Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 48

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.39
44,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ910EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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44,387En existencias

Cinta cortada

S/13.39

S/8.37

S/6.38

S/5.22

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

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: 2,000

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N-Channel

2 Channel

100 V

70 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.39
305,607En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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305,607En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

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- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.64
71,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ208EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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71,043En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.70

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V, 1.4 V

33 nC, 75 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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28,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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28,800En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.27

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

75 V

17 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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130,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
181,179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/3.04

S/1.89

S/1.22

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

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+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.04
127,628En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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Cinta cortada

S/3.04

S/1.88

S/1.21

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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26,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB90EP-T1_GE3

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78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/8.14

S/5.22

S/3.47

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.38

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MouseReel Disponible

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.97
50,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ868EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ868EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

S/6.97

S/4.36

S/2.83

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

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PowerPAK-SO-8-4

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.40
12,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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12,468En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.38

S/6.66

S/5.57

Ver

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

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3 V

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50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.15
27,362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

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27,362En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.58

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.61

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

11.3 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ260EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.45
3,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ260EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ260EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3,319En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A, 54 A

15.5 mOhms, 7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC, 25 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.45
5,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,196En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.42

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

27 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.28
5,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ844AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,989En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.63

S/3.10

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.35
2,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,958En existencias

Cinta cortada

S/16.35

S/10.67

S/7.75

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.94
5,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ262EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,552En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.06

S/3.40

S/2.69

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/13.16
2,356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ960EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ960EL-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,356En existencias

Cinta cortada

S/13.16

S/8.56

S/5.96

S/4.83

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

SQS423ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.61
2,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS423ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS423ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

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Hoja de datos

2,992En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.48

S/2.27

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

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+ 175 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/14.09
1,024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ900E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

1,024En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/8.87

S/6.42

S/5.22

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.88
2,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ414EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

2,544En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.67

S/2.39

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.43

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.14
5,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

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5,816En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.22

S/3.47

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.25

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A, 34 A

32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.45
2,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ204EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

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2,890En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.35

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ202EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.33
2,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ202EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ202EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified

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2,250En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.98
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ740EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ740EP

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

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2,925En existencias

Cinta cortada

S/10.98

S/7.08

S/4.87

S/3.93

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

SQJB80EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.71
50,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB80EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB80EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

50,414En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
2.5 A, 3.57 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W