Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC520N15NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
26,764 En existencias
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S/8.17
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA057N08N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
3,479 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
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1,294 En existencias
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1,294 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
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545 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
545 En existencias
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4,000 Se espera el 18/06/2026
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13 Semanas
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S/29.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
446 En existencias
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S/10.90
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S/3.86
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.67
274 En existencias
1,500 Se espera el 3/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
274 En existencias
1,500 Se espera el 3/09/2026
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S/14.67
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1,000
S/4.52
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S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/10.24
155 En existencias
500 Se espera el 18/06/2026
N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
155 En existencias
500 Se espera el 18/06/2026
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S/10.24
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S/3.11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.58
282 En existencias
500 Se espera el 11/06/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
282 En existencias
500 Se espera el 11/06/2026
Embalaje alternativo
1
S/22.58
10
S/18.10
100
S/14.91
500
S/12.65
1,000
S/11.48
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA032N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.57
391 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
391 En existencias
1
S/15.57
10
S/10.16
100
S/7.94
500
S/5.76
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC077N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/13.86
7,639 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC077N12NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
7,639 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.86
10
S/9.03
100
S/6.93
500
S/5.92
5,000
S/5.02
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Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/12.57
3,603 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
3,603 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/12.57
10
S/8.14
100
S/5.80
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S/4.87
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S/4.20
1,000
S/4.52
2,500
S/4.20
5,000
S/4.20
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/16.70
3,780 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
3,780 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/16.70
10
S/10.86
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S/8.52
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S/7.12
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S/6.15
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S/6.62
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S/6.15
5,000
S/6.15
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Mult.: 1
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5,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPP040N06NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.71
2,195 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NF2SAKM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,195 En existencias
1
S/7.71
10
S/3.70
100
S/3.30
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S/2.62
1,000
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1,000
S/2.39
2,000
S/2.27
5,000
S/2.11
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/16.27
689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP048N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
689 En existencias
1
S/16.27
10
S/9.23
100
S/8.56
500
S/8.52
1,000
S/7.98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP076N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/11.99
255 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
255 En existencias
1
S/11.99
10
S/5.96
100
S/5.37
500
S/4.32
1,000
S/3.85
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Min.: 1
Mult.: 1
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