms
3.9 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
5.2 mOhms
5.7 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.9 mOhms

6 nC, 7.8 nC
7.5 nC
7.8 nC, 11.6 nC
9 nC
10 nC
11 nC
11.7 nC, 25 nC
12 nC
13.3 nC, 41.5 nC
14.5 nC
17 nC
18 nC
20 nC
21 nC
22 nC
23 nC
25 nC
26 nC
27 nC
29.5 nC

1.4 W, 2.4 W
2 W
2.3 W
2.4 W
2.5 W
2.78 W
3 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.3 W
3.5 W
3.7 W
4.2 W
5 W
5.2 W
5.6 W
5.7 W