Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Resultados: 28

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K336NW,LXHF
Toshiba
1: S/3.62
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K336NW,LXHF

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757-XSM6K336NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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S/3.62

S/2.57

S/1.60

S/1.11

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S/0.802

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SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3 A

95 mOhms

20 V

2.5 V

1.7 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
1: S/4.28
2,825En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K519NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K519NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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S/4.28

S/2.63

S/1.73

S/1.36

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S/1.03

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

8 A

17.8 mOhms

20 V

2.5 V

6.5 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
1: S/4.32
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6K361NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K361NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

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S/4.32

S/2.69

S/1.77

S/1.39

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S/1.08

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

69 mOhms

20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
1: S/19.38
26,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK160F10N1L,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK160F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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S/19.38

S/12.85

S/9.11

S/7.94

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S/6.97

S/6.46

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: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

122 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/7.36
56,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN12006NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

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S/7.36

S/4.71

S/3.15

S/2.48

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S/2.05

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: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

23.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/8.76
11,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH6R30ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH6R30ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

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S/8.76

S/5.64

S/3.80

S/3.02

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S/2.28

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

45 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/6.66
6,794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN3R804NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.65

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: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.58
5,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK60S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK60S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

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S/9.58

S/6.19

S/4.20

S/3.35

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S/2.85

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/5.88
4,825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN7R104NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/5.88

S/3.71

S/2.46

S/1.93

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S/1.45

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: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: S/4.48
37,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K809R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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37,518En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.3 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
1: S/9.30
5,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH4R50ANH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH4R50ANH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

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S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.23

Envase tipo carrete

S/2.46

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

92 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

58 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/7.75
1,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

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S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.21

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
1: S/4.48
4,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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Cinta cortada

S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.11

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

TK11S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.23
3,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

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S/6.23

S/3.93

S/2.61

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

TK15S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.64
2,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

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Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

TK60F10N1L,LXGQ
Toshiba
1: S/12.73
1,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK60F10N1L,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK60F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

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Cinta cortada

S/12.73

S/8.25

S/5.72

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.24

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

TPH1500CNH1,LQ
Toshiba
1: S/11.95
3,863En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1500CNH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1500CNH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

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Cinta cortada

S/11.95

S/7.75

S/5.37

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

38 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: S/6.46
6,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K819R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/2.73

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

20.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.5 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.38
4,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.78

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

76 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

TPH2R306NH1,LQ
Toshiba
1: S/10.24
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R306NH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R306NH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

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S/10.24

S/6.58

S/4.52

S/3.60

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S/2.81

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

TPHR9003NL1,LQ
Toshiba
1: S/10.32
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TPHR9003NL1,LQ

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757-TPHR9003NL1LQ

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: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

320 A

770 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

74 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

XPH4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
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XPH4R10ANB,L1XHQ

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S/4.55

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MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
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XPN6R706NC,L1XHQ

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757-XPN6R706NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.17

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S/1.63

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.03
64En existencias

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TK25S06N1L,LXHQ

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757-TK25S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.03

S/3.81

S/2.53

S/1.98

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S/1.65

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

36.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6N813R,LXHF
Toshiba
1: S/4.83
2,614En existencias

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SSM6N813R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N813RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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Cinta cortada

S/4.83

S/3.03

S/1.99

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.19

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

2 Channel

100 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.6 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
3.5 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
33 A
38 A
40 A
45 A
60 A
70 A
92 A
100 A
160 A
190 A

770 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.5 mOhms
6.11 mOhms
6.3 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.7 mOhms
10.5 mOhms
15.4 mOhms
17.8 mOhms
20.9 mOhms
23.7 mOhms
28 mOhms
36 mOhms
36.8 mOhms

1.7 nC
3.2 nC
3.6 nC
6.5 nC
7.1 nC
8.5 nC
9.3 nC
10 nC
15 nC
21 nC
22 nC
23 nC
26 nC
33 nC
35 nC
52 nC
58 nC
60 nC
72 nC
74 nC