Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 135

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50
STMicroelectronics
1: S/24.44
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,031En existencias

S/24.44

S/13.55

S/11.83

S/10.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

39 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP13NM60N
STMicroelectronics
1: S/20.98
1,591En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

Hoja de datos

1,591En existencias

S/20.98

S/10.94

S/9.96

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STP18NM80
STMicroelectronics
1: S/33.86
649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

649En existencias

S/33.86

S/18.45

S/16.93

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50
STMicroelectronics
1: S/26.47
1,019En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,019En existencias

S/26.47

S/14.67

S/13.20

S/11.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

STP26NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.40
955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

Obtenga más información

Hoja de datos

955En existencias

S/33.40

S/18.14

S/16.66

S/15.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.37
558En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

558En existencias

S/31.37

S/16.97

S/15.57

S/14.56

S/14.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STP34N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.27
1,205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,205En existencias

S/26.27

S/13.97

S/12.77

S/11.87

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch

STP34NM60N
STMicroelectronics
1: S/44.49
866En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

866En existencias

S/44.49

S/24.87

S/23.47

S/21.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

92 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/44.49
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

281En existencias

S/44.49

S/29.19

S/26.12

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STW18NM80
STMicroelectronics
1: S/35.73
386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

386En existencias

S/35.73

S/24.41

S/20.12

S/17.94

S/16.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

STW26NM60N
STMicroelectronics
1: S/34.92
716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

Hoja de datos

716En existencias

S/34.92

S/18.65

S/17.17

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.58
1,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,800En existencias

S/22.58

S/12.49

S/11.05

S/9.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.9 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

STW34NM60N
STMicroelectronics
1: S/38.34
627En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M

Obtenga más información

Hoja de datos

627En existencias

S/38.34

S/24.41

S/22.85

S/22.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31.5 A

105 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 45 Amp

STW45NM50
STMicroelectronics
1: S/57.49
522En existencias
1,800Se espera el 18/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW45NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW45NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 45 Amp

Hoja de datos

522En existencias

1,800Se espera el 18/08/2026

S/57.49

S/34.99

S/30.05

S/27.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

45 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

113 nC

- 65 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/41.10
326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

326En existencias

S/41.10

S/26.00

S/21.76

S/19.38

S/18.33

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

STY60NM60
STMicroelectronics
1: S/100.27
191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY60NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STY60NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

Hoja de datos

191En existencias

S/100.27

S/64.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

560 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/22.30
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

529En existencias

Cinta cortada

S/22.30

S/14.60

S/10.90

S/9.11

Envase tipo carrete

S/8.45

S/7.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STB20NM60T4
STMicroelectronics
1: S/23.00
68En existencias
1,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

68En existencias

1,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/23.00

S/15.06

S/11.25

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

STD11N65M5
STMicroelectronics
1: S/10.47
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

774En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/3.70

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

9 A

480 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STD11NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.18
1,289En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,289En existencias

Cinta cortada

S/12.18

S/6.85

S/5.41

S/4.40

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8.5 A

470 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/11.44
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

82En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/6.27

S/5.45

S/4.55

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: S/18.84
634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

634En existencias

Cinta cortada

S/18.84

S/12.46

S/8.84

S/7.63

S/7.55

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

STD8NM50N
STMicroelectronics
1: S/12.26
863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD8NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

863En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.94

S/5.49

S/4.59

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

790 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

STF18NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.26
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh

Hoja de datos

990En existencias

S/15.26

S/7.75

S/7.01

S/5.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13 A

260 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: S/35.27
1En existencias
2,000Se espera el 18/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

1En existencias

2,000Se espera el 18/06/2027

S/35.27

S/18.61

S/17.13

S/15.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W