MOSFETs de SiC – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/93.11
1,104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,104En existencias

S/93.11

S/59.09

S/51.65

S/51.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

SCT3022KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/470.64
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

199En existencias

S/470.64

S/466.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/73.57
1,619En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,619En existencias

S/73.57

S/59.67

S/59.36

S/58.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N

SCT3120ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/34.10
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3120ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3120ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

450En existencias

S/34.10

S/24.44

S/22.27

S/20.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

156 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

38 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

SCT3160KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/69.52
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

506En existencias

S/69.52

S/40.17

S/37.17

S/36.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/177.46
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

366En existencias

S/177.46

S/141.06

S/138.07

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/299.02
685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

685En existencias

S/299.02

S/234.83

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

SCT3040KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/186.53
460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

460En existencias

S/186.53

S/148.11

S/145.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/234.37
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030KLHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

348En existencias

S/234.37

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

SCT3017ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/459.35
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3017ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3017ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

350En existencias

S/459.35

S/392.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

118 A

22.1 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

SCT3060ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/103.85
704En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

Hoja de datos

704En existencias

S/103.85

S/66.56

S/58.43

S/58.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

60 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/53.41
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

366En existencias

S/53.41

S/47.10

S/47.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

SCT3060ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: S/92.45
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALHRC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

428En existencias

S/92.45

S/62.75

S/60.80

S/59.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

SCT3105KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/61.15
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

Obtenga más información

Hoja de datos

169En existencias

S/61.15

S/58.15

S/57.18

S/57.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3080ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/84.16
529En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

529En existencias

S/84.16

S/66.76

S/57.69

S/54.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

SCT3040KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/209.46
61En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

Hoja de datos

61En existencias

S/209.46

S/142.58

S/139.86

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

40 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

SCT3080KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/74.00
150En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

Hoja de datos

150En existencias

S/74.00

S/46.01

S/39.94

S/39.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3105KRC14
ROHM Semiconductor
1: S/89.10
87En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3105KRC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3105KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

Hoja de datos

87En existencias

S/89.10

S/56.40

S/56.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

105 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

SCT3160KWAHRTL
ROHM Semiconductor
1: S/38.50
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWAHRTL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWAHRTL

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/38.50

S/26.39

S/19.77

Envase tipo carrete

S/18.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

SCT3160KWATL
ROHM Semiconductor
1: S/37.64
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KWATL

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KWATL

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

753En existencias

Cinta cortada

S/37.64

S/25.77

S/19.19

Envase tipo carrete

S/18.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

SCT3030ARC14
ROHM Semiconductor
1: S/200.31
195En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ARC14

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Hoja de datos

195En existencias

S/200.31

S/151.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/206.30
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

258En existencias

S/206.30

S/159.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/118.22
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

84En existencias

S/118.22

S/86.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: S/163.45
139En existencias
450Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

139En existencias

450Se espera el 18/01/2027

S/163.45

S/119.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: S/46.79
867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

Obtenga más información

Hoja de datos

867En existencias

S/46.79

S/29.51

S/28.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte