Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 135

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

STF9NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.28
600En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

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600En existencias

2,000En pedido

S/10.28

S/6.38

S/4.32

S/3.49

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Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: S/26.24
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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366En existencias

S/26.24

S/14.99

S/13.74

S/12.34

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

STP23NM50N
STMicroelectronics
1: S/26.31
15En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch

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1,000En pedido

S/26.31

S/15.34

S/11.68

S/10.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

162 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.37
358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

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358En existencias

S/31.37

S/16.97

S/15.57

S/14.56

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/24.83
400En existencias
1,000Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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400En existencias

1,000Se espera el 5/02/2027

S/24.83

S/13.12

S/11.99

S/10.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

STP8NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.85
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

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547En existencias

S/12.85

S/6.42

S/5.80

S/4.71

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60
STMicroelectronics
1: S/31.68
32En existencias
600Se espera el 30/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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32En existencias

600Se espera el 30/07/2027

S/31.68

S/19.42

S/15.38

S/13.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.43
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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5En existencias

S/26.43

S/17.67

S/14.21

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

139 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
1: S/37.06
54En existencias
1,200Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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54En existencias

1,200Se espera el 29/01/2027

S/37.06

S/23.04

S/19.89

S/17.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

STY139N65M5
STMicroelectronics
1: S/132.23
Plazo de entrega 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STY139N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY139N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

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Plazo de entrega 26 Semanas

S/132.23

S/107.90

S/95.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

17 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

363 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh

STF22NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.02
390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh

Hoja de datos

390En existencias

S/18.02

S/11.79

S/8.80

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.45
2,000Se espera el 12/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

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2,000Se espera el 12/02/2027

S/15.45

S/10.08

S/7.32

S/6.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

9.4 A

220 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

STP18NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.75
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh

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Hoja de datos

2,000En pedido

S/14.75

S/7.55

S/6.34

S/5.53

S/5.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/36.71
1,688Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

1,688Se espera el 29/01/2027

S/36.71

S/21.49

S/19.81

S/16.85

S/16.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.04
1,999Se espera el 16/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,999Se espera el 16/04/2027

S/42.04

S/23.36

S/21.56

S/18.41

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp

STW45NM60
STMicroelectronics
1: S/58.97
600En existencias
600Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW45NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STW45NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp

Hoja de datos

600En existencias

600Se espera el 24/08/2026

S/58.97

S/44.92

S/37.41

S/33.36

S/28.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

134 nC

- 65 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

STF42N65M5
STMicroelectronics
1: S/35.73
31En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 33A MDMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

S/35.73

S/33.40

S/22.34

S/20.20

S/20.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

79 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS

STI24NM60N
STMicroelectronics
1: S/25.53
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

S/25.53

S/13.47

S/11.68

S/10.24

S/9.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

STB13NM60N
STMicroelectronics
1: S/24.72
Plazo de entrega 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH

Hoja de datos

Plazo de entrega 24 Semanas

Cinta cortada

S/24.72

S/16.58

S/11.95

S/10.98

Envase tipo carrete

S/9.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STB34N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/11.95
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.95

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB35N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/14.21
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STB35N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB35N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/14.21

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

STF34N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.68
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/27.68

S/18.14

S/13.35

S/11.87

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

STF8NM50N
STMicroelectronics
1: S/10.39
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STF8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO

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S/10.39

S/5.14

S/4.55

S/3.69

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh

STI21N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/8.95
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STI21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STI21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh

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S/8.95

S/8.33

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

179 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

STP15N65M5
STMicroelectronics
1,000: S/4.24
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP15N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

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S/4.24

S/3.97

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

340 mOhms

85 W

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W