Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.

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Resultados: 41

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 2.3 m a. 10V, 2.7 m a. 4.5V

SQJQ936EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
861En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ936EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ936EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Dual N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 2.3 m a. 10V, 2.7 m a. 4.5V

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861En existencias

Cinta cortada

S/15.73

S/10.32

S/7.24

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.09
1,237En existencias

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SQJQ980EL-T1_GE3

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78-SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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S/14.09

S/9.23

S/6.42

S/5.22

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148E-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.88
1,135En existencias
Nuevo producto

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SQJQ148E-T1_JE3

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78-SQJQ148E-T1_JE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/12.88

S/8.41

S/5.84

S/4.71

S/4.59

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S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

375 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ184ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.71
76En existencias
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SQJQ184ER-T1_GE3

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78-SQJQ184ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/13.58

S/10.12

S/8.49

S/7.90

Envase tipo carrete

S/7.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-8

N-Channel

1 Channel

80 V

430 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ186E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.38
651En existencias
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SQJQ186E-T1_GE3

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78-SQJQ186E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/15.38

S/10.08

S/7.05

S/5.80

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L

N-Channel

1 Channel

80 V

245 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ186ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.39
2En existencias
14,000Se espera el 21/01/2027

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SQJQ186ER-T1_GE3

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78-SQJQ186ER-T1_GE3

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S/16.39

S/10.74

S/8.17

S/7.08

S/6.85

Envase tipo carrete

S/5.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8LR

N-Channel

1 Channel

80 V

329 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.67
42,014En pedido

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SQJQ112E-T1_GE3

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78-SQJQ112E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/20.67

S/13.55

S/10.12

S/8.49

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L-4

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/21.80
7,988En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ112ER-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ112ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/21.80

S/14.29

S/10.67

S/9.19

S/8.52

Envase tipo carrete

S/7.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140ER-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/26.94
7,993En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ140ER-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ140ER-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/26.94

S/16.19

S/13.90

S/13.00

S/9.46

Envase tipo carrete

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

413 A

650 uOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

192 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ160E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.72
53,939En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ160E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ160E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/18.72

S/12.38

S/8.76

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

602 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ184E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.40
14,576Se espera el 31/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ184E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ184E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

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14,576Se espera el 31/05/2027

Cinta cortada

S/20.40

S/13.12

S/10.00

S/8.76

S/8.52

Envase tipo carrete

S/7.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L

N-Channel

1 Channel

80 V

430 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.75
16,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ402E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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16,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/14.75

S/9.65

S/6.73

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

260 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ131EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.91
5,135Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ131EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ131EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

5,135Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/17.91

S/11.83

S/8.37

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

P-Channel

1 Channel

30 V

280 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

487 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140E-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.29
1,995Se espera el 11/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ140E-T1_JE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ140E-T1_JE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

1,995Se espera el 11/03/2027

S/18.29

S/12.07

S/8.52

S/7.32

S/6.93

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

701 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

192 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Channel 40V 175C

SQJQ144AE-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/14.44
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ144AE-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ144AE-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto N-Channel 40V 175C

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Hoja de datos

2,000En pedido

Cinta cortada

S/14.44

S/9.46

S/6.58

S/5.37

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ160EL-T1_GE3
Vishay
1: S/17.67
7,989En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ160EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ160EL-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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7,989En pedido

Cinta cortada

S/17.67

S/9.07

S/8.25

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

602 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

SQJQ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
63 A
70 A
95 A
100 A
135 A
136 A
150 A
160 A
167 A
200 A
233 A
245 A
280 A
296 A
329 A
345 A
373 A
375 A
413 A

520 uOhms
530 uOhms
650 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.24 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.72 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.53 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.6 mOhms

19 nC
26 nC
32 nC
34 nC
45 nC
46 nC
61 nC
68 nC
69 nC
75 nC
92 nC
98 nC
102 nC
116 nC
120 nC
123 nC
135 nC
144 nC
150 nC
175 nC