Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Resultados: 178

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

CSD19537Q3T
Texas Instruments
1: S/8.91
16,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19537Q3T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19537Q3T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

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Cinta cortada

S/8.91

S/4.32

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.39

S/3.23

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

53 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

CSD86330Q3D
Texas Instruments
1: S/11.87
10,830En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD86330Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD86330Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

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Cinta cortada

S/11.87

S/6.03

S/5.37

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.97

MouseReel Disponible

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LSON-CLIP-8

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2 Channel

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4.5 A

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1.6 V, 2.1 V

6.2 nC, 12 nC

- 55 C

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6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

CSD87331Q3D
Texas Instruments
1: S/4.13
5,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD87331Q3D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87331Q3D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block

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Cinta cortada

S/4.13

S/2.67

S/2.21

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

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2 Channel

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- 8 V, 10 V

1.2 V, 2.1 V

2.7 nC, 6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

CSD87351Q5D
Texas Instruments
1: S/12.46
1,873En existencias
2,500Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD87351Q5D

N.º de artículo de Mouser
595-CSD87351Q5D

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Synch Buck NexFET Po wer Block

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Cinta cortada

S/12.46

S/6.58

S/5.53

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.01

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

LSON-CLIP-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

7.4 mOhms, 1.6 mOhms

- 8 V, 10 V

1.15 V, 2.1 V

5.9 nC, 17 nC

- 55 C

+ 150 C

12 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

CSD16325Q5
Texas Instruments
1: S/12.07
2,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16325Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16325Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET

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S/12.07

S/5.99

S/5.14

S/4.32

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

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- 8 V, 10 V

1.1 V

18 nC

- 55 C

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3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

CSD16340Q3
Texas Instruments
1: S/6.97
15,520En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD16340Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16340Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD16340Q3T

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2,500En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/3.32

S/2.96

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.91

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

4.5 mOhms

- 8 V, 10 V

600 mV

6.5 nC

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+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16404Q5A
Texas Instruments
1: S/7.08
4,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16404Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16404Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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S/7.08

S/3.37

S/3.01

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

5.7 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

6.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

CSD16406Q3
Texas Instruments
1: S/7.82
14,758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD16406Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD16406Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs

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S/7.82

S/3.73

S/3.31

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

5.3 mOhms

- 12 V, 16 V

1.4 V

5.8 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

CSD17303Q5
Texas Instruments
1: S/9.77
2,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17303Q5

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17303Q5

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET

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S/9.77

S/6.34

S/4.40

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.66

S/3.18

MouseReel Disponible

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VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

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- 8 V, 8 V

1.1 V

18 nC

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+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

CSD17308Q3
Texas Instruments
1: S/5.92
8,188En existencias
10,000Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17308Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17308Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T

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10,000Se espera el 3/12/2026

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S/5.92

S/2.78

S/2.47

S/1.93

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

10.3 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

CSD17313Q2
Texas Instruments
1: S/3.11
16,729En existencias
24,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD17313Q2

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17313Q2

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

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S/3.11

S/1.93

S/1.25

S/0.95

Envase tipo carrete

S/0.728

Ver

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

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1 Channel

30 V

5 A

30 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

2.1 nC

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17 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1758 A 595-CSD17581Q5A

CSD17501Q5A
Texas Instruments
1: S/11.17
2,104En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
CSD17501Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17501Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1758 A 595-CSD17581Q5A

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2,104En existencias

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Cinta cortada

S/11.17

S/7.24

S/4.98

S/4.01

S/3.75

Envase tipo carrete

S/3.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Máx.: 1,001

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

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1 Channel

30 V

100 A

2.9 mOhms

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1 V

13.2 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17577Q5A

CSD17506Q5A
Texas Instruments
1: S/10.00
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17506Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17506Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17577Q5A

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/5.02

S/4.40

S/3.59

Envase tipo carrete

S/2.99

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

CSD17527Q5A
Texas Instruments
1: S/6.54
4,169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17527Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17527Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q5A

