Semiconductores – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores

Lista Imágenes

Resultados: 33

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 IPP041N12N3 G Infineon Technologies 1: S/25.61 988En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP041N12N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP041N12N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	988En existencias	S/25.61 S/16.78 S/12.38 S/10.94 S/9.73	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3 IPA086N10N3 G Infineon Technologies 1: S/12.73 5,839En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA086N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPA086N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	5,839En existencias	S/12.73 S/6.58 S/5.96 S/4.75 Ver S/4.59 S/4.44	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB020NE7N3 G Infineon Technologies 1: S/25.50 1,953En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPB020NE7N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB020NE7N3GXT Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3	Hoja de datos	1,953En existencias	Cinta cortada S/25.50 S/13.51 S/12.34 S/11.52 Envase tipo carrete S/10.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC190N12NS3 G Infineon Technologies 1: S/8.56 31,240En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC190N12NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC190N12NS3GXT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	31,240En existencias	Cinta cortada S/8.56 S/4.16 S/3.66 S/2.95 Ver Envase tipo carrete S/2.47 S/2.75 S/2.64 S/2.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB200N25N3 G Infineon Technologies 1: S/31.14 7,477En existencias 7,000Se espera el 1/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB200N25N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB200N25N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	7,477En existencias 7,000Se espera el 1/04/2027	Cinta cortada S/31.14 S/21.95 S/17.75 S/15.76 Envase tipo carrete S/14.13 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: S/15.96 5,572En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5,572En existencias	Cinta cortada S/15.96 S/10.43 S/7.59 S/6.62 Envase tipo carrete S/5.57 S/5.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP048N12N3 G Infineon Technologies 1: S/22.19 663En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP048N12N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP048N12N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	663En existencias	S/22.19 S/11.60 S/10.35 S/8.99	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 IPP200N25N3 G Infineon Technologies 1: S/29.12 2,320En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP200N25N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N25N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	2,320En existencias	S/29.12 S/19.07 S/14.32 S/12.14 S/11.17	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC100N10NSF G Infineon Technologies 1: S/10.12 4,764En existencias 5,000Se espera el 26/08/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC100N10NSF G N.º de artículo de Mouser 726-BSC100N10NSFG	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2	Hoja de datos	4,764En existencias 5,000Se espera el 26/08/2027	Cinta cortada S/10.12 S/4.98 S/4.48 S/3.57 Ver Envase tipo carrete S/3.10 S/3.48 S/3.38 S/3.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC520N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/8.33 22,743En existencias 25,000Se espera el 17/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC520N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC520N15NS3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	22,743En existencias 25,000Se espera el 17/12/2026	Cinta cortada S/8.33 S/4.01 S/3.58 S/2.93 S/2.90 Envase tipo carrete S/2.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC600N25NS3 G Infineon Technologies 1: S/16.66 3,040En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC600N25NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC600N25NS3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	3,040En existencias	Cinta cortada S/16.66 S/10.94 S/8.14 S/6.85 S/6.34 Envase tipo carrete S/5.96 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ520N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/7.55 18,555En existencias 15,000Se espera el 29/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ520N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ520N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	18,555En existencias 15,000Se espera el 29/10/2026	Cinta cortada S/7.55 S/4.67 S/3.06 S/2.40 Envase tipo carrete S/1.61 Ver S/2.06 S/1.90 S/1.60 S/1.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 IPA057N08N3 G Infineon Technologies 1: S/11.83 3,429En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA057N08N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPA057N08N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	3,429En existencias	S/11.83 S/5.88 S/5.41 S/4.36 S/3.83	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: S/8.25 360En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA040N06NXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA040N06NXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	360En existencias	S/8.25 S/3.97 S/3.55 S/2.81 Ver S/2.59 S/2.50 S/2.43 S/2.34	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3 IPA045N10N3 G Infineon Technologies 1: S/18.37 3En existencias 1,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA045N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPA045N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	3En existencias 1,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA045N10N3 G Existencias: 3 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 8/10/2026 500 Se espera el 15/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 3 Semanas	S/18.37 S/10.86 S/8.64 S/6.81 S/6.73	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: S/7.28 171En existencias 1,000Se espera el 19/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA060N06NXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA060N06NXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	171En existencias 1,000Se espera el 19/10/2026	S/7.28 S/3.47 S/3.10 S/2.44 Ver S/2.25 S/2.16 S/2.12 S/2.00	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB017N06N3 G Infineon Technologies 1: S/22.50 540En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB017N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N06N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	540En existencias	Cinta cortada S/22.50 S/14.71 S/10.86 S/9.65 Envase tipo carrete S/8.56 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB025N10N3 G Infineon Technologies 1: S/24.60 280En existencias 3,800En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPB025N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB025N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	280En existencias 3,800En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPB025N10N3 G Existencias: 280 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 8/10/2026 1,800 Se espera el 19/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 2 Semanas	Cinta cortada S/24.60 S/16.11 S/11.87 S/10.74 Envase tipo carrete S/9.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP034NE7N3 G Infineon Technologies 1: S/14.29 594En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP034NE7N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP034NE7N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	594En existencias	S/14.29 S/7.20 S/6.50 S/5.45 Ver S/5.10 S/4.98 S/4.94	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 IPP076N12N3 G Infineon Technologies 1: S/14.95 224En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP076N12N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP076N12N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	224En existencias	S/14.95 S/7.55 S/6.85 S/5.53 S/5.41	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 IPP600N25N3 G Infineon Technologies 1: S/13.55 695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP600N25N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP600N25N3GXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	695En existencias	S/13.55 S/8.84 S/6.19 S/5.18 Ver S/4.79 S/4.52	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3 IPA032N06N3 G Infineon Technologies 1: S/16.27 364En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPA032N06N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPA032N06N3G Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3	Hoja de datos	364En existencias	S/16.27 S/10.67 S/7.94 S/6.19 S/5.80	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC042NE7NS3 G Infineon Technologies 1: S/10.04 110En existencias 5,000Se espera el 13/09/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC042NE7NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC042NE7NS3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	110En existencias 5,000Se espera el 13/09/2027	Cinta cortada S/10.04 S/6.46 S/4.40 S/3.71 Ver Envase tipo carrete S/2.95 S/3.29 S/3.20 S/2.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ340N08NS3 G Infineon Technologies 1: S/6.38 24En existencias 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ340N08NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ340N08NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	24En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada S/6.38 S/3.93 S/2.60 S/2.04 Ver Envase tipo carrete S/1.41 S/1.75 S/1.58 S/1.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB039N10N3 G Infineon Technologies 1: S/13.78 184En existencias 1,000Se espera el 18/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB039N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB039N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	184En existencias 1,000Se espera el 18/01/2027	Cinta cortada S/13.78 S/8.95 S/6.27 S/5.25 Envase tipo carrete S/4.87 S/4.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Tipos de Semiconductores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte