Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

STU7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.98
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

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1,841En existencias

S/10.98

S/5.10

S/4.59

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/7.79
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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2,731En existencias

S/7.79

S/3.49

S/3.35

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

STH12N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/50.37
279En existencias
1,000Se espera el 25/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH12N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET

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279En existencias

1,000Se espera el 25/09/2026

Cinta cortada

S/50.37

S/37.87

S/31.57

S/28.10

Envase tipo carrete

S/26.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB20N90K5
STMicroelectronics
1: S/30.21
4,275En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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4,275En existencias

Cinta cortada

S/30.21

S/20.44

S/14.91

S/14.36

Envase tipo carrete

S/13.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU15N80K5
STMicroelectronics
1: S/15.26
689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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Hoja de datos

689En existencias

S/15.26

S/9.07

S/8.33

S/7.43

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

375 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB10N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.02
5,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

5,798En existencias

Cinta cortada

S/18.02

S/10.67

S/8.80

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.81

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

8 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STB20N95K5
STMicroelectronics
1: S/35.23
1,335En existencias
2,000Se espera el 19/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,335En existencias

2,000Se espera el 19/03/2027

Cinta cortada

S/35.23

S/19.23

S/17.71

S/17.59

Envase tipo carrete

S/16.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STB21N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.45
705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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705En existencias

Cinta cortada

S/31.45

S/21.33

S/15.61

S/15.14

Envase tipo carrete

S/14.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STB25N80K5
STMicroelectronics
1: S/24.44
1,279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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1,279En existencias

Cinta cortada

S/24.44

S/12.88

S/11.79

S/10.82

Envase tipo carrete

S/10.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: S/17.05
906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Hoja de datos

906En existencias

Cinta cortada

S/17.05

S/8.72

S/7.90

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STD2N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.29
3,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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3,722En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.33

S/3.58

S/2.85

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.54
3,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

3,461En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/4.67

S/4.16

S/3.33

Envase tipo carrete

S/2.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

STD7N80K5
STMicroelectronics
1: S/10.86
3,421En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

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3,421En existencias

5,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/10.86

S/6.58

S/4.67

S/3.89

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

STD8N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.73
3,146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5

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Hoja de datos

3,146En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.63

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STF13N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.62
1,252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

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Hoja de datos

1,252En existencias

S/19.62

S/10.16

S/9.23

S/7.63

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STF6N95K5
STMicroelectronics
1: S/11.44
1,577En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

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Hoja de datos

1,577En existencias

S/11.44

S/5.68

S/4.79

S/3.93

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

STF8N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.62
3,777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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Hoja de datos

3,777En existencias

S/13.62

S/6.85

S/6.19

S/5.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1: S/49.59
869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH12N120K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH12N120K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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Hoja de datos

869En existencias

Cinta cortada

S/49.59

S/34.49

S/27.60

Envase tipo carrete

S/25.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44.2 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

STH2N120K5-2AG
STMicroelectronics
1: S/21.76
5,543En existencias
10,000Se espera el 2/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH2N120K5-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH2N120K5-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

5,543En existencias

10,000Se espera el 2/10/2026

Cinta cortada

S/21.76

S/14.48

S/10.35

S/9.26

Envase tipo carrete

S/8.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

1.5 A

10 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

STP13N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.85
1,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

Obtenga más información

Hoja de datos

1,972En existencias

S/16.85

S/8.60

S/7.82

S/6.42

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N150K5
STMicroelectronics
1: S/35.27
494En existencias
600Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW12N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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494En existencias

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S/35.27

S/20.51

S/18.96

S/18.53

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW20N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.57
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW20N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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1,075En existencias

S/31.57

S/18.26

S/15.34

S/14.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

20 A

210 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

STW21N150K5
STMicroelectronics
1: S/55.66
591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW21N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW21N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

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591En existencias

S/55.66

S/33.79

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

14 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STW25N80K5
STMicroelectronics
1: S/29.19
714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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714En existencias

S/29.19

S/16.78

S/14.05

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

STY50N105DK5
STMicroelectronics
1: S/113.93
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY50N105DK5

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511-STY50N105DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

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284En existencias

S/113.93

S/75.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

44 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

175 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh K5 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
2 A
2.2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.6 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
12 A
14 A
15 A
17.5 A
18.5 A
19.5 A

1.1 mOhms
1.6 mOhms
88 mOhms
100 mOhms
110 mOhms
210 mOhms
260 mOhms
299 mOhms
300 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
375 mOhms
410 mOhms
450 mOhms
470 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
630 mOhms
680 mOhms
690 mOhms

2.63 nC
3 nC
3.7 nC
4 nC
5 nC
5.3 nC
7.5 nC
9.5 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
11.7 nC
12 nC
12.5 nC
13 nC
13.4 nC
13.7 nC
15 nC
16.5 nC
17 nC

20 W
25 W
30 W
35 W
38 W
40 W
42 W
45 W
60 W
70 W
79 W
85 W
90 W
110 W
121 W
130 W
150 W
188 W
190 W
250 W