MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

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Resultados: 31

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/93.11
1,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

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1,137En existencias

S/93.11

S/59.01

S/57.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/191.63
389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

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389En existencias

S/191.63

S/157.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/181.47
376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

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S/181.47

S/157.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

SCT3022KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/478.62
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

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199En existencias

S/478.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/60.10
1,629En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

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1,629En existencias

S/60.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/256.98
352En existencias

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SCT3030KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

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352En existencias

S/256.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

SCT3017ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/491.90
356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3017ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3017ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

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356En existencias

S/491.90

S/451.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

118 A

22.1 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/319.15
685En existencias

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SCT3030KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

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685En existencias

S/319.15

S/270.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

SCT3040KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/190.85
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

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460En existencias

S/190.85

S/166.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

SCT3160KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/69.52
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

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506En existencias

S/69.52

S/43.01

S/40.13

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

SCT3060ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/103.89
714En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

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714En existencias

S/103.89

S/67.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

60 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/53.52
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

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366En existencias

S/53.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

SCT3060ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/98.29
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

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428En existencias

S/98.29

S/69.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

SCT3105KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/78.63
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

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169En existencias

S/78.63

S/66.68

S/57.84

S/54.65

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

SCT3030ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/200.31
215En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos

215En existencias

S/200.31

S/153.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

SCT3040KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/195.79
61En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

Hoja de datos

61En existencias

S/195.79

S/160.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

40 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

SCT3080KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/74.04
150En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

Hoja de datos

150En existencias

S/74.04

S/46.05

S/43.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3080ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/84.23
529En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

529En existencias

S/84.23

S/66.68

S/57.69

S/54.57

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3105KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/89.22
87En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

87En existencias

S/89.22

S/56.44

S/56.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

105 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

SCT3160KWAHRTL
ROHM Semiconductor
1: S/38.50
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWAHRTL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWAHRTL

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

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Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/38.50

S/26.39

S/19.77

Envase tipo carrete

S/18.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

SCT3160KWATL
ROHM Semiconductor
1: S/37.64
953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWATL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWATL

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

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Hoja de datos

953En existencias

Cinta cortada

S/37.64

S/25.77

S/19.19

Envase tipo carrete

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/119.69
107En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

107En existencias

S/119.69

S/86.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/163.45
149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

149En existencias

S/163.45

S/118.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/45.50
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

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Hoja de datos

902En existencias

S/45.50

S/29.74

S/27.87

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/108.13
160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

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Hoja de datos

Comentarios de Producto

160En existencias

S/108.13

S/73.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

2.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

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