MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

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Resultados: 31

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

SCT3017ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/392.36
360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3017ALHRC11

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755-SCT3017ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

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360En existencias

S/392.36

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Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

118 A

22.1 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

SCT3022KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/443.63
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

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199En existencias

S/443.63

S/443.59

S/443.55

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Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/85.79
393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

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S/85.79

S/68.20

S/68.16

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

2.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/52.67
1,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

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S/52.67

S/51.19

S/51.15

Presupuesto

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/138.14
376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

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376En existencias

S/138.14

S/138.07

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/234.87
695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

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695En existencias

S/234.87

S/234.83

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

SCT3040KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/145.89
477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

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S/145.89

S/145.85

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/27.21
1,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

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S/27.21

S/24.25

S/24.21

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TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

SCT3160KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/34.88
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KLHRC11

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755-SCT3160KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

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506En existencias

S/34.88

Presupuesto

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/210.97
352En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

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352En existencias

S/210.97

Presupuesto

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/48.34
376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

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376En existencias

S/48.34

S/46.55

S/46.52

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TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

SCT3060ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/94.67
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

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428En existencias

S/94.67

S/62.32

S/60.80

S/60.76

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

SCT3105KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/65.08
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

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169En existencias

S/65.08

S/55.00

S/49.16

S/47.18

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

SCT3040KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/164.69
61En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

Hoja de datos

61En existencias

S/164.69

S/154.49

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

40 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

SCT3030ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/138.38
235En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos

235En existencias

S/138.38

S/132.35

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3080ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/73.49
529En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

529En existencias

S/73.49

S/47.76

S/44.61

S/44.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

SCT3060ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/80.15
714En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

Hoja de datos

714En existencias

S/80.15

S/63.10

S/63.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

60 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3105KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/59.09
87En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

87En existencias

S/59.09

S/49.90

S/48.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

105 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA

SCT3160KWAHRTL
ROHM Semiconductor
1: S/35.81
990En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWAHRTL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWAHRTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7LA

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990En existencias

Cinta cortada

S/35.81

S/26.62

S/22.19

S/20.12

Envase tipo carrete

S/17.05

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

SCT3160KWATL
ROHM Semiconductor
1: S/35.54
983En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWATL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWATL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

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Hoja de datos

983En existencias

Cinta cortada

S/35.54

S/25.85

S/21.53

S/19.50

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

SCT3080KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/63.33
147En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

Hoja de datos

147En existencias

S/63.33

S/40.87

S/37.84

S/37.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

SCT3022KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/202.33
66En existencias
450Se espera el 12/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

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66En existencias

450Se espera el 12/08/2026

S/202.33

S/160.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/110.35
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

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102En existencias

S/110.35

S/87.43

S/77.89

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/149.55
322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

322En existencias

S/149.55

S/116.19

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/59.75
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

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