Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

CSD19531Q5A
Texas Instruments
1: S/9.07
4,171En existencias
12,500Se espera el 27/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19531Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19531Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

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12,500Se espera el 27/02/2026

Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT

CSD19532KTT
Texas Instruments
1: S/12.69
1,681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19532KTT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19532KTT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD19532Q5B Pkg spin A 595-CSD19532KTTT A 595-CSD19532KTTT

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Cinta cortada

S/12.69

S/8.25

S/6.11

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 500

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

200 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT

CSD19532Q5B
Texas Instruments
1: S/12.11
10,416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19532Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19532Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT

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Cinta cortada

S/12.11

S/7.86

S/5.45

S/4.59

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

CSD19535KCS
Texas Instruments
1: S/16.62
1,427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19535KCS

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19535KCS

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

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S/16.62

S/9.15

S/7.86

S/6.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

187 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

NexFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

CSD19537Q3
Texas Instruments
1: S/5.76
4,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19537Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19537Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

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Cinta cortada

S/5.76

S/3.97

S/2.62

S/2.30

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

CSD19537Q3T
Texas Instruments
1: S/8.33
12,307En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19537Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19537Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

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Cinta cortada

S/8.33

S/5.37

S/3.16

Envase tipo carrete

S/3.16

S/2.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

53 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

CSD19538Q2
Texas Instruments
1: S/3.00
12,838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q2T

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Cinta cortada

S/3.00

S/1.84

S/1.20

S/0.915

Envase tipo carrete

S/0.736

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

CSD19538Q3AT
Texas Instruments
1: S/6.62
5,319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

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Cinta cortada

S/6.62

S/4.55

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.81

S/2.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

15 A

61 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET

CSD86350Q5D
Texas Instruments
1: S/15.41
7,323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD86350Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD86350Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET

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S/15.41

S/10.08

S/7.75

S/6.58

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

40 A

5 mOhms, 1.1 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

10.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

CSD87312Q3E
Texas Instruments
1: S/7.59
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87312Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87312Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

S/7.59

S/5.02

S/3.34

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

27 A

33 mOhms

- 8 V, 8 V

800 mV

6.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

CSD87350Q5D
Texas Instruments
1: S/9.38
3,155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87350Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87350Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

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3,155En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.38

S/5.41

S/5.18

Envase tipo carrete

S/4.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

- 5 V, 5 V

1 V, 750 mV

8.4 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

CSD87351Q5D
Texas Instruments
1: S/7.75
3,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87351Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87351Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

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3,575En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/5.22

S/4.40

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

7.4 mOhms, 1.6 mOhms

- 8 V, 10 V

2.1 V, 1.15 V

5.9 nC, 17 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87353Q5D
Texas Instruments
1: S/9.77
1,912En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87353Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87353Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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1,912En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.66

S/5.64

S/5.45

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

- 8 V, 10 V

1.1 V, 750 mV

16 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

CSD87503Q3E
Texas Instruments
1: S/4.79
2,991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87503Q3E

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3E

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

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Hoja de datos

2,991En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.15

S/2.61

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

10 A

17.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

42.8 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT

CSD88537ND
Texas Instruments
1: S/6.89
10,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD88537ND

N.º de artículo de Mouser
595-CSD88537ND

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT

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Hoja de datos

10,161En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/4.48

S/3.00

S/2.37

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

16 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET

CSD13303W1015
Texas Instruments
1: S/2.92
1,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13303W1015

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13303W1015

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET

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Hoja de datos

1,987En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/1.81

S/1.19

S/0.868

Envase tipo carrete

S/0.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

20 mOhms

- 8 V, 8 V

850 mV

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.65 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

CSD13306W
Texas Instruments
1: S/2.69
2,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13306W

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13306W

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

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Hoja de datos

2,562En existencias

Cinta cortada

S/2.69

S/1.80

S/1.21

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

10.2 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

11.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

CSD13306WT
Texas Instruments
1: S/3.23
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD13306WT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD13306WT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

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Hoja de datos

492En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.46

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.87

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

SMD/SMT

DSBGA-6

N-Channel

1 Channel

12 V

3.5 A

10.2 mOhms

- 10 V, 10 V

700 mV

11.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

CSD15571Q2
Texas Instruments
1: S/2.41
3,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD15571Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD15571Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET

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3,583En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/1.49

S/0.954

S/0.72

Envase tipo carrete

S/0.576

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WSON-6

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Pwr MOSF ET

CSD16323Q3
Texas Instruments
1: S/6.70
287En existencias
37,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD16323Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16323Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Pwr MOSF ET

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Hoja de datos

287En existencias

37,500En pedido

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.5 mOhms

- 8 V, 10 V

900 mV

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

CSD16340Q3
Texas Instruments
1: S/6.54
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CSD16340Q3

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.5 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16409Q3
Texas Instruments
1: S/5.80
2,322En existencias

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CSD16409Q3

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

9.5 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16412Q5A
Texas Instruments
1: S/5.18
2,621En existencias

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S/2.18

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S/1.39

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SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

13 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16415Q5

CSD16415Q5T
Texas Instruments
1: S/15.84
250En existencias

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CSD16415Q5T

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595-CSD16415Q5T

Texas Instruments

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S/7.55

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S/7.55

S/5.64

S/5.37

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD16570Q5BT

CSD16570Q5B
Texas Instruments
1: S/9.81
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5,000Se espera el 26/02/2026

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CSD16570Q5B

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595-CSD16570Q5B

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S/6.97

S/5.02

S/4.13

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S/3.33

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

590 uOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

192 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1 V, 750 mV
1.1 V
1.1 V, 750 mV
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W