Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 134

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STB20NM50T4 STMicroelectronics 1: S/25.61 957En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB20NM50T4 N.º de artículo de Mouser 511-STB20NM50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp	Hoja de datos	957En existencias	Cinta cortada S/25.61 S/13.58 S/12.42 S/12.18 Envase tipo carrete S/10.70 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V			- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh STF13NM60N STMicroelectronics 1: S/22.19 638En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF13NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF13NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh	Hoja de datos	638En existencias	S/22.19 S/11.02 S/9.26 S/8.84	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	360 mOhms	25 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh STF21N65M5 STMicroelectronics 1: S/22.97 899En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF21N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STF21N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	899En existencias	S/22.97 S/12.26 S/11.05 S/9.73 Ver S/9.30 S/8.95	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	17 A	150 mOhms	25 V	3 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II STP14NM50N STMicroelectronics 1: S/20.98 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP14NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STP14NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II	Hoja de datos	700En existencias	S/20.98 S/10.90 S/9.93 S/8.33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	12 A	280 mOhms	25 V	4 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power STW26NM60N STMicroelectronics 1: S/32.04 692En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW26NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STW26NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power	Hoja de datos	692En existencias	S/32.04 S/18.65 S/17.01 S/16.39	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	165 mOhms	30 V	2 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 STW38N65M5 STMicroelectronics 1: S/25.38 1,718En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW38N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW38N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	1,718En existencias	S/25.38 S/17.32 S/15.22 S/15.10 S/15.03	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms	25 V	3 V	71 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V STB80N20M5 STMicroelectronics 1: S/28.34 1,394En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB80N20M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB80N20M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V	Hoja de datos	1,394En existencias	Cinta cortada S/28.34 S/16.27 S/13.70 S/12.18 Envase tipo carrete S/10.74 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	61 A	23 mOhms	25 V	5 V	104 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR STF23NM50N STMicroelectronics 1: S/25.15 796En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF23NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STF23NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	796En existencias	S/25.15 S/14.95 S/12.11 S/10.47 S/9.89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	17 A	190 mOhms	25 V	2 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 STP18N55M5 STMicroelectronics 1: S/15.34 2,043En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP18N55M5 N.º de artículo de Mouser 511-STP18N55M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	2,043En existencias	S/15.34 S/7.98 S/7.20 S/5.92 S/5.33	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	550 V	13 A	240 mOhms	25 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	90 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp STP20NM50 STMicroelectronics 1: S/25.65 999En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP20NM50 N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	999En existencias	S/25.65 S/14.67 S/12.77 S/11.79	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	20 A	250 mOhms	30 V	3 V	56 nC	- 65 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II STW48NM60N STMicroelectronics 1: S/38.50 914En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW48NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STW48NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II	Hoja de datos	914En existencias	S/38.50 S/20.75 S/19.15 S/18.96 S/18.26	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	39 A	70 mOhms	25 V	2 V	124 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp STB11NM60T4 STMicroelectronics 1: S/22.03 871En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB11NM60T4 N.º de artículo de Mouser 511-STB11NM60	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp	Hoja de datos	871En existencias	Cinta cortada S/22.03 S/11.52 S/10.51 S/9.42 Envase tipo carrete S/8.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	450 mOhms	30 V	5 V	30 nC	- 65 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STF11NM80 STMicroelectronics 1: S/30.32 861En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF11NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STF11NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	861En existencias	S/30.32 S/16.35 S/14.99 S/13.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh STU7NM60N STMicroelectronics 1: S/12.18 1,708En existencias	N.º de artículo del Fabricante STU7NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STU7NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	1,708En existencias	S/12.18 S/5.68 S/5.18 S/4.40 Ver S/4.16 S/3.97 S/3.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	5 A	900 mOhms	25 V	2 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh STW77N65M5 STMicroelectronics 1: S/67.69 495En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW77N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW77N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	495En existencias	S/67.69 S/39.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	30 mOhms	25 V	4 V	200 nC	- 55 C	+ 125 C	400 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II STB28NM50N STMicroelectronics 1: S/32.54 806En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB28NM50N N.º de artículo de Mouser 511-STB28NM50N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	806En existencias	Cinta cortada S/32.54 S/17.63 S/16.19 S/15.84 Envase tipo carrete S/14.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	158 mOhms	25 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh STF24NM60N STMicroelectronics 1: S/19.15 2,083En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF24NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF24NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh	Hoja de datos	2,083En existencias	S/19.15 S/9.89 S/8.99 S/7.40 S/7.36	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	17 A	190 mOhms	30 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp STP12NM50FP STMicroelectronics 1: S/20.20 1,226En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP12NM50FP N.º de artículo de Mouser 511-STP12NM50FP	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp	Hoja de datos	1,226En existencias	S/20.20 S/11.95 S/10.43 S/8.99	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	12 A	350 mOhms	30 V	3 V	39 nC	- 65 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS STW69N65M5 STMicroelectronics 1: S/49.86 643En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW69N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STW69N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	643En existencias	S/49.86 S/33.16 S/31.18 S/28.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	58 A	45 mOhms	25 V	3 V	143 nC	- 55 C	+ 150 C	330 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp STP11NM60 STMicroelectronics 1: S/21.45 1,088En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP11NM60 N.º de artículo de Mouser 511-STP11NM60	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp	Hoja de datos	1,088En existencias	S/21.45 S/11.21 S/10.67 S/8.87 Ver S/8.21 S/8.14	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	450 mOhms	30 V	5 V	30 nC	- 65 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STW11NM80 STMicroelectronics 1: S/26.35 1,119En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW11NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STW11NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	1,119En existencias	S/26.35 S/13.66 S/12.53 S/11.13	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp STW26NM50 STMicroelectronics 1: S/51.34 677En existencias	N.º de artículo del Fabricante STW26NM50 N.º de artículo de Mouser 511-STW26NM50	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp	Hoja de datos	677En existencias	S/51.34 S/28.49 S/27.29	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	30 A	120 mOhms	30 V	5 V	76 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh STB18NM80 STMicroelectronics 1: S/22.85 1,316En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB18NM80 N.º de artículo de Mouser 511-STB18NM80	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro mdmesh	Hoja de datos	1,316En existencias	Cinta cortada S/22.85 S/11.99 S/10.94 S/9.93 Envase tipo carrete S/9.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	295 mOhms	30 V	5 V	70 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 STB31N65M5 STMicroelectronics 1: S/23.00 980En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB31N65M5 N.º de artículo de Mouser 511-STB31N65M5	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicromdmeshv	Hoja de datos	980En existencias	Cinta cortada S/23.00 S/13.00 S/11.25 S/9.42 Envase tipo carrete S/8.41 Ver S/8.29 S/8.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	22 A	148 mOhms	25 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh STF26NM60N STMicroelectronics 1: S/34.29 1,763En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF26NM60N N.º de artículo de Mouser 511-STF26NM60N	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh	Hoja de datos	1,763En existencias	S/34.29 S/18.68 S/17.17 S/16.04	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	165 mOhms	30 V	3 V	60 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	MDmesh	Tube