Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 178

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17302Q5A
Texas Instruments
1: S/5.29
1,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17302Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17302Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,916En existencias

Cinta cortada

S/5.29

S/3.47

S/2.30

S/2.00

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

9 mOhms

- 8 V, 10 V

1.2 V

5.4 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17306Q5A
Texas Instruments
1: S/7.32
2,549En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17306Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17306Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,549En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4.2 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

11.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD17312Q5
Texas Instruments
1: S/11.68
825En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17312Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17312Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

825En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.59

S/5.25

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.7 mOhms

- 8 V, 10 V

1.1 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

CSD17313Q2
Texas Instruments
1: S/3.00
8,927En existencias
9,000Se espera el 23/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17313Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17313Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

Obtenga más información

Hoja de datos

8,927En existencias

9,000Se espera el 23/03/2026

Cinta cortada

S/3.00

S/1.89

S/1.25

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.724

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

CSD17313Q2T
Texas Instruments
1: S/4.83
1,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17313Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17313Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,909En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.77

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.83

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

32 mOhms

- 8 V, 10 V

900 mV

2.1 nC

- 55 C

+ 150 C

17 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

CSD17318Q2
Texas Instruments
1: S/2.41
5,816En existencias
3,000Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17318Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17318Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

Obtenga más información

Hoja de datos

5,816En existencias

3,000Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/2.41

S/1.50

S/0.958

S/0.724

Envase tipo carrete

S/0.553

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

16.9 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

16 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

CSD17318Q2T
Texas Instruments
1: S/1.95
2,932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17318Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17318Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,932En existencias

Cinta cortada

S/1.95

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.70

S/1.64

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

16.9 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6 nC

- 55 C

+ 150 C

16 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17327Q5A
Texas Instruments
1: S/5.99
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17327Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17327Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/3.78

S/2.52

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

15.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1.6 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

CSD17381F4
Texas Instruments
1: S/1.56
9,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17381F4

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17381F4

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T

Obtenga más información

Hoja de datos

9,334En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/1.06

S/0.662

S/0.455

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.343

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PICOSTAR-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.1 A

109 mOhms

- 8 V, 8 V

650 mV

1.04 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

CSD17507Q5A
Texas Instruments
1: S/5.06
3,696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17507Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17507Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,696En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/3.16

S/2.09

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

16.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A

CSD17553Q5A
Texas Instruments
1: S/7.86
1,503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17553Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17553Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,503En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.39

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD17571Q2
Texas Instruments
1: S/2.61
1,469En existencias
9,000Se espera el 27/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17571Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17571Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

1,469En existencias

9,000Se espera el 27/02/2026

Cinta cortada

S/2.61

S/1.62

S/1.04

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

30 V

22 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

CSD17577Q3AT
Texas Instruments
1: S/6.19
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17577Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17577Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,121En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/4.79

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.74

S/2.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 40 C

+ 85 C

53 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A

CSD17578Q3AT
Texas Instruments
1: S/7.36
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17578Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17578Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A

Obtenga más información

Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.75

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.74

S/2.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

CSD17578Q5A
Texas Instruments
1: S/2.88
2,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17578Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17578Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT

Obtenga más información

Hoja de datos

2,295En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/2.52

S/1.67

S/1.32

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A

CSD17578Q5AT
Texas Instruments
1: S/6.81
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17578Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17578Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A

Obtenga más información

Hoja de datos

884En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.79

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.68

S/2.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

10.3 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

CSD17579Q3AT
Texas Instruments
1: S/7.67
185En existencias
500Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

Obtenga más información

Hoja de datos

185En existencias

500Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/7.67

S/4.63

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.70

S/2.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

20 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

CSD17579Q5A
Texas Instruments
1: S/3.81
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

Obtenga más información

Hoja de datos

2,662En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

11.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

CSD17579Q5AT
Texas Instruments
1: S/7.40
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17579Q5AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17579Q5AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A

Obtenga más información

Hoja de datos

84En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.79

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

S/2.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

11.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

CSD17581Q3A
Texas Instruments
1: S/4.79
306En existencias
7,500Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Obtenga más información

Hoja de datos

306En existencias

7,500Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/4.79

S/3.02

S/2.00

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

25 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A

CSD17581Q3AT
Texas Instruments
1: S/6.62
358En existencias
250Se espera el 20/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A

Obtenga más información

Hoja de datos

358En existencias

250Se espera el 20/02/2026

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.44

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

CSD17581Q5A
Texas Instruments
1: S/4.36
2,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17581Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17581Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

Obtenga más información

Hoja de datos

2,391En existencias

Cinta cortada

S/4.36

S/2.90

S/1.91

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD18502KCS
Texas Instruments
1: S/12.53
614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Obtenga más información

Hoja de datos

614En existencias

S/12.53

S/7.05

S/5.76

S/4.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

212 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

259 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

CSD18502Q5BT
Texas Instruments
1: S/16.27
426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18502Q5BT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18502Q5BT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B

Obtenga más información

Hoja de datos

426En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.74

S/6.73

Envase tipo carrete

S/6.73

S/5.92

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

CSD18503KCS
Texas Instruments
1: S/10.00
760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18503KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18503KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

760En existencias

S/10.00

S/5.37

S/4.28

S/3.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

143 W

Enhancement

NexFET

Tube

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W