Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.79
2,250En existencias

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SQJ202EP-T1_GE3

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78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.67

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2 Channel

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- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.44
1,074En existencias

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SQJQ900E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/11.44

S/8.60

S/5.99

S/5.18

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

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- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
67,281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB80EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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S/1.97

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32 nC

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

SQ4284EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.11
3,105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ4284EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4284EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified

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S/9.11

S/5.88

S/4.01

S/3.19

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S/2.65

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30 nC

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+ 175 C

3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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4,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ912BEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ912BEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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S/6.15

S/4.13

S/3.01

S/2.60

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S/2.10

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2 Channel

40 V

30 A

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2.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ974EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.31
5,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ974EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ974EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.31

S/4.28

S/3.08

S/2.50

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S/2.10

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQJA36EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.77
2,995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA36EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA36EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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S/9.77

S/6.73

S/4.71

S/3.81

S/3.76

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- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

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+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3585EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.00
5,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ3585EV-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ3585EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/13.00

S/8.99

S/7.67

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- 12 V, 12 V

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2.5 nC, 3.5 nC

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+ 175 C

1.67 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4282EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.98
6,497En existencias

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SQ4282EY-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ4282EY-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/7.98

S/5.14

S/3.46

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SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

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2.5 V

47 nC

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+ 175 C

3.9 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ560EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
8,808En existencias

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SQJ560EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ560EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/7.90

S/4.44

S/3.14

S/2.52

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S/2.16

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12 mOhms, 52.6 mOhms

- 20 V, 20 V

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30 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.24
13,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB60EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB60EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/7.24

S/4.59

S/3.09

S/2.44

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S/1.97

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.12
1,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified

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S/13.12

S/8.56

S/5.96

S/5.14

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.16

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

160 A

3.6 mOhms, 3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/12.57
2,462En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ960EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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S/12.57

S/8.17

S/5.68

S/5.06

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S/4.13

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.34
2,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ968EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ968EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.69

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.69

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23.5 A

28 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB40EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
2,015En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SQJB40EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB40EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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S/7.20

S/4.13

S/2.88

S/2.38

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S/1.97

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

6.3 mOhms, 6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.35
737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1902AEL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1902AEL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.35

S/2.09

S/1.35

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.806

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

780 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

430 mW

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ910AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
2,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ910AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.27

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

5.8 mOhms, 5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ914EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ914EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified

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478En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.08

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.38
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ958EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ958EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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180En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.70

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

40 A

29.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA34EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.54
2,459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA34EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA34EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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2,459En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.13

S/2.76

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.70

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
3,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJ740EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ740EP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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3,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.55

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.21

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
6,000Se espera el 19/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SQJB00EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB00EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

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6,000Se espera el 19/02/2026

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQJA36EP-T2_GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/2.76
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJA36EP-T2_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJA36EP-T2_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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Envase tipo carrete

S/2.76

S/2.67

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

350 A

1.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
3.57 A, 2.5 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
30 A, 18 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W