Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 137

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

STF28NM50N
STMicroelectronics
1: S/28.92
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

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1,000En existencias

S/28.92

S/15.96

S/14.64

S/12.46

S/12.42

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/38.93
1,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,996En existencias

S/38.93

S/29.51

S/24.56

S/21.91

S/19.50

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/54.46
338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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338En existencias

S/54.46

S/40.64

S/35.15

S/33.28

S/28.26

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1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

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+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STP10NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.75
5,160En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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S/14.75

S/7.51

S/6.77

S/5.57

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1 Channel

600 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

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+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50
STMicroelectronics
1: S/19.11
1,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

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S/19.11

S/9.30

S/8.64

S/8.10

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N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

39 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP13NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.89
911En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

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911En existencias

S/19.89

S/13.20

S/10.47

S/9.34

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N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: S/23.59
1,007En existencias

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STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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S/23.59

S/14.01

S/12.85

S/10.94

S/10.59

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N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

STP26NM60N
STMicroelectronics
1: S/29.19
1,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power

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S/29.19

S/15.92

S/14.60

S/13.51

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STP28NM50N
STMicroelectronics
1: S/26.70
731En existencias

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STP28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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S/26.70

S/14.29

S/13.08

S/11.17

S/10.86

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch

STP34NM60N
STMicroelectronics
1: S/40.33
879En existencias

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STP34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch

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S/40.33

S/31.53

S/26.27

S/23.43

S/20.86

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

92 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STP42N65M5
STMicroelectronics
1: S/40.44
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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786En existencias

S/40.44

S/22.85

S/21.10

S/19.27

S/19.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STP57N65M5
STMicroelectronics
1: S/39.28
1,959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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1,959En existencias

S/39.28

S/21.84

S/20.16

S/19.77

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STW11NM80
STMicroelectronics
1: S/21.95
1,294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STW11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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S/21.95

S/17.59

S/14.25

S/12.65

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STW18NM80
STMicroelectronics
1: S/34.14
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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681En existencias

S/34.14

S/23.47

S/17.59

S/17.56

S/14.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 65 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

STW26NM50
STMicroelectronics
1: S/47.64
725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW26NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW26NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp

Hoja de datos

725En existencias

S/47.64

S/38.77

S/32.31

S/28.80

S/24.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

30 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STW28NM50N
STMicroelectronics
1: S/34.60
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

687En existencias

S/34.60

S/25.18

S/20.98

S/18.68

S/16.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/30.44
1,353En existencias
600Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,353En existencias

600Se espera el 10/02/2026

S/30.44

S/17.71

S/13.00

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 45 Amp

STW45NM50
STMicroelectronics
1: S/53.72
1,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STW45NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 45 Amp

Hoja de datos

1,222En existencias

S/53.72

S/31.10

S/27.29

S/27.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

45 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

113 nC

- 65 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp

STW45NM60
STMicroelectronics
1: S/53.72
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STW45NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 45 Amp

Hoja de datos

848En existencias

S/53.72

S/32.70

S/27.29

S/27.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

134 nC

- 65 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

STY139N65M5
STMicroelectronics
1: S/122.26
136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY139N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STY139N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

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Hoja de datos

136En existencias

S/122.26

S/79.95

S/77.89

S/77.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

130 A

17 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

363 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

STY60NM60
STMicroelectronics
1: S/93.73
461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY60NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STY60NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

Hoja de datos

461En existencias

S/93.73

S/59.87

S/55.70

S/55.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

50 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

560 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STB11NM60T4
STMicroelectronics
1: S/20.59
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

368En existencias

Cinta cortada

S/20.59

S/13.70

S/9.81

S/9.42

Envase tipo carrete

S/7.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

30 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: S/19.81
596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Hoja de datos

596En existencias

Cinta cortada

S/19.81

S/14.52

S/11.72

S/10.43

Envase tipo carrete

S/8.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

295 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STB20NM60T4
STMicroelectronics
1: S/19.66
471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

471En existencias

Cinta cortada

S/19.66

S/13.04

S/10.35

S/9.19

Envase tipo carrete

S/7.86

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

STB8N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.47
908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

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Hoja de datos

908En existencias

Cinta cortada

S/13.47

S/8.80

S/6.15

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.59

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W