Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC100N10NSF G
Infineon Technologies
1:
S/10.16
10,695 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
10,695 En existencias
1
S/10.16
10
S/6.54
100
S/4.55
500
S/3.64
1,000
Ver
5,000
S/2.97
1,000
S/3.36
2,500
S/3.19
5,000
S/2.97
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
S/23.00
1,973 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,973 En existencias
1
S/23.00
10
S/16.43
100
S/11.87
500
S/11.83
1,000
S/9.65
5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/20.44
1,006 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
1,006 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/20.44
10
S/13.58
100
S/11.21
500
S/9.50
1,000
Ver
1,000
S/8.33
5,000
S/8.29
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/16.00
4,264 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
4,264 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/4.63
4,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
4,212 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/4.63
10
S/2.89
100
S/1.90
500
S/1.51
5,000
S/1.10
10,000
Ver
1,000
S/1.34
2,500
S/1.23
10,000
S/1.03
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Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
BGB 741L7ESD E6327
Infineon Technologies
1:
S/3.89
14,534 En existencias
15,000 Se espera el 16/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BGB741L7ESDE63
Infineon Technologies
Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS
14,534 En existencias
15,000 Se espera el 16/04/2026
1
S/3.89
10
S/3.33
25
S/3.11
100
S/2.88
250
Ver
7,500
S/2.16
250
S/2.72
500
S/2.59
1,000
S/2.48
7,500
S/2.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.46
3,710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
3,710 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.46
10
S/8.14
100
S/6.23
500
S/5.22
1,000
S/4.83
5,000
S/4.05
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB025N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/24.48
715 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
715 En existencias
Embalaje alternativo
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.79
2,498 En existencias
3,000 Se espera el 2/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPB320N20N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,498 En existencias
3,000 Se espera el 2/03/2026
Embalaje alternativo
1
S/14.79
10
S/9.65
100
S/7.55
500
S/6.34
1,000
S/5.37
2,000
S/5.14
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.58
1,443 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
1,443 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.58
10
S/18.10
100
S/14.91
500
S/12.65
1,000
Ver
1,000
S/11.56
2,500
S/11.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
S/5.64
2,238 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,238 En existencias
1
S/5.64
10
S/2.93
100
S/2.74
500
S/2.37
1,000
Ver
1,000
S/2.17
2,000
S/2.04
5,000
S/1.84
25,000
S/1.81
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/7.71
17,600 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N12NS3GXT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
17,600 En existencias
1
S/7.71
10
S/4.67
100
S/3.29
500
S/2.64
5,000
S/2.03
10,000
Ver
1,000
S/2.43
2,500
S/2.31
10,000
S/2.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.65
12,657 En existencias
5,000 Se espera el 25/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
12,657 En existencias
5,000 Se espera el 25/03/2026
Embalaje alternativo
1
S/12.65
10
S/8.25
100
S/6.31
500
S/5.29
1,000
Ver
5,000
S/4.28
1,000
S/4.55
2,500
S/4.32
5,000
S/4.28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/5.80
7,771 En existencias
10,000 Se espera el 30/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
7,771 En existencias
10,000 Se espera el 30/07/2026
1
S/5.80
10
S/3.78
100
S/2.59
500
S/2.10
1,000
S/1.93
5,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.14
33,807 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
33,807 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.14
10
S/5.22
100
S/3.61
500
S/3.06
1,000
Ver
5,000
S/2.23
1,000
S/2.56
2,500
S/2.36
5,000
S/2.23
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA057N08N3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.07
5,686 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA057N08N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
5,686 En existencias
1
S/12.07
10
S/6.03
100
S/5.45
500
S/5.10
1,000
Ver
1,000
S/4.36
2,500
S/4.16
10,000
S/3.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA086N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/9.15
7,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA086N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
7,831 En existencias
1
S/9.15
10
S/4.52
100
S/4.05
500
S/3.11
1,000
Ver
1,000
S/2.75
10,000
S/2.67
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.45
1,419 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,419 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.45
10
S/10.12
100
S/7.47
500
S/6.62
1,000
S/5.61
2,000
Ver
2,000
S/5.33
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
S/29.23
3,608 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
3,608 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/29.23
10
S/21.84
100
S/17.67
500
S/15.80
1,000
S/13.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.45
839 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP048N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
839 En existencias
1
S/15.45
10
S/8.91
100
S/8.25
500
S/7.24
1,000
Ver
1,000
S/6.97
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA032N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.38
409 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
409 En existencias
1
S/15.38
10
S/8.91
100
S/7.36
500
S/5.49
1,000
Ver
1,000
S/5.02
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/10.82
500 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
500 En existencias
1
S/10.82
10
S/5.25
100
S/4.87
500
S/3.78
1,000
Ver
1,000
S/3.37
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.88
136 En existencias
500 Se espera el 16/02/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
136 En existencias
500 Se espera el 16/02/2026
1
S/12.88
10
S/6.50
100
S/5.88
500
S/4.75
1,000
Ver
1,000
S/4.24
10,000
S/4.16
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/9.46
249 En existencias
500 Se espera el 23/04/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
249 En existencias
500 Se espera el 23/04/2026
1
S/9.46
10
S/4.71
100
S/4.24
500
S/3.44
1,000
Ver
1,000
S/2.88
5,000
S/2.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/17.87
212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
212 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/17.87
10
S/11.95
100
S/9.19
500
S/8.17
1,000
S/6.93
2,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles