Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.98
10,735En existencias

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SQJQ112E-T1_GE3

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78-SQJQ112E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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S/17.98

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S/8.45

S/7.86

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S/6.38

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L-4

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.72
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Nuevo producto

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SQJ142EP-T1_JE3

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78-SQJ142EP-T1_JE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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S/5.72

S/3.58

S/2.38

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ130EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/17.98
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SQJQ130EL-T1_GE3

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78-SQJQ130EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

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S/17.98

S/11.87

S/8.45

S/7.86

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S/6.38

MouseReel Disponible

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1 Channel

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445 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

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600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.78
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SQJQ402E-T1_GE3

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78-SQJQ402E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

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S/13.78

S/8.99

S/6.31

S/5.49

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ144AER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.91
2,110En existencias

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SQJQ144AER-T1_GE3

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78-SQJQ144AER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/8.45

S/6.81

S/6.34

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S/5.22

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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3.5 V

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600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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45,871En existencias

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SQJQ910EL-T1_GE3

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78-SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

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MouseReel Disponible

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N-Channel

2 Channel

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2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJQ148ER-T1_GE3

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78-SQJQ148ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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S/13.31

S/8.72

S/6.07

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.55

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-8-8LR-8

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- 20 V, 20 V

2.5 V

68 nC

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+ 175 C

394 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJQ100E-T1_GE3

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S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.23

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S/5.29

MouseReel Disponible

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ906E-T1_GE3

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78-SQJQ906E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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S/13.20

S/8.60

S/5.99

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

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2 Channel

40 V

95 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ148E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.60
4,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ148E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ148E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

S/11.60

S/7.86

S/5.45

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.78

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MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

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1 Channel

40 V

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325 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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4,301En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ480E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ480E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.23

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.61
6,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ142E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ142E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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6,556En existencias

Cinta cortada

S/12.61

S/8.21

S/5.72

S/4.87

Envase tipo carrete

S/3.97

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

460 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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3,012En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

Envase tipo carrete

S/5.49

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.47
4,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ980EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

4,136En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.80

S/6.11

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.65
5,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ112ER-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ112ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Hoja de datos

5,070En existencias

Cinta cortada

S/18.65

S/12.42

S/8.84

S/8.29

S/8.25

Envase tipo carrete

S/6.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJQ150E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.98
3,274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ150E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ150E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

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Hoja de datos

3,274En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.40

S/5.14

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.84

S/3.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPak-8

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

SQJQ404E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.79
1,960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ404E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ404E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

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Hoja de datos

1,960En existencias

Cinta cortada

S/14.79

S/9.69

S/6.81

S/6.03

Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.44
1,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ900E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,074En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/8.60

S/5.99

S/5.18

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ114EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.88
1,742En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQJQ114EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ114EL-T1_GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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1,742En existencias

Cinta cortada

S/12.88

S/8.37

S/6.15

S/5.14

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

136 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

102 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142ER-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/12.53
1,930En existencias
Nuevo producto

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SQJQ142ER-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

40 V

345 A

1.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ140E-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

701 A

530 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

192 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

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SQJQ144AE-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK 8x8L

N-Channel

1 Channel

40 V

575 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

TrenchFET

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SQJQ184E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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S/6.23

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SMD/SMT

PowerPAK 8 x 8L

N-Channel

1 Channel

80 V

430 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ184ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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PowerPAK-8-8L-8

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1 Channel

80 V

430 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

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SQJQ160EL-T1_GE3
Vishay
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S/10.90

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SMD/SMT

PowerPAK-8-8L-4

N-Channel

1 Channel

60 V

602 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

183 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

SQJQ Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

36 A
63 A
70 A
95 A
100 A
135 A
136 A
150 A
160 A
167 A
200 A
233 A
245 A
280 A
296 A
329 A
345 A
373 A
375 A
413 A

520 uOhms
530 uOhms
650 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.24 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.72 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.53 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.6 mOhms

19 nC
26 nC
32 nC
34 nC
45 nC
46 nC
61 nC
68 nC
69 nC
75 nC
92 nC
98 nC
102 nC
116 nC
120 nC
123 nC
135 nC
144 nC
150 nC
175 nC