Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 135

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/25.07
2,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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2,086En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/13.27

S/12.14

S/11.21

S/10.04

Envase tipo carrete

S/10.04

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

160 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/14.21
1,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

Hoja de datos

1,975En existencias

S/14.21

S/6.73

S/6.42

S/5.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

STD9NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.56
2,137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO

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2,137En existencias

Cinta cortada

S/11.56

S/6.11

S/4.98

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

STW88N65M5
STMicroelectronics
1: S/67.18
4,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5

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4,237En existencias

S/67.18

S/41.46

S/38.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STB11NM60T4
STMicroelectronics
1: S/22.03
908En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

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908En existencias

Cinta cortada

S/22.03

S/14.67

S/10.51

S/9.42

Envase tipo carrete

S/8.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

30 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STB12NM50T4
STMicroelectronics
1: S/22.85
1,419En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

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Cinta cortada

S/22.85

S/14.13

S/10.94

S/9.93

Envase tipo carrete

S/9.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

28 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
1: S/15.18
1,186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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1,186En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/7.67

S/6.97

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

198 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

STB26NM60N
STMicroelectronics
1: S/32.62
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

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670En existencias

Cinta cortada

S/32.62

S/22.19

S/16.27

S/15.92

Envase tipo carrete

S/14.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: S/44.41
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

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492En existencias

Cinta cortada

S/44.41

S/24.83

S/23.86

Envase tipo carrete

S/22.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

92 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/35.62
1,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

1,130En existencias

Cinta cortada

S/35.62

S/19.50

S/17.94

S/17.87

Envase tipo carrete

S/16.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/45.74
810En existencias
1,000Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Hoja de datos

810En existencias

1,000Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

S/45.74

S/31.65

S/24.80

Envase tipo carrete

S/23.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

26.5 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

STB80N20M5
STMicroelectronics
1: S/25.61
1,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80N20M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB80N20M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V

Hoja de datos

1,994En existencias

Cinta cortada

S/25.61

S/17.20

S/12.42

S/12.18

Envase tipo carrete

S/10.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

23 mOhms

- 25 V, 25 V

5 V

104 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STD16N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.99
7,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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7,347En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/7.59

S/6.85

S/5.61

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

270 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

STD18N55M5
STMicroelectronics
1: S/16.15
1,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

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Hoja de datos

1,939En existencias

Cinta cortada

S/16.15

S/10.55

S/7.67

S/6.42

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

550 V

13 A

240 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK

STD7NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.11
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK

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Hoja de datos

1,993En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/6.03

S/5.18

S/4.28

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

STD8N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

Obtenga más información

Hoja de datos

1,372En existencias

Cinta cortada

S/13.58

S/8.84

S/6.15

S/5.02

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

STE48NM50
STMicroelectronics
1: S/116.58
71En existencias
100Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STE48NM50

N.º de artículo de Mouser
511-STE48NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 48 Amp

Hoja de datos

71En existencias

100Se espera el 29/01/2027

S/116.58

S/85.28

S/79.99

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

48 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

117 nC

- 65 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

STE70NM60
STMicroelectronics
1: S/229.07
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STE70NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STE70NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 70 Amp

Hoja de datos

82En existencias

S/229.07

S/194.98

S/163.45

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

70 A

55 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

266 nC

- 65 C

+ 150 C

600 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.58
5,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

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Hoja de datos

5,782En existencias

S/16.58

S/8.45

S/7.67

S/6.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

279 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

STF28NM50N
STMicroelectronics
1: S/31.33
668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO

Obtenga más información

Hoja de datos

668En existencias

S/31.33

S/17.05

S/15.53

S/14.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.94
1,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,958En existencias

S/26.94

S/14.36

S/13.12

S/11.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STF45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.13
980En existencias
2,550En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

980En existencias

2,550En pedido

S/33.13

S/17.98

S/16.54

S/15.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STF57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.51
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N.º de artículo del Fabricante
STF57N65M5

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511-STF57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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S/42.51

S/27.75

S/24.60

S/21.88

S/20.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STFW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/60.65
253En existencias

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STFW69N65M5

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511-STFW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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S/60.65

S/36.08

S/34.45

S/31.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

79 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STP10NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.76
3,574En existencias

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STP10NM60N

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511-STP10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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3,574En existencias

S/15.76

S/8.02

S/7.28

S/5.96

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W