Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

CSD18504KCS
Texas Instruments
1: S/8.33
747En existencias

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CSD18504KCS

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595-CSD18504KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

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747En existencias

S/8.33

S/5.33

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N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

19 nC

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93 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

CSD18510KCS
Texas Instruments
1: S/10.78
738En existencias

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CSD18510KCS

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595-CSD18510KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

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S/10.78

S/6.97

S/4.98

S/4.16

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40 V

100 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

153 nC

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250 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510KTTT

CSD18510KTT
Texas Instruments
1: S/11.68
247En existencias

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CSD18510KTT

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595-CSD18510KTT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510KTTT

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S/11.68

S/7.55

S/5.41

Envase tipo carrete

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S/3.60

S/3.41

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1.4 V

153 nC

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250 W

Enhancement

NexFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18510KTT

CSD18510KTTT
Texas Instruments
1: S/16.58
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S/16.58

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S/8.29

S/6.42

S/6.27

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40 V

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B

CSD18510Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.57
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595-CSD18510Q5BT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B

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S/15.57

S/10.78

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.77

S/5.96

S/5.61

MouseReel Disponible

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NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

CSD18511KCS
Texas Instruments
1: S/8.64
303En existencias

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CSD18511KCS

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S/8.64

S/4.24

S/3.78

S/3.02

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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194 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

64 nC

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+ 175 C

188 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

CSD18512Q5BT
Texas Instruments
1: S/11.09
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CSD18512Q5BT

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595-CSD18512Q5BT

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S/11.09

S/7.32

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S/4.48

S/3.81

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40 V

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+ 150 C

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT

CSD18513Q5A
Texas Instruments
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Texas Instruments

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S/3.19

S/3.16

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Envase tipo carrete

S/1.62

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40 V

100 A

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+ 150 C

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Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

CSD18513Q5AT
Texas Instruments
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567En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

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S/7.32

S/4.83

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Envase tipo carrete

S/2.80

S/2.46

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40 V

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4.1 mOhms

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1.5 V

59 nC

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+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

CSD18514Q5A
Texas Instruments
1: S/4.90
3,756En existencias

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CSD18514Q5A

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595-CSD18514Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT

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S/4.90

S/3.08

S/2.03

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.27

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SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

38 nC

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+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD18532KCS
Texas Instruments
1: S/11.29
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18532KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18532KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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840En existencias

S/11.29

S/5.61

S/4.90

S/4.05

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

169 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

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+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT

CSD18532Q5B
Texas Instruments
1: S/11.64
1,305En existencias
9,000Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18532Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18532Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT

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1,305En existencias

9,000Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.25

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

172 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT

CSD18533Q5A
Texas Instruments
1: S/6.54
2,031En existencias
5,000Se espera el 23/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18533Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18533Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT

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2,031En existencias

5,000Se espera el 23/04/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET

CSD18534KCS
Texas Instruments
1: S/7.67
1,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18534KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18534KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET

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1,377En existencias

S/7.67

S/4.87

S/3.25

S/2.66

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT

CSD18535KTTT
Texas Instruments
1: S/20.55
182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18535KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18535KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT

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Hoja de datos

182En existencias

Cinta cortada

S/20.55

S/10.74

Envase tipo carrete

S/10.74

S/8.33

S/8.10

S/7.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

CSD18536KTTT
Texas Instruments
1: S/26.70
421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18536KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18536KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT

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Hoja de datos

421En existencias

Cinta cortada

S/26.70

S/14.36

Envase tipo carrete

S/14.36

S/11.44

S/11.09

S/10.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

CSD18542KCS
Texas Instruments
1: S/11.29
592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

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Hoja de datos

592En existencias

S/11.29

S/5.61

S/5.02

S/4.05

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

CSD18542KTT
Texas Instruments
1: S/12.11
540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT

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Hoja de datos

540En existencias

Cinta cortada

S/12.11

S/7.82

S/5.41

Envase tipo carrete

S/4.40

S/3.80

S/3.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

CSD18542KTTT
Texas Instruments
1: S/13.62
152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

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Hoja de datos

152En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.57

S/4.71

S/4.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19501KCS
Texas Instruments
1: S/10.59
314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19501KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19501KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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Hoja de datos

314En existencias

S/10.59

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

CSD19502Q5B
Texas Instruments
1: S/12.03
321En existencias
5,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19502Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19502Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT

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321En existencias

5,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/12.03

S/7.82

S/5.84

S/4.71

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

CSD19503KCS
Texas Instruments
1: S/10.47
1,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19503KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19503KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

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1,559En existencias

S/10.47

S/5.29

S/4.75

S/3.83

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19505KCS
Texas Instruments
1: S/16.35
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19505KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19505KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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748En existencias

S/16.35

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

CSD19505KTT
Texas Instruments
1: S/15.92
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19505KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19505KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

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692En existencias

Cinta cortada

S/15.92

S/10.51

S/7.40

Envase tipo carrete

S/6.03

S/5.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

CSD19506KCS
Texas Instruments
1: S/20.67
348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

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348En existencias

S/20.67

S/14.32

S/14.21

S/12.34

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Tube

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W