Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

CSD18511KTT
Texas Instruments
1: S/9.69
983En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18511KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18511KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

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Hoja de datos

983En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/4.75

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.62

S/2.98

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

194 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

CSD18513Q5AT
Texas Instruments
1: S/8.14
797En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18513Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18513Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A

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Hoja de datos

797En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/3.93

S/3.05

Envase tipo carrete

S/3.05

S/2.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

59 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD18532KCS
Texas Instruments
1: S/12.07
1,302En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18532KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18532KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

1,302En existencias

S/12.07

S/5.99

S/5.10

S/4.32

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

169 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET

CSD18534KCS
Texas Instruments
1: S/8.21
2,622En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18534KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18534KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET

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2,622En existencias

S/8.21

S/3.97

S/3.54

S/2.81

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTTT

CSD18536KTT
Texas Instruments
1: S/22.19
187En existencias
2,500Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18536KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18536KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTTT

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Hoja de datos

187En existencias

2,500Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/22.19

S/11.60

S/10.59

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

CSD18542KCS
Texas Instruments
1: S/12.34
1,250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET

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1,250En existencias

S/12.34

S/7.20

S/5.53

S/4.48

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

CSD18542KTTT
Texas Instruments
1: S/15.41
52En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18542KTTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18542KTTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT

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Hoja de datos

52En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/9.38

Envase tipo carrete

S/9.38

S/6.66

S/6.19

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

200 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 3.4mOhm 8 0V A 595-CSD19502Q5B A 595-CSD19502Q5B

CSD19502Q5BT
Texas Instruments
1: S/15.88
411En existencias
2,750Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19502Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19502Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 3.4mOhm 8 0V A 595-CSD19502Q5B A 595-CSD19502Q5B

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411En existencias

2,750Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/15.88

S/8.06

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.50

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

CSD19505KTT
Texas Instruments
1: S/17.05
137En existencias
1,000Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19505KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19505KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT

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Hoja de datos

137En existencias

1,000Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/17.05

S/8.72

S/7.90

Envase tipo carrete

S/6.46

S/6.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

CSD19506KCS
Texas Instruments
1: S/22.81
47En existencias
1,250En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19506KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19506KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T

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Hoja de datos

47En existencias

1,250En pedido

S/22.81

S/14.01

S/10.63

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT

CSD19532Q5B
Texas Instruments
1: S/13.23
131En existencias
50,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19532Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19532Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT

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Hoja de datos

131En existencias

50,000En pedido

Cinta cortada

S/13.23

S/7.75

S/5.96

S/4.75

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

CSD19534KCS
Texas Instruments
1: S/8.68
2,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19534KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19534KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET

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Hoja de datos

2,133En existencias

S/8.68

S/4.36

S/3.73

S/2.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

16.4 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A

CSD19534Q5AT
Texas Instruments
1: S/9.85
189En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD19534Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19534Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A

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Hoja de datos

189En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/9.85

S/4.83

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.09

S/3.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

CSD83325LT
Texas Instruments
1: S/4.28
445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD83325LT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD83325LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

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Hoja de datos

445En existencias

Cinta cortada

S/4.28

S/2.80

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.32

S/2.17

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

BGA-6

N-Channel

2 Channel

12 V

8 A

5.9 mOhms

- 10 V, 10 V

950 mV

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT

CSD85302L
Texas Instruments
1: S/3.43
95En existencias
6,000Se espera el 2/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD85302L

N.º de artículo de Mouser
595-CSD85302L

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT

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Hoja de datos

95En existencias

6,000Se espera el 2/11/2026

Cinta cortada

S/3.43

S/1.56

S/1.38

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-4

N-Channel

2 Channel

20 V

7 A

24 mOhms

- 10 V, 10 V

680 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

CSD87313DMS
Texas Instruments
1: S/9.30
2,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87313DMS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87313DMS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

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Hoja de datos

2,034En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.18

S/4.01

S/3.22

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

17 A

5.5 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

CSD87313DMST
Texas Instruments
1: S/12.77
789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87313DMST

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87313DMST

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Hoja de datos

789En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/6.38

S/5.10

Envase tipo carrete

S/5.10

S/4.40

S/4.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

17 A

5.5 mOhms

- 10 V, 10 V

600 mV

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

CSD87501LT
Texas Instruments
1: S/8.25
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87501LT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87501LT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

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Hoja de datos

297En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/3.81

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

BGA-10

N-Channel

2 Channel

30 V

14 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD13303W1015
Texas Instruments
1: S/3.04
1,984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13303W1015

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13303W1015

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET

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Hoja de datos

1,984En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/1.39

S/1.22

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.712

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

20 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.65 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

CSD15571Q2
Texas Instruments
1: S/2.57
5,040En existencias
9,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD15571Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD15571Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

5,040En existencias

9,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/2.57

S/1.16

S/1.02

S/0.771

Envase tipo carrete

S/0.588

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16301Q2
Texas Instruments
1: S/3.11
653En existencias
90,000Se espera el 30/10/2026

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CSD16301Q2

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Texas Instruments

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S/3.11

S/1.41

S/1.11

S/0.926

Envase tipo carrete

S/0.728

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

25 V

5 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16321Q5
Texas Instruments
1: S/10.63
116En existencias
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S/10.63

S/6.50

S/4.71

S/3.78

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

5 A

2.4 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

14 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16412Q5A
Texas Instruments
1: S/5.99
986En existencias

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S/5.99

S/2.82

S/2.51

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.60

S/1.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

13 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17307Q5A
Texas Instruments
1: S/4.67
3,955En existencias

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CSD17307Q5A

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595-CSD17307Q5A

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S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

10.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

4 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17310Q5A
Texas Instruments
1: S/6.31
2,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17310Q5A

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595-CSD17310Q5A

Texas Instruments

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S/6.31

S/2.97

S/2.65

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.69

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

5.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W