Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 137

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.55
431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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431En existencias

S/23.55

S/13.39

S/11.99

S/10.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

STF14NM50N
STMicroelectronics
1: S/17.91
1,622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO

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1,622En existencias

S/17.91

S/8.76

S/8.17

S/7.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

320 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

STB22NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.22
1,030En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STB22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

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Cinta cortada

S/12.22

Envase tipo carrete

S/10.98

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/13.27
2,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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2,017En existencias

S/13.27

S/6.31

S/5.96

S/5.10

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.97
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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2,119En existencias

Cinta cortada

S/19.97

S/14.21

S/11.21

S/11.17

S/10.16

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

160 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

STL21N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.03
2,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)

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2,732En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/11.99

S/10.08

S/9.89

Ver

Envase tipo carrete

S/9.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

175 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

STW19NM50N
STMicroelectronics
1: S/25.81
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

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428En existencias

S/25.81

S/12.61

S/11.52

S/11.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

34 nC

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

STD9NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.46
2,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

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2,341En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/5.37

S/4.32

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.81

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

STL13NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.20
2,235En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II

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2,235En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/6.58

S/5.49

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

385 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STB11NM80T4
STMicroelectronics
1: S/30.87
1,635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM80T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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1,635En existencias

Cinta cortada

S/30.87

S/22.46

S/18.68

S/16.66

Envase tipo carrete

S/14.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.17
2,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Hoja de datos

2,483En existencias

Cinta cortada

S/14.17

S/9.30

S/6.50

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.90

S/4.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

STB26NM60N
STMicroelectronics
1: S/30.17
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

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923En existencias

Cinta cortada

S/30.17

S/21.29

S/17.71

S/15.80

Envase tipo carrete

S/14.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STB28NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.17
926En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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Hoja de datos

926En existencias

Cinta cortada

S/30.17

S/21.29

S/17.75

S/15.80

Envase tipo carrete

S/14.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

STB42N65M5
STMicroelectronics
1: S/45.15
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

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Hoja de datos

745En existencias

Cinta cortada

S/45.15

S/35.30

S/29.43

S/26.24

Envase tipo carrete

S/22.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

79 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.62
1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,882En existencias

Cinta cortada

S/42.62

S/33.32

S/27.79

S/24.76

Envase tipo carrete

S/21.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

26.5 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: S/22.38
2,632En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80N20M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N20M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

Hoja de datos

2,632En existencias

Cinta cortada

S/22.38

S/16.93

S/13.70

S/13.62

Envase tipo carrete

S/11.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

23 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

104 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STD11NM50N
STMicroelectronics
1: S/11.33
1,781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,781En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.32

S/5.25

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8.5 A

470 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

STD13NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.08
6,164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

6,164En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/9.11

S/6.50

S/5.72

Envase tipo carrete

S/4.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STD16N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.97
2,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

2,390En existencias

Cinta cortada

S/13.97

S/9.11

S/7.12

S/5.96

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

STD18N55M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
2,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

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Hoja de datos

2,718En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/9.77

S/7.63

S/6.38

S/5.49

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK

STD7NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.51
2,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

2,692En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.97

S/5.02

S/4.20

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

STE70NM60
STMicroelectronics
1: S/220.90
41En existencias
100Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STE70NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STE70NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

Hoja de datos

41En existencias

100Se espera el 13/04/2026

S/220.90

S/181.70

S/160.45

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

70 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

266 nC

- 65 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

STF13NM60N
STMicroelectronics
1: S/19.46
696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

Hoja de datos

696En existencias

S/19.46

S/12.88

S/10.24

S/9.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.49
8,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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Hoja de datos

8,345En existencias

S/15.49

S/10.12

S/7.43

S/6.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: S/31.26
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

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403En existencias

S/31.26

S/22.73

S/18.96

S/16.89

S/15.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W