Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 137

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

STW48NM60N
STMicroelectronics
1: S/35.42
1,062En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW48NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II

Hoja de datos

1,062En existencias

S/35.42

S/20.86

S/16.15

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

124 nC

- 55 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/38.07
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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504En existencias

S/38.07

S/26.08

S/21.14

S/19.85

S/18.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

63 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STB12NM50T4
STMicroelectronics
1: S/19.46
2,456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

2,456En existencias

Cinta cortada

S/19.46

S/14.17

S/10.82

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.41

S/7.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

28 nC

- 65 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

STD10NM60N
STMicroelectronics
1: S/14.64
3,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A

Hoja de datos

3,767En existencias

Cinta cortada

S/14.64

S/9.61

S/6.73

S/5.96

S/5.49

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

STD7NM80
STMicroelectronics
1: S/17.28
1,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

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1,850En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.52

S/8.25

S/7.63

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

1.05 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

STF24NM60N
STMicroelectronics
1: S/16.66
2,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh

Hoja de datos

2,091En existencias

S/16.66

S/8.29

S/7.55

S/6.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50FP
STMicroelectronics
1: S/15.61
1,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

Hoja de datos

1,325En existencias

S/15.61

S/10.00

S/9.38

S/8.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

39 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/46.94
702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

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Hoja de datos

702En existencias

S/46.94

S/32.31

S/27.75

S/25.18

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

330 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/11.72
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

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1,955En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.63

S/5.25

S/4.40

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP11NM80
STMicroelectronics
1: S/17.83
1,973En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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Hoja de datos

1,973En existencias

S/17.83

S/12.57

S/11.91

S/11.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
1: S/26.31
515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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Hoja de datos

515En existencias

S/26.31

S/20.24

S/15.38

S/15.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.03
667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

667En existencias

Cinta cortada

S/19.03

S/12.65

S/8.99

S/8.49

Envase tipo carrete

S/6.93

S/6.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: S/19.19
556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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Hoja de datos

556En existencias

S/19.19

S/10.74

S/9.89

S/8.41

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/6.85
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

2,222En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

STB34NM60N
STMicroelectronics
1: S/41.03
970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB34NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

Hoja de datos

970En existencias

Cinta cortada

S/41.03

S/28.69

S/23.86

S/23.82

Envase tipo carrete

S/19.46

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

92 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF11NM50N
STMicroelectronics
1: S/14.87
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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Hoja de datos

808En existencias

S/14.87

S/6.93

S/6.23

S/5.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

8.5 A

470 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STF38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.55
431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

431En existencias

S/23.55

S/13.43

S/11.99

S/10.28

S/10.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

19 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

STP31N65M5
STMicroelectronics
1: S/16.93
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V

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Hoja de datos

739En existencias

S/16.93

S/8.60

S/7.82

S/7.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

148 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STF10NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.58
772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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Hoja de datos

772En existencias

S/13.58

S/7.67

S/6.93

S/6.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/18.80
623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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Hoja de datos

623En existencias

S/18.80

S/9.42

S/8.60

S/7.55

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STP24NM60N
STMicroelectronics
1: S/16.19
646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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Hoja de datos

646En existencias

S/16.19

S/7.63

S/7.12

S/6.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/18.76
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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Hoja de datos

476En existencias

Cinta cortada

S/18.76

S/14.67

S/10.55

S/10.28

Envase tipo carrete

S/8.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

162 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

STF9NM60N
STMicroelectronics
1: S/9.30
1,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

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Hoja de datos

1,714En existencias

S/9.30

S/4.98

S/4.13

S/3.49

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.24
493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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493En existencias

S/23.24

S/11.60

S/11.02

S/9.38

S/9.03

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: S/27.36
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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226En existencias

Cinta cortada

S/27.36

S/18.80

S/14.05

Envase tipo carrete

S/11.25

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.5 A
5 A
6.5 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
9.4 A
10 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
14 A
15 A
15.5 A
16 A
17 A
18.3 A
19 A

17 mOhms
19 mOhms
23 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
85 mOhms
92 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
105 mOhms
110 mOhms
120 mOhms
125 mOhms

9.5 nC
14 nC
15 nC
17 nC
17.4 nC
18 nC
19 nC
20 nC
27 nC
28 nC
30 nC
31 nC
33.3 nC
34 nC
35 nC
39 nC
42 nC
43.6 nC
44 nC
45 nC

3 W
20 W
25 W
30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
70 W
79 W
85 W
90 W
96 W
110 W
120 W
125 W
140 W
150 W
160 W
190 W