Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101

TK7S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1: S/5.84
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK7S10N1Z,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101

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Comentarios de Producto

4,000En pedido

Cinta cortada

S/5.84

S/3.69

S/2.45

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.1 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/5.88
4,987Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
XPN7R104NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Comentarios de Producto

4,987Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/5.88

S/3.71

S/2.46

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

XPW4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/12.69
5,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPW4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPW4R10ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

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Hoja de datos

5,000Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/5.72

S/4.63

Ver

Envase tipo carrete

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
3.5 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
33 A
38 A
40 A
45 A
60 A
70 A
92 A
100 A
160 A
190 A

770 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.5 mOhms
6.11 mOhms
6.3 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.7 mOhms
10.5 mOhms
15.4 mOhms
17.8 mOhms
20.9 mOhms
23.7 mOhms
28 mOhms
36 mOhms
36.8 mOhms

1.7 nC
3.2 nC
3.6 nC
6.5 nC
7.1 nC
8.5 nC
9.3 nC
10 nC
15 nC
21 nC
22 nC
23 nC
26 nC
33 nC
35 nC
52 nC
58 nC
60 nC
72 nC
74 nC