CSD19503KCS

Texas Instruments
595-CSD19503KCS
CSD19503KCS

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,550

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
6 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/9.77 S/9.77
S/5.29 S/52.90
S/4.28 S/428.00
S/3.52 S/1,760.00
S/3.06 S/3,060.00
S/2.99 S/7,475.00
S/2.89 S/14,450.00
S/2.88 S/28,800.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
9.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: CN
País de origen: CN
Tiempo de caída: 2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 110 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3 ns
Serie: CSD19503KCS
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99