Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

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Resultados: 28

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
1: S/18.14
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TK160F10N1L,LXGQ

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757-TK160F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101

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TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

160 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

122 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/6.89
56,524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPN12006NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

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S/6.89

S/4.13

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S/1.82

Min.: 1
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SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

23.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.23
4,265En existencias

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TK40S06N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK40S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.23

S/3.93

S/2.64

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S/1.69

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N-Channel

1 Channel

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40 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

26 nC

+ 175 C

88.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

TPHR9003NL1,LQ
Toshiba
1: S/9.19
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9003NL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9003NL1LQ

Toshiba

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S/3.20

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S/2.49

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SOP-8

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320 A

770 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

74 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

XPW4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/11.87
4,754En existencias

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XPW4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPW4R10ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

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S/11.87

S/7.71

S/5.33

S/4.48

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S/3.64

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SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101

XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/7.67
12,012En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XPH6R30ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH6R30ANBL1XHQ

Toshiba

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S/4.90

S/3.29

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SOP-Advance-8

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1 Channel

100 V

45 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/2.26
7,104En existencias

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XPN3R804NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/2.26

S/1.74

S/1.68

S/1.67

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S/1.44

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TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

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40 A

3.8 mOhms

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2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K809R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
37,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K809R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K809RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F

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S/2.64

S/1.73

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S/1.02

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TSOP6F

N-Channel

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6 A

36 mOhms

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2.5 V

9.3 nC

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1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

XPH4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1: S/3.62
7,380En existencias

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XPH4R10ANB,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R10ANBL1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101

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S/3.11

S/2.93

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S/2.49

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SOP-Advance-8

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70 A

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+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K819R,LXHF
Toshiba
1: S/6.07
9,284En existencias

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SSM6K819R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K819RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F

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S/6.07

S/3.84

S/2.57

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

10 A

20.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.5 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

TPH2R306NH1,LQ
Toshiba
1: S/8.84
7,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R306NH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R306NH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)

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S/8.84

S/5.72

S/3.85

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S/2.46

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SOP-8

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1 Channel

60 V

190 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

72 nC

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/8.95
6,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK60S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK60S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101

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S/8.95

S/5.76

S/3.89

S/3.13

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S/2.58

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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.61
2,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK25S06N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK25S06N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/5.61

S/3.44

S/2.30

S/1.85

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S/1.50

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

25 A

36.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6K810R,LXHF
Toshiba
1: S/4.24
4,724En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K810R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K810RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F

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4,724En existencias

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S/4.24

S/2.64

S/1.73

S/1.34

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S/1.02

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SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.2 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

TK11S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/3.62
3,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101

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3,236En existencias

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S/3.62

S/2.94

S/2.13

S/1.79

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S/1.39

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

TK15S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/3.58
2,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101

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S/3.58

S/2.76

S/1.92

S/1.61

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S/1.38

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

15 A

17.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

TK60F10N1L,LXGQ
Toshiba
1: S/8.60
1,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK60F10N1L,LXGQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK60F10N1LLXGQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101

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S/8.60

S/6.66

S/4.79

S/4.48

Envase tipo carrete

S/3.72

S/3.65

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

6.11 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

TPH1500CNH1,LQ
Toshiba
1: S/6.66
6,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1500CNH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1500CNH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm

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S/6.66

S/4.63

S/3.36

S/2.91

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S/2.31

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

150 V

38 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/8.76
7,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100S04N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/5.64

S/3.82

S/3.05

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S/2.51

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

76 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
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6,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH4R50ANH1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH4R50ANH1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm

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S/5.14

S/3.46

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S/2.16

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

92 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

58 nC

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170 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.11
2,191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK33S10N1L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

33 A

9.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F

SSM6N813R,LXHF
Toshiba
1: S/4.55
4,802En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N813R,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N813RLXHF

Toshiba

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S/2.83

S/1.86

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S/1.11

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

N-Channel

2 Channel

100 V

3.5 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.6 nC

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101

TK7S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1: S/5.49
905En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7S10N1Z,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLXHQ

Toshiba

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S/3.22

S/2.14

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

7.1 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/2.18
2,310En existencias
5,000Se espera el 20/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN6R706NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ

Toshiba

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S/1.72

S/1.61

S/1.59

S/1.58

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S/1.34

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1: S/5.10
4,996Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN7R104NC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/5.10

S/3.21

S/2.13

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.21

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

20 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3 A
3.5 A
6 A
7 A
8 A
10 A
11 A
15 A
20 A
25 A
33 A
38 A
40 A
45 A
60 A
70 A
92 A
100 A
160 A
190 A

770 uOhms
1.9 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.8 mOhms
4.1 mOhms
4.5 mOhms
6.11 mOhms
6.3 mOhms
6.7 mOhms
7.1 mOhms
9.7 mOhms
10.5 mOhms
15.4 mOhms
17.8 mOhms
20.9 mOhms
23.7 mOhms
28 mOhms
36 mOhms
36.8 mOhms

1.7 nC
3.2 nC
3.6 nC
6.5 nC
7.1 nC
8.5 nC
9.3 nC
10 nC
15 nC
21 nC
22 nC
23 nC
26 nC
33 nC
35 nC
52 nC
58 nC
60 nC
72 nC
74 nC