Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 48

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ1912AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.88
138,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

138,021En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.77

S/1.15

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.25 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

SQ1912EH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.34
181,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1912EH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1912EH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

181,230En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.45

S/0.93

S/0.701

Envase tipo carrete

S/0.533

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

800 mA

200 mOhms, 200 mOhms

- 12 V, 12 V

450 mV

1.15 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

SQ1922AEEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.76
127,676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922AEEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922AEEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363

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127,676En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.70

S/1.10

S/0.845

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

850 mA

300 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB90EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.59
26,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB90EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB90EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified

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26,726En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.27

S/2.60

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

30 A

17.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.12
45,871En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ910EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ910EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

45,871En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.56

S/5.96

S/5.14

Envase tipo carrete

S/4.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

70 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJ868EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.11
53,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ868EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ868EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

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53,779En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.79

S/2.51

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ906E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.20
12,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ906E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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12,481En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.99

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

95 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.84
308,196En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQ1922EEH-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

308,196En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.15

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel

2 Channel

20 V

840 mA

350 mOhms

- 12 V, 12 V

1 V

700 pC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

SQJ208EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.10
71,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ208EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ208EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

71,157En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/5.18

S/3.53

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V, 1.4 V

33 nC, 75 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

SQJ980AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.20
30,570En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ980AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ980AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

30,570En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

75 V

17 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ844AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.81
5,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ844AEP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ844AEP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

5,989En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

13.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
3,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ904E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ904E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

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Hoja de datos

3,012En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

Envase tipo carrete

S/5.49

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms, 2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

SQS423ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
12,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQS423ENW-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQS423ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

12,854En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/3.08

S/2.04

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ946EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.06
5,238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ946EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ946EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

5,238En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.16

S/2.09

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

15 A

27 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.47
4,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJQ980EL-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ980EL-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

4,136En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.80

S/6.11

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

SQJB70EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.76
27,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJB70EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJB70EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

27,686En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

100 V

11.3 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.40
5,552En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ262EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ262EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

5,552En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.75

S/3.18

S/2.52

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

29.5 mOhms, 12.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

SQJ260EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.90
3,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ260EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ260EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

3,319En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.41

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A, 54 A

15.5 mOhms, 7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC, 25 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: S/6.77
5,816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ990EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ990EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified

Obtenga más información

Hoja de datos

5,816En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.87

S/3.27

S/2.60

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

100 V

17 A, 34 A

32.5 mOhms, 15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC, 30 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.90
8,708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ244EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ244EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A, 60 A

4.5 mOhms, 11 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC, 45 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJ200EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ200EP-T1_GE3

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78-SQJ200EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

20 V

20 A, 60 A

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC, 43 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ204EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ204EP-T1_GE3

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78-SQJ204EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L

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S/3.41

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ956EP-T1_GE3

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78-SQJ956EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/6.38

S/4.05

S/2.71

S/2.13

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S/1.70

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

22.3 mOhms, 22.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
1,707En existencias

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SQJ952EP-T1_GE3

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78-SQJ952EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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S/7.82

S/5.02

S/3.37

S/2.68

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S/2.15

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

60 V

23 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.29
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ414EP-T1_GE3

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78-SQJ414EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

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S/3.33

S/2.21

S/1.77

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S/1.34

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
3.57 A, 2.5 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
30 A, 18 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W