Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC042NE7NS3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
2,137 En existencias
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S/7.12
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S/2.39
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
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1,000 Se espera el 13/08/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
910 En existencias
1,000 Se espera el 13/08/2026
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S/28.22
10
S/18.88
100
S/15.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB320N20N3 G
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2,845 En existencias
2,000 Se espera el 30/07/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,845 En existencias
2,000 Se espera el 30/07/2026
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S/15.26
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP048N12N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
682 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N25N3 G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
192 En existencias
1,000 En pedido
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1
S/29.12
10
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100
S/14.32
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC100N10NSF G
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1:
S/10.12
4,913 En existencias
5,000 Se espera el 17/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC100N10NSFG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
4,913 En existencias
5,000 Se espera el 17/09/2026
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100
S/4.48
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1,000
S/3.44
5,000
S/3.10
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA086N10N3 G
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6,139 En existencias
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726-IPA086N10N3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3
6,139 En existencias
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S/13.16
10
S/6.58
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S/5.96
500
S/5.02
1,000
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1,000
S/4.67
2,500
S/4.44
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
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1:
S/31.14
1,650 En existencias
13,998 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,650 En existencias
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1,650 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,998 Se espera el 31/07/2026
1,000 Se espera el 24/08/2026
6,000 Se espera el 27/05/2027
5,000 Se espera el 5/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/31.14
10
S/21.95
100
S/17.75
500
S/15.76
1,000
S/14.13
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1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA032N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/17.83
371 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPA032N06N3G
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3
371 En existencias
1
S/17.83
10
S/11.68
100
S/8.72
500
S/7.28
1,000
Ver
1,000
S/6.77
2,500
S/6.34
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N12NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.84
4,044 En existencias
30,000 Se espera el 17/09/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N12NS3GXT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
4,044 En existencias
30,000 Se espera el 17/09/2026
1
S/8.84
10
S/5.61
100
S/3.78
500
S/3.06
1,000
S/2.79
5,000
S/2.47
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Min.: 1
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Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/8.25
390 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
390 En existencias
1
S/8.25
10
S/3.97
100
S/3.89
500
S/2.81
1,000
Ver
1,000
S/2.38
5,000
S/2.34
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/7.86
118 En existencias
500 Se espera el 24/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS
118 En existencias
500 Se espera el 24/08/2026
1
S/7.86
10
S/4.16
100
S/3.24
500
S/2.44
1,000
Ver
1,000
S/2.06
5,000
S/1.96
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Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB017N06N3 G
Infineon Technologies
1:
S/22.50
540 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
540 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/22.50
10
S/14.71
100
S/10.86
500
S/9.65
1,000
S/8.56
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC320N20NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.21
2,571 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC320N20NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
2,571 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/14.21
10
S/9.23
100
S/6.46
500
S/5.41
1,000
Ver
5,000
S/4.71
1,000
S/5.02
2,500
S/4.71
5,000
S/4.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC600N25NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/16.66
3,402 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC600N25NS3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
3,402 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/16.66
10
S/10.94
100
S/8.14
500
S/6.85
1,000
S/6.34
5,000
S/5.96
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
1:
S/8.84
22,807 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ520N15NS3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
22,807 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/8.84
10
S/5.61
100
S/3.78
500
S/3.07
1,000
Ver
5,000
S/2.45
1,000
S/2.75
2,500
S/2.69
5,000
S/2.45
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
IPA045N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/18.37
52 En existencias
1,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPA045N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3
52 En existencias
1,500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
52 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
500 Se espera el 1/10/2026
1,000 Se espera el 22/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
49 Semanas
1
S/18.37
10
S/12.03
100
S/8.99
500
S/6.93
1,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB039N10N3 G
Infineon Technologies
1:
S/16.50
1,194 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB039N10N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,194 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/16.50
10
S/10.82
100
S/8.10
500
S/7.05
1,000
S/5.96
2,000
S/5.88
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP034NE7N3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.29
635 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP034NE7N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
635 En existencias
1
S/14.29
10
S/7.20
100
S/6.85
1,000
S/4.94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP076N12N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.03
239 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP076N12N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
239 En existencias
1
S/15.03
10
S/9.81
100
S/7.12
500
S/5.99
1,000
Ver
1,000
S/5.53
2,500
S/5.22
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
IPP320N20N3 G
Infineon Technologies
1:
S/14.40
14 En existencias
500 Se espera el 10/09/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP320N20N3GXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
14 En existencias
500 Se espera el 10/09/2026
Embalaje alternativo
1
S/14.40
10
S/11.41
1,000
S/5.68
2,500
S/4.79
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles