Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 135

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STB31N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.00
840En existencias

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STB31N65M5

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511-STB31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

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840En existencias

Cinta cortada

S/23.00

S/15.06

S/11.25

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.52

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STB11NM80T4
STMicroelectronics
1: S/33.86
1,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM80T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Cinta cortada

S/33.86

S/23.04

S/16.93

S/16.70

Envase tipo carrete

S/15.57

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STB38N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.00
757En existencias

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STB38N65M5

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511-STB38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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757En existencias

Cinta cortada

S/29.00

S/19.58

S/14.25

S/13.58

Envase tipo carrete

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S/11.05

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

30 A

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+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STF12N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,671En existencias

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STF12N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/13.55

S/6.77

S/5.41

S/5.10

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1 Channel

650 V

8.5 A

430 mOhms

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4 V

20 nC

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+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

STW30N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.35
610En existencias

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STW30N65M5

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511-STW30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A

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610En existencias

S/26.35

S/15.03

S/12.53

S/11.17

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650 V

22 A

139 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

64 nC

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+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

STW34NM60N
STMicroelectronics
1: S/31.57
623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

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623En existencias

S/31.57

S/23.00

S/19.70

S/19.66

S/19.58

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1 Channel

600 V

31.5 A

105 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

STW26NM50
STMicroelectronics
1: S/48.34
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

Hoja de datos

693En existencias

S/48.34

S/30.05

S/23.55

S/23.51

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500 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

76 nC

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+ 150 C

313 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: S/25.61
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

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957En existencias

Cinta cortada

S/25.61

S/17.17

S/12.42

S/12.18

Envase tipo carrete

S/10.74

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

STF13NM60N
STMicroelectronics
1: S/23.36
662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13NM60N

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511-STF13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

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662En existencias

S/23.36

S/15.30

S/11.25

S/10.00

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N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

STF21N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.16
909En existencias

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STF21N65M5

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511-STF21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

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S/23.16

S/12.26

S/11.13

S/9.73

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N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STP14NM50N
STMicroelectronics
1: S/23.16
730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

730En existencias

S/23.16

S/15.18

S/11.29

S/9.46

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.04
1,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,781En existencias

S/42.04

S/23.36

S/21.56

S/18.41

S/18.10

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/28.38
1,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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S/28.38

S/17.91

S/14.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/35.34
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

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1,783En existencias

S/35.34

S/24.87

S/20.12

S/17.91

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FP
STMicroelectronics
1: S/28.80
1,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

1,236En existencias

S/28.80

S/17.24

S/14.13

S/13.43

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STP28NM50N
STMicroelectronics
1: S/28.57
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

707En existencias

S/28.57

S/15.30

S/14.01

S/12.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STW28NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.17
634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

634En existencias

S/30.17

S/18.84

S/16.50

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.71
505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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Hoja de datos

505En existencias

S/43.71

S/26.27

S/22.03

S/20.32

S/19.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.52
1,285En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,285En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.50

S/6.62

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

STF23NM50N
STMicroelectronics
1: S/24.64
798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR

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Hoja de datos

798En existencias

S/24.64

S/13.43

S/11.87

S/10.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
1: S/15.34
2,043En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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Hoja de datos

2,043En existencias

S/15.34

S/7.47

S/6.85

S/5.92

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
1: S/38.50
930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

Hoja de datos

930En existencias

S/38.50

S/22.11

S/16.62

S/16.58

S/16.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/31.88
866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Hoja de datos

866En existencias

S/31.88

S/21.33

S/17.17

S/15.26

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/22.97
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

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938En existencias

S/22.97

S/12.07

S/11.25

S/10.00

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

15.5 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.18
1,708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

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1,708En existencias

S/12.18

S/5.37

S/4.98

S/4.40

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W