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Hoja de datos

4,169En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.13

S/2.78

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A

CSD17553Q5A
Texas Instruments
1: S/8.60
4,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD17553Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD17553Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A

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Hoja de datos

4,818En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/4.32

S/3.68

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

17.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT

CSD18503Q5A
Texas Instruments
1: S/8.91
5,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18503Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18503Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT

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Hoja de datos

5,125En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/4.32

S/3.86

S/3.08

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT

CSD18510Q5B
Texas Instruments
1: S/11.83
4,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18510Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18510Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5BT

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Hoja de datos

4,901En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.67

S/5.29

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

153 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

CSD18512Q5B
Texas Instruments
1: S/9.30
3,451En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18512Q5B

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18512Q5B

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

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Hoja de datos

3,451En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/4.87

S/4.20

S/3.49

S/3.30

Envase tipo carrete

S/3.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5AT

CSD18534Q5A
Texas Instruments
1: S/6.50
17,071En existencias
19,940Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18534Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18534Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1853 A 595-CSD18534Q5AT

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Hoja de datos

17,071En existencias

19,940Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/6.50

S/3.08

S/2.74

S/2.16

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

77 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT

CSD18543Q3A
Texas Instruments
1: S/5.02
32,834En existencias
55,000Se espera el 31/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18543Q3A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18543Q3A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT

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55,000Se espera el 31/12/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/2.34

S/2.08

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.30

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3A

CSD18543Q3AT
Texas Instruments
1: S/8.91
5,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD18543Q3AT

N.º de artículo de Mouser
595-CSD18543Q3AT

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3A

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S/8.91

S/5.72

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

S/2.92

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,001

: 250

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

CSD18563Q5A
Texas Instruments
1: S/7.59
7,364En existencias
10,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD18563Q5A

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595-CSD18563Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

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10,000Se espera el 22/10/2026

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S/7.59

S/4.79

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

116 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

CSD19531Q5A
Texas Instruments
1: S/9.69
12,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19531Q5A

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19531Q5A

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5.3mOhm Pwr MOS FET A 595-CSD19531Q A 595-CSD19531Q5AT

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12,236En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/4.75

S/4.24

S/3.39

S/3.29

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

VSONP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

CSD19537Q3
Texas Instruments
1: S/7.90
7,262En existencias
17,500Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
CSD19537Q3

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19537Q3

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

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7,262En existencias

17,500Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

S/7.90

S/4.98

S/3.26

S/2.59

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,001

: 2,500

SMD/SMT

VSON-CLIP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

CSD19538Q2T
Texas Instruments
1: S/7.71
10,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
CSD19538Q2T

N.º de artículo de Mouser
595-CSD19538Q2T

Texas Instruments

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 49mOhm NexFET P ower MOSFET A 595-C A 595-CSD19538Q2

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10,540En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/3.70

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.88

S/2.48

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

SMD/SMT

WSON-FET-6

N-Channel

1 Channel

100 V

14.4 A

59 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

NexFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

3.1 A
3.5 A
4.5 A
5 A
7 A
8 A
10 A
12 A
14 A
14.4 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
32 A
35 A
40 A

590 uOhms
680 uOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.4 mOhms

600 mV
650 mV
680 mV
700 mV
750 mV, 1 V
750 mV, 1.1 V
800 mV
850 mV
900 mV
950 mV
1 V
1.1 V
1.15 V, 2.1 V
1.2 V
1.2 V, 2.1 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.6 V
1.6 V, 2.1 V

1.04 nC
2 nC
2.1 nC
2.2 nC
2.4 nC
2.7 nC, 6.4 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.6 nC
3.9 nC
4 nC
4.3 nC
4.8 nC, 9.6 nC
5.1 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.6 nC
5.8 nC
5.9 nC, 17 nC

500 mW
1.5 W
1.65 W
1.7 W
1.9 W
2.1 W
2.3 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
6 W
8.5 W
12 W
13 W
15 W