Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 137

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

STD11N65M5
STMicroelectronics
1: S/9.11
1,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

1,330En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/6.27

S/4.32

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

480 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

STD8NM50N
STMicroelectronics
1: S/11.44
1,037En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

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Hoja de datos

1,037En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.40

S/5.45

S/4.55

S/3.89

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

STF18NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.74
309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

Hoja de datos

309En existencias

S/13.74

S/8.91

S/6.81

S/5.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

STF31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.58
229En existencias
1,000Se espera el 6/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh

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Hoja de datos

229En existencias

1,000Se espera el 6/04/2026

S/19.58

S/10.20

S/9.26

S/7.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

30 W

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60
STMicroelectronics
1: S/19.73
306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

306En existencias

S/19.73

S/10.47

S/9.54

S/7.90

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

30 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STP16N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.91
376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

376En existencias

S/14.91

S/7.59

S/6.85

S/5.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

299 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.75
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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Hoja de datos

757En existencias

S/14.75

S/7.75

S/7.01

S/5.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.4 A

220 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.20
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

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Hoja de datos

913En existencias

S/13.20

S/6.66

S/5.99

S/4.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50
STMicroelectronics
1: S/25.30
259En existencias
1,000Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

259En existencias

1,000Se espera el 13/04/2026

S/25.30

S/12.85

S/11.95

S/10.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FP
STMicroelectronics
1: S/31.10
313En existencias
1,000Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

313En existencias

1,000Se espera el 9/03/2026

S/31.10

S/21.95

S/18.29

S/16.31

S/14.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

STP23NM50N
STMicroelectronics
1: S/23.08
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

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Hoja de datos

212En existencias

S/23.08

S/14.32

S/12.65

S/9.11

S/8.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

162 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

STP8NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.03
597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

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Hoja de datos

597En existencias

S/12.03

S/5.99

S/5.41

S/4.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

STW26NM60N
STMicroelectronics
1: S/29.66
335En existencias
600Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

Hoja de datos

335En existencias

600Se espera el 4/05/2026

S/29.66

S/17.59

S/12.92

S/12.88

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.58
15En existencias
600Se espera el 9/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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Hoja de datos

15En existencias

600Se espera el 9/03/2026

S/22.58

S/14.05

S/10.00

S/9.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

139 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.27
600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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Hoja de datos

600En existencias

S/19.27

S/12.81

S/10.16

S/9.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

STW34NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.63
172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

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Hoja de datos

172En existencias

S/33.63

S/23.39

S/20.12

S/19.58

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31.5 A

105 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.91
3,951Se espera el 16/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

3,951Se espera el 16/03/2026

S/30.91

S/21.80

S/18.18

S/16.19

S/14.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: S/64.46
2,979Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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Hoja de datos

2,979Se espera el 28/09/2026

S/64.46

S/49.86

S/43.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh

STF22NM60N
STMicroelectronics
1: S/25.03
442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh

Hoja de datos

442En existencias

S/25.03

S/15.49

S/13.94

S/12.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

STF42N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.94
44En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

44En existencias

S/23.94

S/21.72

S/20.82

S/20.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

79 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS

STI24NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.50
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

S/19.50

S/15.61

S/12.61

S/11.33

S/9.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

STB13NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.15
Plazo de entrega 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

Hoja de datos

Plazo de entrega 14 Semanas

Cinta cortada

S/19.15

S/15.34

S/12.42

S/11.02

Envase tipo carrete

S/9.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STB34N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/10.32
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB35N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.00
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB35N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/29.00

S/20.47

S/17.05

S/15.18

Envase tipo carrete

S/13.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

STF34N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.63
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/23.63

S/16.50

S/13.35

S/12.03

S/9.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W